HI5741
数据表
2006年9月20日
FN4071.12
14位， 100MSPS ，高速D / A
变流器
该HI5741是一款14位， 100MSPS ，D / A转换器，它是
在Intersil的10V的BiCMOS （ HBC - 10）的过程中实现的。
从+ 5V和-5.2V操作时，转换器提供
满量程输出电流20.48毫安并包括一个输入
数据寄存器和带隙基准电压源。低干扰
能源和出色的频域表现
实现了用分段架构。数字输入
为TTL / CMOS兼容，并在内部转换为ECL 。
所有内部逻辑在ECL实施，以实现高
开关速度，低噪音。加激光
修整确保14位线性沿保持
整个传递曲线。
特点
吞吐率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100MSPS
低功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .650mW
积分线性误差。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1 LSB
低毛刺能量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1PV -S
TTL / CMOS兼容输入
改进的保持时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.25ns
卓越的无杂散动态范围
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
蜂窝基站
无线通信
订购信息
部分
数
HI5741BIB
HI5741BIB-T
HI5741BIBZ
（注）
部分
记号
HI5741BIB
HI5741BIB
HI5741BIBZ
温度。
范围（° C）
-40至+85
PKG 。
包装DWG 。 ＃
28 Ld的SOIC M28.3
直接数字频率合成
信号重构
测试设备
高分辨率成像系统
任意波形发生器
28 Ld的SOIC卷带M28.3
-40至+85
28 Ld的SOIC M28.3
（无铅）
HI5741BIBZ -T HI5741BIBZ 28 Ld的SOIC卷带M28.3
（注）
（无铅）
HI5741-EVS
+25
评估板
（ SOIC ）
引脚
HI5741
（ 28 LD SOIC ）
顶视图
D13 （MSB） 1
D12 2
D11 3
D10 4
D9 5
D8 6
D7 7
D6 8
D5 9
D4 10
D3 11
D2 12
D1 13
D0 （ LSB ） 14
28 DGND
27 AGND
26 REF OUT
25 CTRL AMP OUT
24 CTRL AMP IN
23 R
SET
22 AV
EE
21 I
OUT
20 I
OUT
19 ARTN
18 DV
EE
17 DGND
16 DV
CC
15个时钟
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡
板终止完成，这是既锡铅和兼容
无铅焊接操作。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020B的无铅要求。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
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版权所有 Intersil公司美洲2000年， 2001年， 2003年， 2004年， 2006年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HI5741
绝对最大额定值
T
A
= +25°C
数字电源电压V
CC
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5.5V
消极的数字电源电压DV
EE
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5.5V
负模拟电源电压AV
EE
到AGND ， ARTN 。 。 。 。 -5.5V
数字输入电压（ D13 - D0 ， CLK）到DGND 。 。 。 。 。 DV
CC
为-0.5V
内部基准电压的输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±2.5mA
从AMP CTRL电压为AV
EE
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.5V至0V
控制扩增fi er输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±2.5mA
参考输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -3.7V至AV
EE
模拟输出电流（I
OUT
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
（ ° C / W）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
70
最高结温
HI5741BIx 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
AV
EE
， DV
EE
= -4.94V到-5.46V ，V
CC
= 4.75至+ 5.25V ，V
REF
=内部，
T
A
= +25°C
HI5741BI
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
参数
系统性能
决议
积分线性误差， INL
（注5 ）
微分线性误差， DNL
失调误差，我
OS
满量程增益误差， FSE
满量程增益漂移
偏移漂移COEF网络cient
满量程输出电流，I
FS
输出电压范围符合
动态特性
吞吐率
输出电压建立时间
(
1
/
16
跨段次量表步）
单毛刺区， GE （峰）
输出压摆率
输出上升时间
输出下降时间
一个窗口内的无杂散动态范围
（注4 ）
（注4 ）
（注4 ）
测试条件
民
14
典型值
-
±1.0
-
±0.5
8
3.2
±150
-
-20.48
-
-
11
20
1
1,000
675
470
87
77
75
80
78
79
最大
-
1.5
1.75
1.0
75
10
-
0.05
-
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
位
最低位
最低位
最低位
A
%
PPM
FSR /°C的
μA /°C的
mA
V
MSPS
ns
ns
的pV -S
V / μs的
ps
ps
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
“最佳拟合直线” ，T
A
= +25°C
“最佳拟合直线” ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C
（注5 ）T
A
= +25°C
（注5 ）
（注3,5）
具内部基准
（注4 ）
-1.5
-1.75
-1.0
-
-
-
-
-
-1.25
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
R
L
= 64Ω （注4 ） - 沉降至0.024 ％
R
L
= 64Ω （注4 ） - 沉降至0.012 ％
R
L
= 64Ω （注4 ）
R
L
= 64Ω ， DAC工作在锁存模式（注4 ）
R
L
= 64Ω ， DAC工作在锁存模式（注4 ）
R
L
= 64Ω ， DAC工作在锁存模式（注4 ）
f
CLK
= 10 MSPS ，女
OUT
=控制，1.23MHz ，跨度为2MHz
f
CLK
= 20 MSPS ，女
OUT
= 5.055MHz ，跨度为2MHz
f
CLK
= 40 MSPS ，女
OUT
= 16MHz的， 10MHz的跨度
f
CLK
= 50 MSPS ，女
OUT
= 10.1MHz ，跨度为2MHz
f
CLK
= 80 MSPS ，女
OUT
= 5.1MHz ， 2MHz的跨度
f
CLK
= 100 MSPS ，女
OUT
= 10.1MHz ，跨度为2MHz
3
FN4071.12
2006年9月20日
HI5741
电气规格
AV
EE
， DV
EE
= -4.94V到-5.46V ，V
CC
= 4.75至+ 5.25V ，V
REF
=内部，
T
A
= +25°C
（续）
HI5741BI
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
参数
无杂散动态范围为奈奎斯特
（注4 ）
测试条件
f
CLK
= 10 MSPS ，女
OUT
= 1.023MHz ， 5MHz的跨度
f
CLK
= 10 MSPS ，女
OUT
= 2.02MHz ， 5MHz的跨度
f
CLK
= 25 MSPS ，女
OUT
= 2.02MHz ， 12.5MHz的跨度
f
CLK
= 50 MSPS ，女
OUT
= 5.055MHz ， 25MHz的跨度
f
CLK
= 75 MSPS ，女
OUT
= 7.52MHz ， 37.5MHz跨度
f
CLK
= 100 MSPS ，女
OUT
= 10.1MHz ， 50MHz的跨度
多音功率比
（ MTPR ）
参考/控制放大器
内部基准电压，V
REF
内部参考电压漂移
内部基准电压灌/拉电流
能力
内部参考电压负载调节
放大器的输入阻抗
放大器的大信号带宽
放大器的小信号带宽
参考输入阻抗（ CTL IN）
参考输入乘法带宽（ CTL IN）
数字输入
（ D9 - D0 ， CLK ，反转）
输入逻辑高电压，V
IH
输入逻辑低电压，V
IL
输入逻辑电流，I
IH
输入逻辑电流，I
IL
数字输入电容，C
IN
时序特性
数据建立时间，t
SU
数据保持时间，t
HLD
传播延迟时间t
PD
CLK脉冲宽度，T
PW1
, t
PW2
电源特性
IV
EEA
IV
EED
IV
CCD
功耗
电源抑制比
注意事项：
2.额定功耗是在假设器件焊接到印刷电路板上的所有线索。
在满刻度输出电流与电流至R之间的比率作为误差3.增益误差
SET
（通常1.28毫安） 。理想情况下，
比例应为16 。
4.参数设计或特性，而不是生产测试保证。
5.所有设备都在+ 25 ℃下经过100％测试。
6.动态范围必须限制为合规范围内的1V摆动。
7.在测试MTPR ，音调频率范围从1.95MHz到3.05MHz 。的比率从峰值功率到峰值失真在测得的范围内
除去音调的区域。
（注5 ）
（注5 ）
（注5 ）
（注5 ）
V
CC
±5%,
V
EE
±5%
-
-
-
-
-
42
75
13
650
5
50
95
20
-
-
mA
mA
mA
mW
μA / V
见图1 （注4 ）
见图1 （注4 ）
见图1 （注4 ）
见图1 （注4 ）
3
0.5
-
1.0
2.0
0.25
4.5
0.85
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
（注5 ）
（注5 ）
（注5 ）
（注5 ）
（注4 ）
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
3.0
-
0.8
400
700
-
V
V
A
A
pF
（注5 ）
（注4 ）
（注4 ）
I
REF
= 0至我
REF
= -500A
（注4 ）
4.0V
P-P
正弦波输入，以限摆率（注4 ）
1.0V
P-P
正弦波输入，以-3dB损失（注4 ）
（注4 ）
R
L
= 50Ω ， 100mV的正弦波，以-3dB损失在我
OUT
（注4 ）
-1.27
-
-500
-
-
-
-
-
-
-1.23
50
-
100
3
1
5
12
75
-1.17
-
+50
-
-
-
-
-
-
V
μV/°C
A
V
M
兆赫
兆赫
k
兆赫
8个音调，不剪裁， 110kHz间距， 220kHz间距
音调图4和5中，f之间
CLK
= 20 MSPS （注7 ）
民
-
-
-
-
-
-
-
典型值
86
85
77
74
73
71
76
最大
-
-
-
-
-
-
-
单位
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
4
FN4071.12
2006年9月20日
HI5741
时序图
50%
CLK
D13-D0
误差带
V
毛刺面积=
1
/
2
（高x宽）
I
OUT
高度（H）的
t
PD
t
SETT
宽度（ w）的
T（ PS）
图1.全标度稳定时间框图
图2.峰值毛刺面积（单峰）测量
法
t
PW1
t
PW2
CLK
t
SU
t
HLD
D13-D0
t
SU
t
HLD
t
SU
t
HLD
50%
t
PD
t
SETT
I
OUT
t
PD
t
SETT
t
PD
t
SETT
图3.传播延迟，建立时间，保持时间和最小脉冲宽度框图
5
FN4071.12
2006年9月20日
QQ：2880707522 复制
