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HI5766
数据表
1999年2月
文件编号4130.5
10位, 60 MSPS A / D转换器
的HI5766是单片, 10位模拟 - 数字
转换器制造中的CMOS工艺。它被设计为
高速应用中的宽带宽和低
功率消耗是必要的。其60 MSPS速度
得以实现的一个完全差分流水线架构
具有内部采样和保持。
该HI5766具有优良的动态性能的同时,
功耗仅为260MW功率为60 MSPS 。数据输出
设置锁存器,其呈现有效的数据到输出
总线与7个时钟周期的等待时间。它的引脚对引脚
与HI5702 , HI5703和功能上兼容
HI5746.
用于内部电压参考,请参阅HI5767
数据表。
特点
采样率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60 MSPS
8.3位在f
IN
= 10MHz时
低功耗的60 MSPS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260MW
宽全功率输入带宽。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250MHz的
片上采样和保持
全差分或单端模拟输入
单电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V
TTL / CMOS兼容数字输入
CMOS兼容的数字输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.0 / 5.0V
偏移二进制或二进制补码输出格式
应用
专业视频数字化
医学影像
数字通信系统
高速数据采集
订购信息
部分
HI5766KCB
HI5766KCA
HI5766EVAL1
温度。
RANGE (
o
C)
0到70
0到70
25
28 Ld的SOIC ( W)
28 Ld的SSOP
评估板
PKG 。
M28.3
M28.15
引脚
HI5766
( SOIC , SSOP )
顶视图
DV
CC1
1
DGND 2
DV
CC1
3
DGND 4
AV
CC
5
AGND 6
V
REF
+ 7
V
REF
- 8
V
IN
+ 9
V
IN
- 10
V
DC
11
AGND 12
AV
CC
13
OE 14
28 D0
27 D1
26 D2
25 D3
24 D4
23 DV
CC2
22 CLK
21 DGND
20 D5
19 D6
18 D7
17 D8
16 D9
15 DFS
31
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司1999
HI5766
功能框图
V
DC
V
IN
-
V
IN
+
S / H
BIAS
时钟
CLK
第1阶段
DFS
2-BIT
FL灰
2-BIT
DAC
OE
+
-
DV
CC2
X2
D9 (MSB)
D8
D7
D6
8级
DIGITAL DELAY
数字误差
更正
D5
D4
D3
2-BIT
FL灰
2-BIT
DAC
D2
D1
+
D0 ( LSB )
-
X2
DGND2
STAGE 9
2-BIT
FL灰
AV
CC
AGND
DV
CC1
DGND1
V
REF
+
V
REF
- (可选)
32
HI5766
典型应用原理图
HI5766
2.5V
2.0V
(可选)
V
REF
+ (7)
V
REF
- (8)
( LSB ) ( 28 ) D0
(27) D1
AGND ( 12 )
AGND ( 6 )
DGND1 (2)
DGND1 (4)
DGND2 (21)
(26) D2
(25) D3
(24) D4
(20) D5
(19) D6
(18) D7
(17) D8
(MSB) (16) D9
V
IN
+
V
IN
+ (9)
V
DC
(11)
V
IN
-
V
IN
- (10)
(1) DV
CC1
(3) DV
CC1
(23)的DV
CC2
0.1F
时钟
CLK (22)
DFS ( 15 )
OE ( 14 )
(13)的AV
CC
(5)的AV
CC
0.1F
+
10F
+5V
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
10μF和0.1μF CAPS
尽可能接近放置后
TO部分地
+
10F
+5V
DGND
AGND
BNC
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
名字
DV
CC1
DGND1
DV
CC1
DGND1
AV
CC
AGND
V
REF
+
V
REF
-
V
IN
+
V
IN
-
V
DC
AGND
AV
CC
OE
描述
数字电源( + 5.0V ) 。
数字地。
数字电源( + 5.0V ) 。
数字地。
模拟电源( + 5.0V ) 。
模拟地。
+ 2.5V正参考电压
输入。
+ 2.0V负参考电压
输入(可选) 。
正模拟输入。
24
负模拟输入。
25
直流偏置电压输出。
26
模拟地。
27
13
14
模拟电源( + 5.0V ) 。
28
数字输出使能控制输入。
D0
数据位0输出( LSB ) 。
D1
数据位1输出。
D2
数据位2输出。
D3
数据位3输出。
D4
数据位4输出。
PIN号
15
16
17
18
19
20
21
22
8
23
名字
DFS
D9
D8
D7
D6
D5
DGND2
CLK
DV
CC2
描述
数据格式选择输入。
数据位9输出( MSB) 。
数据位8输出。
数据位7输出。
数据位6输出。
数据第5位输出。
数字地。
采样时钟输入。
数字输出电源
( + 3.0V或+ 5.0V ) 。
9
10
11
12
33
HI5766
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
70
SSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
电源电压, AV
CC
或DV
CC
到AGND或DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6V
DGND至AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3V
数字I / O引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 DGND至DV
CC
模拟量I / O引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 AGND至AV
CC
工作条件
温度范围
HI5766KCB (典型值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
AV
CC
DV
CC1
= 5.0V , DV
CC2
= 3.0V; V
REF
+ = 2.5V; V
REF
- = 2.0V ; F
S
= 60 MSPS ,在占空比为50% ;
C
L
= 10pF的;牛逼
A
= 25
o
℃;差分模拟输入;典型值是在25测试结果
o
C,
除非另有规定编
测试条件
典型值
最大
单位
参数
准确性
决议
积分线性误差, INL
微分线性误差, DNL
(保证无失码)
失调误差,V
OS
满量程误差, FSE
动态特性
最小转换速率
最大转化率
有效位数, ENOB
信噪比和失真比, SINAD
RMS信号
= -------------------------------------------------------------
-
RMS噪声+失真
信号噪声比,信噪比
RMS信号
= ------------------------------
-
RMS噪声
总谐波失真THD
二阶谐波失真
3次谐波失真
无杂散动态范围, SFDR
互调失真, IMD
微分增益误差
差分相位误差
瞬态响应
过电压恢复
模拟量输入
最大峰峰值差分模拟输入
范围(V
IN
+ - V
IN
-)
最大峰峰值单端
模拟输入范围
模拟量输入电阻,R
IN
模拟量输入电容,C
IN
模拟量输入偏置电流,I
B
+或I
B
-
(注3)
(注3)
f
IN
= DC
f
IN
= DC
f
IN
= DC
f
IN
= DC
10
-
-
-40
-
-
±1.0
±0.5
12
4
-
±2.0
±1.0
+40
-
最低位
最低位
最低位
最低位
无失码
无失码
f
IN
= 10MHz时
f
IN
= 10MHz时
-
60
-
-
0.5
-
8.3
51.7
1
-
-
-
MSPS
MSPS
dB
f
IN
= 10MHz时
-
53.7
-
dB
f
IN
= 10MHz时
f
IN
= 10MHz时
f
IN
= 10MHz时
f
IN
= 10MHz时
f
1
= 1MHz的,女
2
= 1.02MHz
f
S
= 17.72 MSPS ,6个步骤,国防部匝道
f
S
= 17.72 MSPS ,6个步骤,国防部匝道
(注2 )
0.2V高速(注2 )
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-56.2
-61.6
-58.1
58.1
62
0.8
0.1
1
1
±0.5
1.0
1
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
%
周期
周期
-
-
-
-
-10
-
-
-
-
+10
V
V
M
pF
A
34
HI5766
电气连接特定的阳离子
AV
CC
DV
CC1
= 5.0V , DV
CC2
= 3.0V; V
REF
+ = 2.5V; V
REF
- = 2.0V ; F
S
= 60 MSPS ,在占空比为50% ;
C
L
= 10pF的;牛逼
A
= 25
o
℃;差分模拟输入;典型值是在25测试结果
o
C,
除非另有规定编
(续)
测试条件
(注3)
-
-
差模(注2 )
0.25
典型值
±0.5
250
-
最大
-
-
4.75
单位
A
兆赫
V
参数
差分模拟输入偏置电流
I
则bdiff
= (I
B
+ - I
B
-)
全功率输入带宽, FPBW
模拟输入共模电压范围
(V
IN
+ + V
IN
-) / 2
参考输入
总参考电阻,R
L
参考电流
正参考电压输入,V
REF
+
负参考电压输入,V
REF
-
参考文献共模电压
(V
REF
+ + V
REF
-) / 2
直流偏置电压
直流偏置电压输出,V
DC
最大输出电流
数字输入
输入逻辑高电压,V
IH
输入逻辑低电压,V
IL
输入逻辑高电流,I
IH
输入逻辑低电流,I
IL
输入电容,C
IN
数字输出
输出逻辑高电压,V
OH
输出逻辑低电压,V
OL
输出三态泄漏电流,I
OZ
输出逻辑高电压,V
OH
输出逻辑低电压,V
OL
输出三态泄漏电流,I
OZ
输出电容,C
OUT
时序特性
孔径延迟,T
AP
孔径抖动,T
AJ
数据输出保持,T
H
数据输出延迟,T
OD
数据输出使能时间,t
EN
数据输出使能时间,t
DIS
数据延迟,T
LAT
电初始化
电源特性
模拟电源电压, AV
CC
数字供电电压, DV
CC1
数字输出电源电压, DV
CC2
电源电流,我
CC
功耗
在3.0V
在5.0V
(注2 )
(注2 )
(注2 )
-
-
-
-
-
2.5K
1.0
2.5
2.0
2.25
-
-
-
-
-
mA
V
V
V
-
-
3.2
-
-
0.4
V
mA
CLK , DFS , OE
CLK , DFS , OE
CLK , DFS , OE ,V
IH
= 5V
CLK , DFS , OE ,V
IL
= 0V
2.0
-
-10.0
-10.0
-
-
-
-
-
7
-
0.8
+10.0
+10.0
-
V
V
A
A
pF
I
OH
= 100μA ; DV
CC2
= 5V
I
OL
= 100μA ; DV
CC2
= 5V
V
O
= 0 / 5V; DV
CC2
= 5V
I
OH
= 100μA ; DV
CC2
= 3V
I
OL
= 100μA ; DV
CC2
= 3V
V
O
= 0 / 5V; DV
CC2
= 3V
4.0
-
-
2.4
-
-
-
-
-
±1
-
-
±1
10
-
0.5
±10
-
0.5
±10
-
V
V
A
V
V
A
pF
-
-
-
-
-
-
对于一个有效的样本(注2 )
数据无效的时间(注2)
-
-
5
5
7
8
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
7
20
ns
ps
RMS
ns
ns
ns
ns
周期
周期
4.75
4.75
2.7
4.75
-
-
5.0
5.0
3.0
5.0
52
260
5.25
5.25
3.3
5.25
-
-
V
V
V
V
mA
mW
V
IN
+ - V
IN
- = 1.25V和DFS = “ 0 ”
V
I
+ - V
IN
- = 1.25V和DFS = “ 0 ”
35
HI5766
TM
数据表
2005年3月30日
FN4130.6
10位,60Msps A / D转换器
的HI5766是单片, 10位模拟 - 数字
转换器制造中的CMOS工艺。它被设计为
高速应用中的宽带宽和低
功率消耗是必要的。其60MSPS速度
得以实现的一个完全差分流水线架构
具有内部采样和保持。
该HI5766具有优良的动态性能的同时,
功耗仅为260MW功率60MSPS 。数据输出
设置锁存器,其呈现有效的数据到输出
总线与7个时钟周期的等待时间。它的引脚对引脚
与HI5702 , HI5703和功能上兼容
HI5746.
用于内部电压参考,请参阅HI5767
数据表。
特点
采样率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60MSPS
8.3位在f
IN
= 10MHz时
低功耗的60MSPS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260MW
宽全功率输入带宽。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250MHz的
片上采样和保持
全差分或单端模拟输入
单电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V
TTL / CMOS兼容数字输入
CMOS兼容的数字输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.0 / 5.0V
偏移二进制或二进制补码输出格式
无铅可(符合RoHS )
订购信息
部分
HI5766KCB
HI5766KCBZ
(见注)
HI5766KCA
HI5766KCAZ
(见注)
HI5766EVAL1
温度。
RANGE (
o
C)
0到70
0到70
0到70
0到70
25
28 Ld的SOIC ( W)
28 Ld的SOIC ( W)
(无铅)
28 Ld的SSOP
28 Ld的SSOP
(无铅)
评估板
PKG 。
M28.3
M28.3
M28.15
M28.15
应用
专业视频数字化
医学影像
数字通信系统
高速数据采集
引脚
HI5766
( SOIC , SSOP )
顶视图
DV
CC1
1
DGND 2
DV
CC1
3
DGND 4
AV
CC
5
AGND 6
V
REF
+ 7
V
REF
- 8
V
IN
+ 9
V
IN
- 10
V
DC
11
AGND 12
AV
CC
13
OE 14
28 D0
27 D1
26 D2
25 D3
24 D4
23 DV
CC2
22 CLK
21 DGND
20 D5
19 D6
18 D7
17 D8
16 D9
15 DFS
注: Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成,
模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡板
终止完成,这是符合RoHS标准,兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅产品
MSL在达到或无铅峰值回流温度
超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-352-6832
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2000年, 2005年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HI5766
功能框图
V
DC
V
IN
-
V
IN
+
S / H
BIAS
时钟
CLK
第1阶段
DFS
2-BIT
FL灰
2-BIT
DAC
OE
+
-
DV
CC2
X2
D9 (MSB)
D8
D7
D6
8级
DIGITAL DELAY
数字误差
更正
D5
D4
D3
2-BIT
FL灰
2-BIT
DAC
D2
D1
+
D0 ( LSB )
-
X2
DGND2
STAGE 9
2-BIT
FL灰
AV
CC
AGND
DV
CC1
DGND1
V
REF
+
V
REF
- (可选)
2
HI5766
典型应用原理图
HI5766
2.5V
2.0V
(可选)
V
REF
+ (7)
V
REF
- (8)
( LSB ) ( 28 ) D0
(27) D1
AGND ( 12 )
AGND ( 6 )
DGND1 (2)
DGND1 (4)
DGND2 (21)
(26) D2
(25) D3
(24) D4
(20) D5
(19) D6
(18) D7
(17) D8
(MSB) (16) D9
V
IN
+
V
IN
+ (9)
V
DC
(11)
V
IN
-
V
IN
- (10)
(1) DV
CC1
(3) DV
CC1
(23)的DV
CC2
0.1F
时钟
CLK (22)
DFS ( 15 )
OE ( 14 )
(13)的AV
CC
(5)的AV
CC
0.1F
+
10F
+5V
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
10μF和0.1μF CAPS
尽可能接近放置后
TO部分地
+
10F
+5V
DGND
AGND
BNC
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
名字
DV
CC1
DGND1
DV
CC1
DGND1
AV
CC
AGND
V
REF
+
V
REF
-
V
IN
+
V
IN
-
V
DC
AGND
AV
CC
OE
描述
数字电源( + 5.0V ) 。
数字地。
数字电源( + 5.0V ) 。
数字地。
模拟电源( + 5.0V ) 。
模拟地。
+ 2.5V正参考电压
输入。
+ 2.0V负参考电压
输入(可选) 。
正模拟输入。
负模拟输入。
直流偏置电压输出。
模拟地。
模拟电源( + 5.0V ) 。
数字输出使能控制输入。
引脚说明
PIN号
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
名字
DFS
D9
D8
D7
D6
D5
DGND2
CLK
DV
CC2
D4
D3
D2
(续)
描述
数据格式选择输入。
数据位9输出( MSB) 。
数据位8输出。
数据位7输出。
数据位6输出。
数据第5位输出。
数字地。
采样时钟输入。
数字输出电源
( + 3.0V或+ 5.0V ) 。
数据位4输出。
数据位3输出。
数据位2输出。
27
28
D1
D0
数据位1输出。
数据位0输出( LSB ) 。
3
HI5766
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C
电源电压, AV
CC
或DV
CC
到AGND或DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6V
DGND至AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3V
数字I / O引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 DGND至DV
CC
模拟量I / O引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 AGND至AV
CC
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
工作条件
温度范围
HI5766KCB (典型值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
70
SSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
AV
CC
DV
CC1
= 5.0V , DV
CC2
= 3.0V; V
REF
+ = 2.5V; V
REF
- = 2.0V ; F
S
= 60 MSPS ,在占空比为50% ;
C
L
= 10pF的;牛逼
A
= 25
o
℃;差分模拟输入;典型值是在25测试结果
o
C,
除非另有说明
测试条件
典型值
最大
单位
参数
准确性
决议
积分线性误差, INL
微分线性误差, DNL
(保证无失码)
失调误差,V
OS
满量程误差, FSE
动态特性
最小转换速率
最大转化率
有效位数, ENOB
信噪比和失真比, SINAD
RMS信号
= -------------------------------------------------------------
-
RMS噪声+失真
信号噪声比,信噪比
RMS信号
= ------------------------------
-
RMS噪声
总谐波失真THD
二阶谐波失真
3次谐波失真
无杂散动态范围, SFDR
互调失真, IMD
微分增益误差
差分相位误差
瞬态响应
过电压恢复
f
IN
= DC
f
IN
= DC
f
IN
= DC
f
IN
= DC
10
-
-
-40
-
-
±1.0
±0.5
12
4
-
±2.0
±1.0
+40
-
最低位
最低位
最低位
最低位
无失码
无失码
f
IN
= 10MHz时
f
IN
= 10MHz时
-
60
-
-
0.5
-
8.3
51.7
1
-
-
-
MSPS
MSPS
dB
f
IN
= 10MHz时
-
53.7
-
dB
f
IN
= 10MHz时
f
IN
= 10MHz时
f
IN
= 10MHz时
f
IN
= 10MHz时
f
1
= 1MHz的,女
2
= 1.02MHz
f
S
= 17.72 MSPS ,6个步骤,国防部匝道
f
S
= 17.72 MSPS ,6个步骤,国防部匝道
(注2 )
0.2V高速(注2 )
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-56.2
-61.6
-58.1
58.1
62
0.8
0.1
1
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
%
周期
周期
4
HI5766
电气规格
AV
CC
DV
CC1
= 5.0V , DV
CC2
= 3.0V; V
REF
+ = 2.5V; V
REF
- = 2.0V ; F
S
= 60 MSPS ,在占空比为50% ;
C
L
= 10pF的;牛逼
A
= 25
o
℃;差分模拟输入;典型值是在25测试结果
o
C,
除非另有说明
(续)
测试条件
典型值
最大
单位
参数
模拟量输入
最大峰峰值差分模拟输入
范围(V
IN
+ - V
IN
-)
最大峰峰值单端
模拟输入范围
模拟量输入电阻,R
IN
模拟量输入电容,C
IN
模拟量输入偏置电流,I
B
+或I
B
-
差分模拟输入偏置电流
I
则bdiff
= (I
B
+ - I
B
-)
全功率输入带宽, FPBW
模拟输入共模电压范围
(V
IN
+ + V
IN
-) / 2
参考输入
总参考电阻,R
L
参考电流
正参考电压输入,V
REF
+
负参考电压输入,V
REF
-
参考文献共模电压
(V
REF
+ + V
REF
-) / 2
直流偏置电压
直流偏置电压输出,V
DC
最大输出电流
数字输入
输入逻辑高电压,V
IH
输入逻辑低电压,V
IL
输入逻辑高电流,I
IH
输入逻辑低电流,I
IL
输入电容,C
IN
数字输出
输出逻辑高电压,V
OH
输出逻辑低电压,V
OL
输出三态泄漏电流,I
OZ
输出逻辑高电压,V
OH
输出逻辑低电压,V
OL
输出三态泄漏电流,I
OZ
输出电容,C
OUT
(注2 )
(注2 )
(注2 )
(注3)
(注3)
(注3)
-
-
-
-
-10
-
-
差模(注2 )
0.25
±0.5
1.0
1
10
-
±0.5
250
-
-
-
-
-
+10
-
-
4.75
V
V
M
pF
A
A
兆赫
V
-
-
-
-
-
2.5K
1.0
2.5
2.0
2.25
-
-
-
-
-
mA
V
V
V
-
-
3.2
-
-
0.4
V
mA
CLK , DFS , OE
CLK , DFS , OE
CLK , DFS , OE ,V
IH
= 5V
CLK , DFS , OE ,V
IL
= 0V
2.0
-
-10.0
-10.0
-
-
-
-
-
7
-
0.8
+10.0
+10.0
-
V
V
A
A
pF
I
OH
= 100μA ; DV
CC2
= 5V
I
OL
= 100μA ; DV
CC2
= 5V
V
O
= 0 / 5V; DV
CC2
= 5V
I
OH
= 100μA ; DV
CC2
= 3V
I
OL
= 100μA ; DV
CC2
= 3V
V
O
= 0 / 5V; DV
CC2
= 3V
4.0
-
-
2.4
-
-
-
-
-
±1
-
-
±1
10
-
0.5
±10
-
0.5
±10
-
V
V
A
V
V
A
pF
5
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