HIP0063
初步
1995年10月
（十六进制）的低边MOSFET驱动器，串行或
并行接口和诊断故障控制
描述
该HIP0063是控制逻辑，六通道低端电源驱动器。如
在该框图中所示，输出通过所述串行数据的控制
接口，或通过用户的选择，每一个输出可以被独立地控制
从各个并行输入。此外， PWM逻辑开关控制
（ HLOS ）可被直接施加到通道0和1并联，或信道4
和5并联。
输出故障条件可被检测为输出负载短路供给
当输出为ON或作为开放载荷/接地短路时的输出是
OFF 。如果过电流短暂存在于一个输出，栅极驱动电压变到低
工作周期模式。直到断开或将保持在低工作周期模式
故障被清除。故障位数据被送到一个错误寄存器以指示哪些
通道是有过错的。故障位由逻辑1所示，并在内部
锁定当CS变低。故障位将返回到零故障时消失
梨。任一个8位或16位的SPI通信方式都可以使用。参考
为比特控制信息的应用程序部分。
将发生的所有输出过压关断保护当V
PWR
（电池/
MOSFET供应）超过35V的典型。当V
CC
小于3.5V ，栅极驱动器
被关断。输入和门控制逻辑是完全功能在V
CC
供给大于4V典型。的HIP0063内部有一个漏极 - 栅
齐纳二极管被用于钳位电压的输出端的漏 - 源电压
MOSFET。
的HIP0063被制造在一个电源采用BiMOS IC工艺，并适用于
在具有一个宽的温度范围汽车和其它应用程序中使用
和电应力条件。它特别适合于MOSFET的CON-
控制电路中的驱动灯，显示器，继电器和电磁阀中的应用
要求较低的工作功耗。
特点
六通道MOSFET驱动器与栅极驱动器
通过串行（ SPI ）控制或并行接口和
一个选项， PWM逻辑开关控制
排水管显示器提供故障检测和
电压钳位每个通道
输出电压齐纳钳位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。典型值67V
5V CMOS逻辑电平输入控制
V
CC
逻辑级电源
- 5V V
CC
逻辑电源
- 关断栅极驱动低或V损失
CC
V
PWR
系统级电源管理
- 5.5V至17V电池/系统级电源
电源监视器
- 过压关断。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。典型值35V
输出电源/负载短路和开路
负载/短路接地故障检测
自动切换到低占空比驱动器
模式当输出短路到电源检测
故障通过SPI总线诊断反馈
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 125
o
C
应用
汽车和工业系统
电磁阀，继电器和灯驱动器的控制
接口逻辑和
P
控制器
机器人系统控制器
订购信息
部分
数
HIP0063AB
温度
范围
-40
o
C至+ 125
o
C
包
28引脚塑封SOIC （ W）
引脚
HIP0063 SOIC
顶视图
HLOS 1
HPW01 2
HPW45 3
P10 4
P11 5
P12 6
P13 7
P14 8
P15 9
CS 10
SO 11
SI 12
SCK 13
GND 14
28 V
PWR
27 G0
26 D0
25 G1
24 D1
23 D2
22 G2
21 G3
20 D3
19 D4
18 G4
17 D5
16 G5
15 V
CC
框图
+V
PWR
V
PWR
V
CC
OVSD
+5V
POR
CHANNEL ＃ 0 - （ 1 6）故障逻辑
和锁存
F0
故障数据
OVSD
TG
门
控制
逻辑
D0
（漏极
MONITOR
VOLT ，V
DM
)
G0
（ GATE DR 。
VOLT 。 ，V
G
)
GND
HPW01
HPW45
HLOS
CS
SI
SO
SCK
PI0-5
MUX
PWM
控制
S0
S6 P0
SPI （ SER ）。
控制
S0-5
F0-5
(6)
PI0-5
TG
POR
HIP0063
OSC和
延时
控制
EXT电源
MOSFET和
典型负载
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
4009
1
HIP0063
V
CC
5V
V
PWR
14V
S0
SI
SCK
CS
SPI
POR ，时序OSC ，
带隙REF。 ，
OVER - VOLT 。 DET 。
V
PWR
(V
BATT
)
14V
D0
G0
D1
G1
D2
G2
D3
G3
D4
G4
D5
G5
PI0
并行/
串行输入，
移位寄存器。
控制
并行/
串行输入，
移位寄存器。
控制
并行/
串行输入，
移位寄存器。
控制
并行/
串行输入，
移位寄存器。
控制
并行/
串行输入，
移位寄存器。
控制
并行/
串行输入，
移位寄存器。
控制
数据
LATCH
排水监测
传动控制
道＃ 0
栅极驱动器
排水监测
传动控制
道＃ 1
栅极驱动器
排水监测
传动控制
道＃ 2
栅极驱动器
排水监测
传动控制
道＃ 3
栅极驱动器
排水监测
传动控制
道＃ 4
栅极驱动器
排水监测
传动控制
道＃ 5
栅极驱动器
HIP0063
PI1
数据
LATCH
并行输入
PI2
数据
LATCH
PI3
数据
LATCH
PI4
数据
LATCH
PI5
数据
LATCH
HLOS （ SEL ）
HPW01
HPW45
HLOS
GND
硬件生成或定制逻辑
来源PWM控制信号输入
2 - HIP0061
或同等学历
图1.典型应用电路的HIP0063说明如何将栅极驱动输出和排水监测
输入控制两个HIP0061三FET阵列
CS
SCK
（ CPOL = 0 ， CPHA = 1 ）
最高位
6
5
4
3
2
1
最低位
内部选通数据采集
图2. SPI数据和时钟时序图。串行通信时启动CS变低， SCK
是低的。 8或16位数据锁存到SI在SCK的上升沿。数据逐个从作者
所以在SCK的古道边。 CS为高电平时，数据被锁存控制每个通道
2
特定网络阳离子HIP0063
绝对最大额定值
逻辑电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V
最大静态逻辑电源电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5毫安
逻辑输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
CC
+ 0.3V
系统电源电压监控器，V
PWR
（注1 ）
最大持续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -1.5V至38V
最大漏极钳位电压，V
DM
（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75V
最大栅极驱动输出电压，V
G
（注3） 。 。 。 。 -0.3到V
CC
+ 0.3V
工作环境温度范围内，T
A
. . . . -40
o
C至+ 125
o
C
工作结温范围。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+150
o
C
存储温度范围，T
英镑
. . . . . . . . . . -55
o
C至+150
o
C
引线温度（焊接10秒最大） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
热信息
（典型值）
热阻
28引脚SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
θ
JA
75
o
C / W
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
电气连接特定的阳离子
参数
电源
逻辑电源静态电流
V
CC
阈值复位POR
V
CC
= 4.5V至5.5V ，V
PWR
= 5.5V至17V ，T
A
= -40
o
C至+ 125
o
C，除非另有规定编
符号
条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
V
POR
PI0-5 High（接通） ，增加V
CC
，测量
V
CC
阈值当栅极驱动电压变
高
PI0-5高，降低V
CC
，测量V
CC
阈值时，栅极驱动电压变低，
迟滞等于差V
CC
电压
栅极驱动高到栅极驱动低
V
PWR
= 14V
V
PWR
= 14V
V
PWR
阈值时测得门
驱动电压，V
G
变低
-
3.5
-
4
5
4.25
mA
V
POR迟滞
V
POR_HYS
-
500
-
mV
欠压锁定，低V
CC
电池电源监视器电流
V
PWR
过压关断
门槛
V
PWR
过压关断
迟滞
逻辑输入
输入高电压; SI ， SCK ， CS
输入低电压; SI ， SCK ， CS
输入漏电流; SI ， SCK
输入下拉电流;
PI0-5 ， HPW01 ， HPW45
输入上拉电流; CS ， HLOS
阈值电压的下降沿，
PI0-5 ， HLOS ， HPW01 ， HPW45
门槛Voltge上升沿，
PI0-5 ， HLOS ， HPW01 ， HPW45
输入迟滞电压;
PI0-5 ， HLOS ， HPW01 ， HPW45
输入电容， SCK ， SI
数据输出
因此，数据输出高电压
因此，数据输出低电压
所以三态泄漏电流
所以三态电容
V
CC
I
PWR
V
PWR_OVTH
V
PWR_OVHYS
1
-
30
-
2
-
35
1
3.7
150
40
-
V
A
V
V
V
IH
V
IL
I
LK
I
IN = PD
I
IN_PU
V
T
-
V
T
+
V
IN_HYS
C
IN
0℃， V
IN
＆ LT ; V
CC
0.3V
CC
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
CC
GND < V
IN
< 0.7 V
CC
0.7V
CC
-
-10
3
-25
1.5
1.8
250
-
-
-
0
10
-10
2.2
2.6
500
7
-
0.3V
CC
10
25
-2
3.0
3.4
650
12
V
V
A
A
A
V
V
mV
pF
V
OH
V
OL
I
SOT
C
SOT
I
O
= 5毫安源电流
I
O
= 5mA的吸收电流
V
CC
= 0V至5.5V
0℃， V
IN
＆ LT ; V
CC
0.8V
CC
-
-10
-
-
0.2
1
15
-
0.4
10
20
V
V
A
pF
3
特定网络阳离子HIP0063
电气连接特定的阳离子
参数
栅极驱动输出
栅极驱动输出源电流
栅极驱动输出灌电流
栅极驱动器上升时间与负载
输出导通延时，上升沿
的CS到V的10％
G
开启
输出关断延迟，上升沿
的CS到V的10％
G
打开-O FF
I
GOH
I
GOL
t
R
t
PHL
t
PLH
V
G
= 0V
V
G
= 4.5V
帽。负载，门到GND = （ TBD） pF的
-4.4
0.2
待定
-
-
-
-
待定
5
5
-0.5
3.3
-
10
10
mA
mA
s
s
s
V
CC
= 4.5V至5.5V ，V
PWR
= 5.5V至17V ，T
A
= -40
o
C至+ 125
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
条件
民
典型值
最大
单位
排水监控输入和保护
D0-5排水监测钳位电压
V
DM
D0-5钳位电流，I
DM
= 2毫安;
t
PW
= 100μS ，占空比<1 ％ ，栅极驱动器
电压，V
G
低（注2）
0.3V
CC
＆ LT ; V
DM
＆ LT ; V
CC
58
64
74
V
D0-5排水监测下拉电流
SINK
故障阈值电压感测
漏极监视输入，短裤/开幕
短路故障检测时间
V
DM
＆ GT ; V
DM_FTH
，门开/高
过电流刷新时间在
短路时（栅极驱动OFF）
过电流接通时间占空比
负载开路“关”的时间感
V
DM
＆ LT ; V
DM_FTH
，门关/低
注意：
I
DM
V
DM_FTH
t
SC_ON
3
0.3V
CC
10
0.4V
CC
28
28
16.4
16.4
0.34
28
25
0.5V
CC
39
36
21.4
19.6
0.37
39
A
V
s
s
ms
ms
%
s
T
A
= -40
o
℃至25
o
C
T
A
= 25
o
C至150
o
C
18
19
11.4
12.0
0.31
18
t
SC_REF
T
A
= -40
o
℃至25
o
C
T
A
= 25
o
C至150
o
C
占空比= T
SC
/(t
SC
+ t
REF
)
t
OL_OFF
1.请参阅图3推荐的应用电路V
PWR
的+ 24V双BAT-保护给定的系统电源状态
tery电压， -14V的反向电池电压和+ 80V系统级的抛负载电压。
2. V
DM
是指在指定的漏极监视器电压输入时，引脚D0通D5中，监视来自各外部漏电状态
MOSFET。
3. V
G
是指在输出引脚， G0通G5的，该驱动器的各外部MOSFET的栅极指定的栅极驱动电压。
+5V
0.01F
V
CC
PI0
PI1
PI2
PI3
PI4
PI5
CS
SI
SCK
SO
HLOS
HPW01
HPW45
V
PWR
D0
G0
D1
G1
G2
D2
D3
G3
G4
D4
G5
D5
GND
0.01F
27V
0.01F
负载：
13, 6.8H
作者：六一
输出
V
BATT
高速
并行
数据输入
芯片选择
SPI总线
串行
输入
PWM选择
五金
产生
PWM输入
图3.典型应用电路的HIP0063显示V
PWR
电源接口电路PRO-
TECTION组件。的价值观显示，给予80V的负载转储衰减至V
PWR
水平在350ms的， 27V的齐纳二极管是需要钳60V最大瞬态。为
电池反接保护，齐纳二极管钳位负电压
4
特定网络阳离子HIP0063
串行外设接口时序
参数
时钟工作频率
时钟周期
时钟高电平时间
时钟低电平时间
CS下降边缘到SCK的上升沿
SCK的下降沿到CS的上升沿
SI到SCK建立时间
（见图4）
符号
f
SCK
t
SCK
t
WH
t
WL
t
领导
t
LAG
t
SU2
C
L
= 200pF的
SCK = 0.8V至0.8V
SCK = 2V至2V ; F
SCK
=为1.8MHz
SCK = 0.8V至0.8V ; F
SCK
=为1.8MHz
CS = 0.8V至SCK = 2V
SCK = 0.8V至CS = 2V
SI = 0.8 ， 2V到SCK = 2V ;
f
SCK
= 2.25MHz的
SCK = 2V至SI举行
C
L
= 200pF的
C
L
= 200pF的
SO = 0.8 ， 2V到SCK = 0.8V ;
L
= 200pF的
SO = 0.8 ， 2V到SCK = 0.8V ;
L
= 200pF的
C
L
= 200pF的
C
L
= 200pF的
CS = 0.8V至如此之低阻抗
测试条件
民
1.8
-
-
-
-
-
-
典型值
4
250
100
100
150
50
25
最大
-
555
248
248
200
200
55
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
SI SCK保持上涨后
上升输入信号的时间
秋季输入信号的时间
因此数据有效到SCK的下降沿
SCK的下降沿到SO
上升的所以时间
秋季的所以时间
CS下降边缘到SO运营
（ 1kΩ的下拉在SO引脚）
瑞星CS边缘到SO三态
（ 1kΩ的下拉在SO引脚）
SCK的上升沿到SO （数据有效）
t
H2
t
RSI
t
FSI
t
SU1
t
H1
t
RSO
t
FSO
t
SOEN
-
-
-
80
80
-
-
-
10
-
-
-
125
30
30
150
55
120
120
-
-
50
50
300
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
SODIS
CS = 2V至SO三态
-
150
200
ns
t
有效
C
L
= 200pF的，为1.8MHz
-
C
L
= 200pF的， 2.25MHz的
-
-
-
172
117
ns
ns
CS
t
SCK
t
领导
1
2
t
WL
t
有效
t
SU2
（MSB = 0）时
t
H2
最低位
t
WH
X
t
LAG
SCK
SI
t
SODIS
最后一位
XMITTED
t
SOEN
SO
最高位
t
SU1
t
H1
最低位
图4.时序图的HIP0063显示SPI总线输入控制信号
5
QQ：2881677436 复制
