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HI5767
数据表
2005年3月30日
FN4319.6
10位, 20/40 / 60MSPS的A / D转换器
内部参考电压
的HI5767是单片, 10位模拟 - 数字
转换器制造中的CMOS工艺。它被设计为
高速应用中的宽带宽和低
功率消耗是必要的。其高采样时钟
率成为可能由一个完全差分流水线
建筑,既是内部采样保持和
内部带隙基准电压源。
在250MHz的全功率输入带宽和优异的高
该HI5767转换器的高频性能使其成为
实现数字中频架构的最佳选择
通信应用。
该HI5767具有优良的动态性能的同时,
仅消耗电力310MW ,在40MSPS 。数据输出
设置锁存器,其呈现有效的数据到输出
总线与7个时钟周期的等待时间。
该HI5767是提供在20MSPS , 40MSPS和60MSPS
采样率。
特点
采样率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20/40 / 60MSPS
8.8位在f
IN
= 10MHz时,女
S
= 40MSPS
低功耗的40MSPS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .310mW
宽全功率输入带宽。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250MHz的
片上采样和保持
内部2.5V带隙基准电压源
全差分或单端模拟输入
单电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V
TTL / CMOS兼容数字输入
CMOS兼容的数字输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.0V / 5.0V
偏移二进制或二进制补码输出格式
无铅可(符合RoHS )
应用
数字通信系统
QAM解调器
引脚
HI5767 ( SOIC , SSOP )
顶视图
DV
CC1
1
DGND 2
DV
CC1
3
DGND 4
AV
CC
5
AGND 6
V
REFIN
7
V
REFOUT
8
V
IN
+ 9
V
IN
- 10
V
DC
11
AGND 12
AV
CC
13
OE 14
28 D0
27 D1
26 D2
25 D3
24 D4
23 DV
CC2
22 CLK
21 DGND
20 D5
19 D6
18 D7
17 D8
16 D9
15 DFS
专业视频数字化
医学影像
高速数据采集
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2003年, 2005年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HI5767
订购信息
部分
HI5767/2CB
HI5767/2CBZ
(见注)
HI5767/4CB*
HI5767/4CBZ*
(见注)
HI5767/6CB*
HI5767/6CBZ*
(见注)
HI5767/6IB
HI5767/6IBZ
(见注)
HI5767/2CA
HI5767/2CAZ
(见注)
HI5767/2IA
HI5767/2IAZ
(见注)
HI5767/4CA
HI5767/4CAZ
(见注)
HI5767/6CA
HI5767/6CAZ
(见注)
HI5767EVAL1
HI5767EVAL2
温度。
范围
(
o
C)
0到70
0到70
0到70
0到70
0到70
0到70
28 Ld的SOIC
28 Ld的SOIC
(无铅)
28 Ld的SOIC
28 Ld的SOIC
(无铅)
28 Ld的SOIC
28 Ld的SOIC
(无铅)
PKG 。
DWG 。 #
M28.3
M28.3
M28.3
M28.3
M28.3
M28.3
M28.3
M28.3
M28.15
M28.15
M28.15
M28.15
M28.15
M28.15
M28.15
M28.15
采样
( Msps的)
20
20
40
40
60
60
60
60
20
20
20
20
40
40
60
60
60
60
-40到85 28 Ld的SOIC
-40到85 28 Ld的SOIC
(无铅)
0到70
0到70
28 Ld的SSOP
28 Ld的SSOP
(无铅)
-40到85 28 Ld的SSOP
-40到85 28 Ld的SSOP
(无铅)
0到70
0到70
0到70
0到70
25
25
28 Ld的SSOP
28 Ld的SSOP
(无铅)
28 Ld的SSOP
28 Ld的SSOP
(无铅)
评估板
评估板
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注: Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡
板终止完成,这是符合RoHS标准,兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅
产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
2
HI5767
功能框图
V
DC
V
IN
-
V
IN
+
S / H
V
REFOUT
参考
V
REFIN
BIAS
时钟
CLK
第1阶段
DFS
2-BIT
FL灰
2-BIT
DAC
OE
+
-
DV
CC2
X2
D9 (MSB)
D8
D7
D6
8级
DIGITAL DELAY
数字误差
更正
D5
D4
D3
2-BIT
FL灰
2-BIT
DAC
D2
D1
+
D0 ( LSB )
-
X2
DGND2
STAGE 9
2-BIT
FL灰
AV
CC
AGND
DV
CC1
DGND1
3
HI5767
典型应用原理图
HI5767
V
REFIN
(7)
V
REFOUT
(8)
0.1F
( LSB ) ( 28 ) D0
(27) D1
AGND ( 12 )
AGND ( 6 )
DGND1 (2)
DGND1 (4)
DGND2 (21)
(26) D2
(25) D3
(24) D4
(20) D5
(19) D6
(18) D7
(17) D8
(MSB) (16) D9
V
IN
+
V
IN
+ (9)
V
DC
(11)
V
IN
-
V
IN
- (10)
(1) DV
CC1
(3) DV
CC1
(23)的DV
CC2
0.1F
时钟
CLK (22)
DFS ( 15 )
OE ( 14 )
(13)的AV
CC
(5)的AV
CC
0.1F
+
10F
+5V
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
10μF和0.1μF CAPS
尽可能接近放置后
TO部分地
+
10F
+5V
DGND
AGND
BNC
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
名字
DV
CC1
DGND1
DV
CC1
DGND1
AV
CC
AGND
V
REFIN
V
REFOUT
V
IN
+
V
IN
-
V
DC
AGND
AV
CC
OE
描述
数字电源( + 5.0V )
数字地
数字电源( + 5.0V )
数字地
模拟电源( + 5.0V )
模拟地
+ 2.5V参考电压输入
+ 2.5V基准电压输出
正模拟输入
负模拟输入
直流偏置电压输出
模拟地
模拟电源( + 5.0V )
数字输出使能控制输入
PIN号
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
名字
DFS
D9
D8
D7
D6
D5
DGND2
CLK
DV
CC2
D4
D3
D2
D1
D0
描述
数据格式选择输入
数据位9输出( MSB )
数据位8输出
数据的第7位输出
数据第6位输出
数据第5位输出
数字地
采样时钟输入
数字输出电源( + 3.0V或+ 5.0V )
数据位4输出
数据位3输出
数据位2输出
数据位1输出
数据位0输出( LSB )
4
HI5767
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C
电源电压, AV
CC
或DV
CC
到AGND或DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .6V
DGND至AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3V
数字I / O引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 DGND至DV
CC
模拟量I / O引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 AGND至AV
CC
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
工作条件
温度范围
HI5767 / XCX 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
HI5767 /十九。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至85
o
C
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
SSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围
. . . . . . . . .-
65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
( SOIC - 只会提示)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
AV
CC
DV
CC1
= 5.0V , DV
CC2
= 3.0V; V
REFIN
= V
REFOUT
; f
S
= 40MSPS时占空比为50% ;
C
L
= 10pF的;牛逼
A
= 25
o
℃;差分模拟输入;典型值是在25测试结果
o
C,
除非另有说明
测试条件
典型值
最大
单位
参数
准确性
决议
积分线性误差, INL
微分线性误差, DNL
(保证无失码)
失调误差,V
OS
满量程误差, FSE
动态特性
最小转换速率
最大转化率
HI5767/2
HI5767/4
HI5767/6
有效位数, ENOB
HI5767/2
HI5767/4
HI5767/6
信噪比和失真比, SINAD
RMS信号
= -------------------------------------------------------------
-
RMS噪声+失真
HI5767/2
HI5767/4
HI5767/6
信号噪声比,信噪比
RMS信号
= ------------------------------
-
RMS噪声
HI5767/2
HI5767/4
HI5767/6
总谐波失真THD
HI5767/2
10
f
IN
= 1MHz的SINEWAVE
f
IN
= 1MHz的SINEWAVE
f
IN
= DC
f
IN
= DC
-
-
-40
-
-
±0.75
±0.35
-
4
-
±1.75
±1.0
40
-
最低位
最低位
最低位
最低位
无失码
-
0.5
1
MSPS
无失码
无失码
无失码
20
40
60
-
-
-
-
-
-
MSPS
MSPS
MSPS
f
S
= 20MSPS ,女
IN
= 10MHz时
f
S
= 40MSPS ,女
IN
= 10MHz时
f
S
= 60MSPS ,女
IN
= 10MHz时
8.7
8.55
8.1
9
8.8
8.4
-
-
-
f
S
= 20MSPS ,女
IN
= 10MHz时
f
S
= 40MSPS ,女
IN
= 10MHz时
f
S
= 60MSPS ,女
IN
= 10MHz时
-
-
-
55.9
54.7
53.8
-
-
-
dB
dB
dB
f
S
= 20MSPS ,女
IN
= 10MHz时
f
S
= 40MSPS ,女
IN
= 10MHz时
f
S
= 60MSPS ,女
IN
= 10MHz时
f
S
= 20MSPS ,女
IN
= 10MHz时
-
-
-
55.9
55
54
-
-
-
dB
dB
dB
-
-71
-
dBc的
5
HI5767
数据表
2000年2月
网络文件编号
4319.4
10位20/40/60 MSPS A / D转换器
内部参考电压
的HI5767是单片, 10位模拟 - 数字
转换器制造中的CMOS工艺。它被设计为
高速应用中的宽带宽和低
功率消耗是必要的。其高采样时钟
率成为可能由一个完全差分流水线
建筑,既是内部采样保持和
内部带隙基准电压源。
在250MHz的全功率输入带宽和优异的高
该HI5767转换器的高频性能使其成为
实现数字中频架构的最佳选择
通信应用。
该HI5767具有优良的动态性能的同时,
仅消耗电力310MW ,在40MSPS 。数据输出
设置锁存器,其呈现有效的数据到输出
总线与7个时钟周期的等待时间。
该HI5767是提供在20MSPS , 40MSPS和60MSPS
采样率。
特点
采样率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20/40/60 MSPS
8.8位在f
IN
= 10MHz时,女
S
= 40MSPS
低功耗的40MSPS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .310mW
宽全功率输入带宽。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250MHz的
片上采样和保持
内部2.5V带隙基准电压源
全差分或单端模拟输入
单电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V
TTL / CMOS兼容数字输入
CMOS兼容的数字输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.0V / 5.0V
偏移二进制或二进制补码输出格式
应用
数字通信系统
QAM解调器
专业视频数字化
订购信息
部分
HI5767/2CB
HI5767/4CB
HI5767/6CB
HI5767/2CA
HI5767/2IA
HI5767/4CA
HI5767/6CA
HI5767EVAL1
HI5767EVAL2
温度。
范围
(
o
C)
0到70
0到70
0到70
0到70
28 Ld的SOIC
28 Ld的SOIC
28 Ld的SOIC
28 Ld的SSOP
PKG 。
M28.3
M28.3
M28.3
M28.15
M28.15
M28.15
M28.15
采样
( Msps的)
20
40
60
20
20
40
60
60
60
医学影像
高速数据采集
引脚
HI5767 ( SOIC , SSOP )
顶视图
DV
CC1
1
DGND 2
DV
CC1
3
DGND 4
AV
CC
5
AGND 6
V
REFIN
7
V
REFOUT
8
V
IN
+ 9
V
IN
- 10
V
DC
11
AGND 12
AV
CC
13
OE 14
28 D0
27 D1
26 D2
25 D3
24 D4
23 DV
CC2
22 CLK
21 DGND
20 D5
19 D6
18 D7
17 D8
16 D9
15 DFS
-40到85 28 Ld的SSOP
0到70
0到70
25
25
28 Ld的SSOP
28 Ld的SSOP
评估板
评估板
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 |版权所有 Intersil公司2000
HI5767
功能框图
V
DC
V
IN
-
V
IN
+
S / H
V
REFOUT
参考
V
REFIN
BIAS
时钟
CLK
第1阶段
DFS
2-BIT
FL灰
2-BIT
DAC
OE
+
-
DV
CC2
X2
D9 (MSB)
D8
D7
D6
8级
DIGITAL DELAY
数字误差
更正
D5
D4
D3
2-BIT
FL灰
2-BIT
DAC
D2
D1
+
D0 ( LSB )
-
X2
DGND2
STAGE 9
2-BIT
FL灰
AV
CC
AGND
DV
CC1
DGND1
2
HI5767
典型应用原理图
HI5767
V
REFIN
(7)
V
REFOUT
(8)
0.1F
( LSB ) ( 28 ) D0
(27) D1
AGND ( 12 )
AGND ( 6 )
DGND1 (2)
DGND1 (4)
DGND2 (21)
(26) D2
(25) D3
(24) D4
(20) D5
(19) D6
(18) D7
(17) D8
(MSB) (16) D9
V
IN
+
V
IN
+ (9)
V
DC
(11)
V
IN
-
V
IN
- (10)
(1) DV
CC1
(3) DV
CC1
(23)的DV
CC2
0.1F
时钟
CLK (22)
DFS ( 15 )
OE ( 14 )
(13)的AV
CC
(5)的AV
CC
0.1F
+
10F
+5V
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
10μF和0.1μF CAPS
尽可能接近放置后
TO部分地
+
10F
+5V
DGND
AGND
BNC
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
名字
DV
CC1
DGND1
DV
CC1
DGND1
AV
CC
AGND
V
REFIN
V
REFOUT
V
IN
+
V
IN
-
V
DC
AGND
AV
CC
OE
描述
数字电源( + 5.0V )
数字地
数字电源( + 5.0V )
数字地
模拟电源( + 5.0V )
模拟地
+ 2.5V参考电压输入
+ 2.5V基准电压输出
正模拟输入
负模拟输入
直流偏置电压输出
模拟地
模拟电源( + 5.0V )
数字输出使能控制输入
PIN号
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
名字
DFS
D9
D8
D7
D6
D5
DGND2
CLK
DV
CC2
D4
D3
D2
D1
D0
描述
数据格式选择输入
数据位9输出( MSB )
数据位8输出
数据的第7位输出
数据第6位输出
数据第5位输出
数字地
采样时钟输入
数字输出电源( + 3.0V或+ 5.0V )
数据位4输出
数据位3输出
数据位2输出
数据位1输出
数据位0输出( LSB )
3
HI5767
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C
电源电压, AV
CC
或DV
CC
到AGND或DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .6V
DGND至AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3V
数字I / O引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 DGND至DV
CC
模拟量I / O引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 AGND至AV
CC
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
SSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围
. . . . . . . . .-
65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围
HI5767 / XCX (标准值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
AV
CC
DV
CC1
= 5.0V , DV
CC2
= 3.0V; V
REFIN
= V
REFOUT
; f
S
= 40MSPS时占空比为50% ;
C
L
= 10pF的;牛逼
A
= 25
o
℃;差分模拟输入;典型值是在25测试结果
o
C,
除非另有规定编
测试条件
典型值
最大
单位
参数
准确性
决议
积分线性误差, INL
微分线性误差, DNL
(保证无失码)
失调误差,V
OS
满量程误差, FSE
动态特性
最小转换速率
最大转化率
HI5767/2
HI5767/4
HI5767/6
有效位数, ENOB
HI5767/2
HI5767/4
HI5767/6
信噪比和失真比, SINAD
RMS信号
= -------------------------------------------------------------
-
RMS噪声+失真
HI5767/2
HI5767/4
HI5767/6
信号噪声比,信噪比
RMS信号
= ------------------------------
-
RMS噪声
HI5767/2
HI5767/4
HI5767/6
总谐波失真THD
HI5767/2
HI5767/4
10
f
IN
= 1MHz的SINEWAVE
f
IN
= 1MHz的SINEWAVE
f
IN
= DC
f
IN
= DC
-
-
-40
-
-
±0.75
±0.35
-
4
-
±1.75
±1.0
40
-
最低位
最低位
最低位
最低位
无失码
-
0.5
1
MSPS
无失码
无失码
无失码
20
40
60
-
-
-
-
-
-
MSPS
MSPS
MSPS
f
S
= 20MSPS ,女
IN
= 10MHz时
f
S
= 40MSPS ,女
IN
= 10MHz时
f
S
= 60MSPS ,女
IN
= 10MHz时
8.7
8.55
8.1
9
8.8
8.4
-
-
-
f
S
= 20MSPS ,女
IN
= 10MHz时
f
S
= 40MSPS ,女
IN
= 10MHz时
f
S
= 60MSPS ,女
IN
= 10MHz时
-
-
-
55.9
54.7
53.8
-
-
-
dB
dB
dB
f
S
= 20MSPS ,女
IN
= 10MHz时
f
S
= 40MSPS ,女
IN
= 10MHz时
f
S
= 60MSPS ,女
IN
= 10MHz时
f
S
= 20MSPS ,女
IN
= 10MHz时
f
S
= 40MSPS ,女
IN
= 10MHz时
-
-
-
55.9
55
54
-
-
-
dB
dB
dB
-
-
-71
-65
-
-
dBc的
dBc的
4
HI5767
电气连接特定的阳离子
AV
CC
DV
CC1
= 5.0V , DV
CC2
= 3.0V; V
REFIN
= V
REFOUT
; f
S
= 40MSPS时占空比为50% ;
C
L
= 10pF的;牛逼
A
= 25
o
℃;差分模拟输入;典型值是在25测试结果
o
C,
除非另有规定编
(续)
测试条件
f
S
= 60MSPS ,女
IN
= 10MHz时
f
S
= 20MSPS ,女
IN
= 10MHz时
f
S
= 40MSPS ,女
IN
= 10MHz时
f
S
= 60MSPS ,女
IN
= 10MHz时
f
S
= 20MSPS ,女
IN
= 10MHz时
f
S
= 40MSPS ,女
IN
= 10MHz时
f
S
= 60MSPS ,女
IN
= 10MHz时
f
S
= 20MSPS ,女
IN
= 10MHz时
f
S
= 40MSPS ,女
IN
= 10MHz时
f
S
= 60MSPS ,女
IN
= 10MHz时
f
1
= 1MHz的,女
2
= 1.02MHz
f
S
= 17.72MHz ,6个步骤,国防部匝道
f
S
= 17.72MHz ,6个步骤,国防部匝道
(注2 )
0.2V高速(注2 )
-
典型值
-64.5
最大
-
单位
dBc的
参数
HI5767/6
二阶谐波失真
HI5767/2
HI5767/4
HI5767/6
3次谐波失真
HI5767/2
HI5767/4
HI5767/6
无杂散动态范围, SFDR
HI5767/2
HI5767/4
HI5767/6
互调失真, IMD
微分增益误差
差分相位误差
瞬态响应
过电压恢复
模拟量输入
最大峰峰值差分模拟输入
范围(V
IN
+ - V
IN
-)
最大峰峰值单端
模拟输入范围
模拟量输入电阻,R
IN
模拟量输入电容,C
IN
模拟量输入偏置电流,I
B
+或I
B
-
差分模拟输入偏置电流
I
则bdiff
= (I
B
+ - I
B
-)
全功率输入带宽, FPBW
模拟输入共模电压范围
(V
IN
+ + V
IN
-) / 2
内部参考电压
参考电压输出,V
REFOUT
(加载)
参考输出电流,I
REFOUT
参考温度系数
参考电压输入
参考电压输入,V
REFIN
总参考电阻,R
REFIN
参考输入电流,I
REFIN
直流偏置电压
直流偏置电压输出,V
DC
最大输出电流
(注3)
(注3)
(注3)
-
-
-
-76
-73
-70
-
-
-
dBc的
dBc的
dBc的
-
-
-
-80
-69
-67
-
-
-
dBc的
dBc的
dBc的
-
-
-
-
-
-
-
-
76
69
67
64
0.5
0.2
1
1
-
-
-
-
-
-
-
-
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
%
周期
周期
-
-
-
-
-10
-
-
差模(注2 )
0.25
±0.5
1.0
1
10
-
±0.5
250
-
-
-
-
-
+10
-
-
4.75
V
V
M
pF
A
A
兆赫
V
-
-
-
2.5
1
120
-
2
-
V
mA
PPM /
o
C
-
-
-
2.5
2.5
1
-
-
-
V
k
mA
-
-
3.0
-
-
0.2
V
mA
5
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