HI5746
数据表
2004年7月
FN4129.5
10位， 40MSPS的A / D转换器
的HI5746是单片， 10位模拟 - 数字
转换器制造中的CMOS工艺。它被设计为
高速应用中的宽带宽和低
功率消耗是必要的。其40MSPS速度
得以实现的一个完全差分流水线架构
具有内部采样和保持。
该HI5746具有优良的动态性能的同时，
仅消耗为225mW功率40MSPS 。数据输出
设置锁存器，其呈现有效的数据到输出
总线与7个时钟周期的等待时间。它的引脚对引脚
与HI5702和HI5703功能兼容。
用于内部电压参考，请参阅HI5767
数据表。
特点
采样率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40MSPS
8.8位在f
IN
= 10MHz时
低功耗的40MSPS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为225mW
宽全功率输入带宽。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250MHz的
片上采样和保持
全差分或单端模拟输入
单电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V
TTL / CMOS兼容数字输入
CMOS兼容的数字输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.0 / 5.0V
偏移二进制或二进制补码输出格式
无铅可用
PKG 。
DWG 。 ＃
M28.3
M28.3
订购信息
部分
数
HI5746KCB
HI5746KCBZ
（注）
HI5746KCBZ-T
（注）
HI5746KCA
HI5746KCAZ
（注）
HI5746EVAL1
温度。
范围（° C）
0到70
0到70
包
28 Ld的SOIC （ W）
28 Ld的SOIC （ W）
（无铅）
应用
专业视频数字化
医学影像
数字通信系统
高速数据采集
28 Ld的SOIC （ W）卷带式
（无铅）
0到70
0到70
28 Ld的SSOP
28 Ld的SSOP
（无铅）
评估板
M28.3
引脚
HI5746
（ SOIC ， SSOP ）
顶视图
DV
CC1
1
DGND1 2
DV
CC1
3
DGND1 4
AV
CC
5
AGND 6
V
REF
+ 7
V
REF
- 8
V
IN
+ 9
V
IN
- 10
V
DC
11
AGND 12
AV
CC
13
OE 14
28 D0
27 D1
26 D2
25 D3
24 D4
23 DV
CC2
22 CLK
21 DGND2
20 D5
19 D6
18 D7
17 D8
16 D9
15 DFS
M28.15
M28.15
25
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡
板终止完成，这是既锡铅和兼容
无铅焊接操作。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020B的无铅要求。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
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版权所有Intersil公司美洲1999年， 2004年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HI5746
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C
电源电压， AV
CC
或DV
CC
到AGND或DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .6V
DGND至AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3V
数字I / O引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 DGND至DV
CC
模拟量I / O引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .AGND到AV
CC
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
工作条件
温度范围
HI5746KCB （典型值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
70
SSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
-
65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
（ SOIC ， SSOP - 导线头只）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
AV
CC
DV
CC1
= 5.0V ; DV
CC2
= 3.0V, V
REF
+ = 2.5V; V
REF
- = 2.0V ; F
S
= 40 MSPS ，在占空比为50％ ;
C
L
= 10pF的;牛逼
A
= 25
o
℃;差分模拟输入;典型值是在25测试结果
o
C,
除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大
单位
参数
准确性
决议
积分线性误差， INL
微分线性误差， DNL
（保证无失码）
失调误差，V
OS
满量程误差， FSE
动态特性
最小转换速率
最大转化率
有效位数， ENOB
信噪比和失真比， SINAD
RMS信号
=
-------------------------------------------------------------
-
RMS噪声+失真
信号噪声比，信噪比
RMS信号
=
------------------------------
-
RMS噪声
总谐波失真THD
二阶谐波失真
3次谐波失真
无杂散动态范围， SFDR
互调失真， IMD
微分增益误差
差分相位误差
瞬态响应
过电压恢复
f
IN
= DC
f
IN
= DC
f
IN
= DC
f
IN
= DC
10
-
-
-
±1.0
±0.5
-
±2.0
±1.0
位
最低位
最低位
-40
-
12
4
40
-
最低位
最低位
无失码
无失码
f
IN
= 10MHz时
f
IN
= 10MHz时
-
40
8.55
53.2
0.5
-
8.8
54.9
1
-
-
-
MSPS
MSPS
位
dB
f
IN
= 10MHz时
53.2
55.4
-
dB
f
IN
= 10MHz时
f
IN
= 10MHz时
f
IN
= 10MHz时
f
IN
= 10MHz时
f
1
= 1MHz的，女
2
= 1.02MHz
f
S
= 17.72 MSPS ，6个步骤，国防部匝道
f
S
= 17.72 MSPS ，6个步骤，国防部匝道
（注2 ）
0.2V高速（注2 ）
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-64.6
-67.8
-68.3
67.8
64
0.8
0.1
1
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
%
度
周期
周期
4
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