半导体
HI5812
CMOS 20微秒， 12位，采样A / D
转换器具有内部采样和保持
描述
该HI5812是一款快速，低功耗， 12位逐次
逼近模拟 - 数字转换器。它可以从操作
单3V至6V电源供电，典型吸引刚1.9毫安时
工作电压为5V 。该HI5812设有一个内置的跟踪和保持。
转换时间低至为15μs用5V电源。
在12个数据输出功能全面的高速CMOS三
态总线驱动器的能力，并且被锁存，并通过召开
全面转换周期。输出是用户可选择的： （即） -12-
位，8位（最高有效位） ，和/或4位（最低有效位） 。数据就绪FL股份公司，并
转换启动输入完成的数字接口。
一个内部时钟被提供，并且可以作为一个输出。
该时钟也可以通过驱动由一个外部源。
1997年8月
特点
转换时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20μS
吞吐率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.50 KSPS
内置跟踪保持
保证无失码温
单电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V
最大功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .25mW
内部或外部时钟
应用
远程低功耗数据采集系统
数字音频
DSP调制解调器
通用DSP前端
P
控制测量系统
专业音响定位器/衰减器
订购信息
部分
数
HI5812JIP
HI5812KIP
HI5812JIB
HI5812KIB
HI5812JIJ
HI5812KIJ
INL （ LSB ）
（ MAX OVER
温度）。
±1.5
±1.0
±1.5
±1.0
±1.5
±1.0
温度。
范围
(
o
C)
PKG 。
号
E24.3
E24.3
M24.3
M24.3
包
-40到85 24 Ld的PDIP
-40到85 24 Ld的PDIP
-40到85 24 Ld的SOIC
-40到85 24 Ld的SOIC
-40到85 24 Ld的CERDIP F24.3
-40到85 24 Ld的CERDIP F24.3
引脚
HI5812
（ PDIP ， CERDIP和SOIC ）
顶视图
DRDY
（ LSB ） D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24 V
DD
23 OEL
22 CLK
21 STRT
20 V
REF
-
19 V
REF
+
18 V
IN
17 V
AA
+
16 V
AA
-
15 OEM
14 D11 （MSB）
13 D10
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
3214.4
6-1789
HI5812
绝对最大额定值
电源电压
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (V
SS
-0.5V ） < V
DD
< + 6.5V
V
AA
+到V
AA
-. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (V
SS
-0.5V ）到（Ⅴ
SS
+6.5V)
V
AA
+到V
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
0.3V
模拟和参考输入
V
IN
, V
REF
+, V
REF
-. . . . . . . . . (V
SS
-0.3V ） < V
INA
＆ LT ; （V
DD
+0.3V)
数字I / O引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （V
SS
-0.3V ） < VI / O < （V
DD
+0.3V)
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
60
12
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
不适用
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
不适用
最高结温
塑料封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
陶瓷封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
ο
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围
PDIP ，SOIC和CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至85
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
V
DD
= V
AA
+ = 5V, V
REF
+ = +4.608V, V
SS
= V
AA
- = V
REF
- = GND ， CLK = 750kHz的外部，
除非另有规定编
25
o
C
-
40
o
C至85
o
C
最大
民
最大
单位
参数
准确性
决议
积分线性误差， INL
（终点）
微分线性误差， DNL
J
K
J
K
增益误差， FSE
（可调至零）
失调误差，V
OS
（可调至零）
电源抑制比， PSRR
失调误差PSRR
增益误差PSRR
动态特性
信噪比， SINAD
RMS信号
RMS噪声+失真
信号噪声比，信噪比
RMS信号
RMS噪声
总谐波失真THD
J
K
J
K
J
K
无杂散动态范围，
SFDR
J
K
J
K
J
K
测试条件
民
典型值
12
-
-
-
-
-
-
-
-
V
REF
= 4V
V
DD
=
V
AA
+ = 5V
±5%
V
DD
=
V
AA
+ = 5V
±5%
f
S
=内部时钟，女
IN
= 1kHz时
f
S
= 750kHz的，女
IN
= 1kHz时
f
S
=内部时钟，女
IN
= 1kHz时
f
S
= 750kHz的，女
IN
= 1kHz时
f
S
=内部时钟，女
IN
= 1kHz时
f
S
= 750kHz的，女
IN
= 1kHz时
f
S
=内部时钟，女
IN
= 1kHz时
f
S
= 750kHz的，女
IN
= 1kHz时
f
S
=内部时钟，女
IN
= 1kHz时
f
S
= 750kHz的，女
IN
= 1kHz时
f
S
=内部时钟，女
IN
= 1kHz时
f
S
= 750kHz的，女
IN
= 1kHz时
f
S
=内部时钟，女
IN
= 1kHz时
f
S
= 750kHz的，女
IN
= 1kHz时
f
S
=内部时钟，女
IN
= 1kHz时
f
S
= 750kHz的，女
IN
= 1kHz时
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
-
±1.5
±1.0
±2.0
±1.0
±3.0
±2.5
±2.0
±1.0
±0.5
±0.5
12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±1.5
±1.0
±2.0
±1.0
±3.0
±2.5
±2.0
±1.0
±0.5
±0.5
位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
68.8
69.2
71.0
71.5
70.5
71.1
71.5
72.1
-73.9
-73.8
-80.3
-79.0
-75.4
-75.1
-80.9
-79.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dB
dB
dB
dB
6-1791
HI5812
电气连接特定的阳离子
V
DD
= V
AA
+ = 5V, V
REF
+ = +4.608V, V
SS
= V
AA
- = V
REF
- = GND ， CLK = 750kHz的外部，
除非另有规定编
（续）
25
o
C
参数
模拟量输入
输入电流，动态
输入电流，静态
输入带宽-3dB
参考输入电流
输入串联电阻，R
S
输入电容，C
样品
输入电容，C
HOLD
数字输入
OEL ， OEM， STRT
高电平输入电压V
IH
低电平输入电压，V
IL
输入漏电流，I
IL
输入电容，C
IN
数字输出
高电平输出电压V
OH
低电平输出电压，V
OL
三态漏，我
OZ
输出电容，C
OUT
时钟
高电平输出电压V
OH
低电平输出电压，V
OL
输入电流
定时
转换时间（t
CONV
+ t
ACQ
)
（包括采集时间）
时钟频率
内部时钟（ CLK =开）
外部CLK （注2 ）
时钟脉冲宽度，T
低
, t
高
孔径延迟，T
D
APR
时钟到数据就绪延迟，T
D1
DRDY
时钟到数据就绪延迟，T
D2
DRDY
开始拆卸时间，t
R
STRT
启动安装程序时，T
SU
STRT
启动脉冲宽度，T
W
STRT
开始数据就绪延迟，T
D3
DRDY
时钟延迟从开始，T
D
STRT
输出使能延时，T
EN
输出禁用延迟，T
DIS
电源特性
电源电流，我
DD
+ I
AA
注意：
2.参数设计和特性保证，未经生产测试。
-
1.9
5
-
8
mA
外部CLK （注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
20
200
0.05
100
-
-
-
75
85
10
-
-
-
-
-
300
2
-
35
105
100
30
60
4
65
60
20
80
-
400
1.5
-
50
150
160
-
-
-
105
-
30
95
20
150
0.05
100
-
-
-
75
100
15
-
-
-
-
-
500
1.5
-
70
180
195
-
-
-
120
-
50
120
s
千赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
I
来源
= -100μA （注2）
I
SINK
= 100μA （注2 ）
只有CLK ，V
IN
= 0V, 5V
4
-
-
-
-
-
-
1
±5
4
-
-
-
1
±5
V
V
mA
I
来源
= -400A
I
SINK
= 1.6毫安
除DRDY ，V
OUT
= 0V, 5V
除DRDY
4.6
-
-
-
-
-
-
20
-
0.4
±10
-
4.6
-
-
-
-
0.4
±10
-
V
V
A
pF
除了CLK ，V
IN
= 0V, 5V
2.4
-
-
-
-
-
-
10
-
0.8
±10
-
2.4
-
-
-
-
0.8
±10
-
V
V
A
pF
串联输入的C
样品
在采样状态
在保持状态
在V
IN
= V
REF
+, 0V
转换停止
-
-
-
-
-
-
-
±50
±0.4
1
160
420
380
20
±100
±10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±100
±10
-
-
-
-
-
A
A
兆赫
A
pF
pF
测试条件
民
典型值
最大
-
40
o
C至85
o
C
民
最大
单位
6-1792
QQ：2880707522 复制
