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UC牛逼
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BSO NDED R气口铈米/ TSC
O
ME
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il.co
COM技术注释w.inters
E
e
没有R
数据
T
ww
吨区R S I 1。·
ac
续-INTER
8
1-88
HI5721
2003年3月
FN3949.8
10位,125Msps ,高速D / A
变流器
该HI5721是一个10位, 125MSPS ,高速D / A
转换器。该转换器包括一个10位的输入数据
注册正交数据的逻辑能力和电流
输出。该HI5721具有低突波能量和优良
频域特定网络阳离子。
特点
吞吐率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125MSPS
低功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .700mW
积分线性误差。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 LSB
低毛刺能量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .1.5pV s的
TTL / CMOS兼容输入
改进的保持时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.5ns的
PKG 。
E28.6
M28.3
产品编号信息
部分
HI5721BIP
HI5721BIB
HI5721-EVP
HI5721-EVS
温度。
RANGE (
o
C)
-40到85
-40到85
25
25
28 Ld的PDIP
28 Ld的SOIC ( W)
卓越的无杂散动态范围
改进的第二个来源的AD9721
应用
无线通信
直接数字频率合成
信号重构
HDTV
测试设备
高分辨率成像系统
任意波形发生器
评估板( PDIP )
评估板( SOIC )
引脚
HI5721
( PDIP , SOIC )
顶视图
D9 (MSB) 1
D8 2
D7 3
D6 4
D5 5
D4 6
D3 7
D2 8
D1 9
D0 ( LSB ) 10
时钟11
NC 12
反转13
V
CC
14
28 DGND
27 DV
EE
26 CTRL AMP IN
25 REF OUT
24 CTRL AMP OUT
23 REF IN
22 AV
EE
21 I
OUT
20 I
OUT
19 ARTN
18 AGND
17 R
SET
16 DV
EE
15 DGND
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2003版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HI5721
典型应用电路
+5V
0.01F
V
CC
(14)
D9
D8
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
D9 (MSB) (1)
D8 (2)
D7 (3)
D6 (4)
D5 (5)
D4 (6)
D3 (7)
D2 (8)
D1 (9)
D0 (LSB )(10)
CLK (11)的
50
反转( 13 )
DGND ( 15 , 28 )
DV
EE
(16, 27)
0.1F
0.01F
- 5.2V ( DV
EE
)
64
(21) I
OUT
(17) R
SET
1960
(19) ARTN
( 18 ) AGND
( 22 ) AV
EE
0.01F
- 5.2V (AV
EE
)
0.1F
( 26 ) CTRL AMP IN
( 25 ) REF OUT
(20) I
OUT
64
D / A输出
( 24 ) CTRL AMP OUT
-5.2V ( AV
EE
)
( 23 ) REF IN
0.1F
HI5721
功能框图
QUADRATURE
逻辑
( LSB ) D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
(MSB) D9
4-BIT
解码器
15
15
227
15
交换的
当前
细胞
I
OUT
I
OUT
倒置
在REF
CLK
电压
参考
+
227
数据
缓冲器/
水平
6个LSB
当前
细胞
R2R
SLAVE
注册
ARTN
25
AMP CTRL
OUT
-
AV
EE
AGND
DV
EE
DGND
V
CC
REF OUT
R
SET
CTRL AMP IN
2
HI5721
绝对最大额定值
数字电源电压V
CC
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5.5V
消极的数字电源电压DV
EE
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5.5V
负模拟电源电压AV
EE
到AGND , ARTN 。 。 。 。 -5.5V
数字输入电压( D9 - D0 , CLK ,反转) 。 。 。 。 。 。 。 V
CC
至-0.5 V
内部基准电压的输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .500μA
控制扩增fi er输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 AGND至-4.0V
控制扩增fi er输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±2.5mA
参考输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -3.7 V至AV
EE
模拟输出电流(I
OUT
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
最大功率耗散
θ
JA
(
o
C / W )
55
70
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至85
o
C
HI5721BIx 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .750mW
最高结温
HI5721BIx 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
( SOIC - 只会提示)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
AV
EE
, DV
EE
= -4.94至-5.46V ,V
CC
= 4.75至+ 5.25V , CTRL AMP IN = REF OUT ,
T
A
= 25
o
下所有典型值
HI5721BI
T
A
= -40
o
C至85
o
C
参数
系统性能
决议
积分线性误差, INL
微分线性误差, DNL
失调误差,我
OS
满量程增益误差, FSE
偏移漂移COEF网络cient
满量程输出电流,I
FS
输出电压范围符合
动态特性
吞吐率
输出电压满刻度步沉降时间,t
SETT FS
输出电压小步骤沉降时间,t
SETT SM
单毛刺区, GE (峰值毛刺)
双峰毛刺区, (净毛刺)
输出压摆率
输出上升时间
输出下降时间
(注3)
(注3)
测试条件
典型值
最大
单位
10
(注4) ( “最佳”直线)
(注4 )
(注4 )
(注2,4)
(注3)
-
-
-
-
-
-
-1.5
-
±0.5
±0.5
16
2
0.1
-20.48
-
-
±1.5
±1.0
75
10
-
-
+3.0
最低位
最低位
A
%
A/
o
C
mA
V
125.0
-
-
-
-
-
4.5
3.5
3.5
1.5
1,000
675
470
-
-
-
-
-
-
-
-
MSPS
ns
ns
的pV -S
的pV -S
V / μs的
ps
ps
To
±0.5
LSB误差带R
L
= 50Ω (注3)
100mV的步骤来
±0.5
LSB误差带,R
L
= 50
(注3)
R
L
= 50Ω (注3)
R
L
= 50
,
DAC工作在锁存模式
(注3)
R
L
= 50
,
DAC工作在锁存模式
(注3)
R
L
= 50
,
DAC工作在锁存模式
(注3)
-
-
-
3
HI5721
电气规格
AV
EE
, DV
EE
= -4.94至-5.46V ,V
CC
= 4.75至+ 5.25V , CTRL AMP IN = REF OUT ,
T
A
= 25
o
下所有典型值
(续)
HI5721BI
T
A
= -40
o
C至85
o
C
参数
无杂散动态范围, SFDR到奈奎斯特
测试条件
f
CLK
= 125 MSPS ,女
OUT
= 2.02MHz ,中的62.5MHz
跨度(注3,5)
f
CLK
= 125 MSPS ,女
OUT
= 25MHz的,跨度的62.5MHz
(注3,5)
f
CLK
= 100 MSPS ,女
OUT
= 2.02MHz , 50MHz的跨度
(注3,5)
f
CLK
= 100 MSPS ,女
OUT
= 25MHz的, 50MHz的跨度
(注3,5)
无杂散动态范围, SFDR在一个
窗口
f
CLK
= 125 MSPS ,女
OUT
= 2.02MHz ,跨度为2MHz
(注3,5)
f
CLK
= 125 MSPS ,女
OUT
= 25MHz的,跨度为2MHz
(注3,5)
f
CLK
= 100 MSPS ,女
OUT
= 2.02MHz ,跨度为2MHz
(注3,5)
f
CLK
= 100 MSPS ,女
OUT
= 25MHz的,跨度为2MHz
(注3,5)
信噪比(SNR)的奈奎斯特
(忽略前5次谐波)
f
CLK
= 125 MSPS ,女
OUT
= 2.02MHz ,
(注3,5)
f
CLK
= 125 MSPS ,女
OUT
= 25MHz的
(注3,5)
f
CLK
= 100 MSPS ,女
OUT
= 2.02MHz ,
(注3,5)
f
CLK
= 100 MSPS ,女
OUT
= 25MHz的
(注3,5)
信噪比+失真(SINAD )到奈奎斯特
f
CLK
= 125 MSPS ,女
OUT
= 2.02MHz ,
(注3,5)
f
CLK
= 125 MSPS ,女
OUT
= 25MHz的
(注3,5)
f
CLK
= 100 MSPS ,女
OUT
= 2.02MHz ,
(注3,5)
f
CLK
= 100 MSPS ,女
OUT
= 25MHz的
(注3,5)
总谐波失真( THD )为奈奎斯特
f
CLK
= 125 MSPS ,女
OUT
= 2.02MHz ,
(注3,5)
f
CLK
= 125 MSPS ,女
OUT
= 25MHz的
(注3,5)
f
CLK
= 100 MSPS ,女
OUT
= 2.02MHz ,
(注3,5)
f
CLK
= 100 MSPS ,女
OUT
= 25MHz的
(注3,5)
互调失真( IMD )到奈奎斯特
f
CLK
= 125 MSPS ,女
OUT1
= 800kHz和
f
OUT2
= 900kHz的(注3,5)
f
CLK
= 100 MSPS ,女
OUT1
= 800kHz和
f
OUT2
= 900kHz的(注3,5)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-59
-53
-59
-51
-75
-70
-75
-72
54
51.5
54.5
50.3
52.4
49.2
52.7
47.6
-57.8
-53.3
-57.9
-51
57.3
57.2
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dB
dB
4
HI5721
电气规格
AV
EE
, DV
EE
= -4.94至-5.46V ,V
CC
= 4.75至+ 5.25V , CTRL AMP IN = REF OUT ,
T
A
= 25
o
下所有典型值
(续)
HI5721BI
T
A
= -40
o
C至85
o
C
参数
参考/控制放大器
内部基准电压, REF OUT
内部参考电压漂移
内部基准电压灌/拉电流
能力
放大器的输入阻抗
放大器的大信号带宽
放大器的小信号带宽
参考输入阻抗
参考输入乘法带宽
数字输入
( D9 - D0 , CLK ,反转)
输入逻辑高电压,V
IH
输入逻辑低电压,V
IL
输入逻辑电流,I
IH
输入逻辑电流,I
IL
数字输入电容,C
IN
时序特性
数据建立时间,t
SU
数据保持时间,t
HLD
传播延迟时间t
PD
CLK脉冲宽度,T
PW1
, t
PW2
电源特性研究
IDV
EE
IAV
EE
V
CC
功耗
电源抑制比
注意事项:
在满刻度输出电流与电流至R之间的比率作为误差2.增益误差
SET
(通常640μA ) 。理想情况下,
比例应为32 。
3.参数设计或特性,而不是生产测试保证。
4.所有设备均在25 100%测试
o
C. 100%的生产在极端温度下的军用温度器件测试,样品测试
工业温度的设备。
5.在不外接滤波光谱测量。
(注4 )
(注4 )
(注4 )
(注4 )
V
CC
±5%,
V
EE
±5%
-
-
-
-
-
100
-
14
700
50
110
15
25
775
-
mA
mA
mA
mW
μA / V
参见图3 (注3)
参见图3 (注3)
参见图3 (注3)
参见图3 (注3)
2.0
0.5
-
1.0
-
-
4.5
0.85
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
(注4 )
(注4 )
(注4 )
(注4 )
(注3)
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
3.0
-
0.8
400
700
-
V
V
A
A
pF
(注4 )
(注3)
(注3)
(注3)
4.0V
P-P
正弦波输入,以限摆率
(注3)
1.0V
P-P
正弦波输入,以-3dB损失(注3 )
(注3)
R
L
= 50Ω , 100mV的正弦波,以-3dB为亏损
I
OUT
(注3)
-1.15
-
-50
-
-
-
-
-
-1.25
100
-
10
1
10
4.6
75
-1.35
-
+500
-
-
-
-
-
V
V/
o
C
A
M
兆赫
兆赫
k
兆赫
测试条件
典型值
最大
单位
5
HI5721
数据表
1999年6月
网络文件编号
3949.7
10位, 125 MSPS ,高速D / A
变流器
该HI5721是一个10位, 125 MSPS ,高速D / A
转换器。该转换器包括一个10位的输入数据
注册正交数据的逻辑能力和电流
输出。该HI5721具有低突波能量和优良
频域特定网络阳离子。
特点
吞吐率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125 MSPS
低功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .700mW
积分线性误差。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 LSB
低毛刺能量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5pV s的
TTL / CMOS兼容输入
改进的保持时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.5ns的
订购信息
部分
HI5721BIP
HI5721BIB
HI5721-EVP
HI5721-EVS
温度。
RANGE (
o
C)
-40到85
-40到85
25
25
28 Ld的PDIP
28 Ld的SOIC ( W)
PKG 。
E28.6
M28.3
卓越的无杂散动态范围
改进的第二个来源的AD9721
应用
无线通信
直接数字频率合成
信号重构
HDTV
测试设备
高分辨率成像系统
任意波形发生器
评估板( PDIP )
评估板( SOIC )
引脚
HI5721
( PDIP , SOIC )
顶视图
D9 (MSB) 1
D8 2
D7 3
D6 4
D5 5
D4 6
D3 7
D2 8
D1 9
D0 ( LSB ) 10
时钟11
NC 12
反转13
V
CC
14
28 DGND
27 DV
EE
26 CTRL AMP IN
25 REF OUT
24 CTRL AMP OUT
23 REF IN
22 AV
EE
21 I
OUT
20 I
OUT
19 ARTN
18 AGND
17 R
SET
16 DV
EE
15 DGND
3-34
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司1999
HI5721
典型应用电路
+5V
0.01F
V
CC
(14)
D9
D8
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
D9 (MSB) (1)
D8 (2)
D7 (3)
D6 (4)
D5 (5)
D4 (6)
D3 (7)
D2 (8)
D1 (9)
D0 (LSB )(10)
CLK (11)的
50
反转( 13 )
DGND ( 15 , 28 )
DV
EE
(16, 27)
0.1F
0.01F
- 5.2V ( DV
EE
)
64
(21) I
OUT
(17) R
SET
1960
(19) ARTN
( 18 ) AGND
( 22 ) AV
EE
0.01F
- 5.2V (AV
EE
)
0.1F
( 26 ) CTRL AMP IN
( 25 ) REF OUT
(20) I
OUT
64
D / A输出
( 24 ) CTRL AMP OUT
-5.2V ( AV
EE
)
( 23 ) REF IN
0.1F
HI5721
功能框图
QUADRATURE
逻辑
( LSB ) D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
(MSB) D9
4-BIT
解码器
15
15
227
15
交换的
当前
细胞
I
OUT
I
OUT
倒置
在REF
CLK
电压
参考
+
227
数据
缓冲器/
水平
SLAVE
注册
ARTN
6个LSB
当前
细胞
R2R
25
AMP CTRL
OUT
-
AV
EE
AGND
DV
EE
DGND
V
CC
REF OUT
R
SET
CTRL AMP IN
3-35
HI5721
绝对最大额定值
数字电源电压V
CC
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5.5V
消极的数字电源电压DV
EE
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5.5V
负模拟电源电压AV
EE
到AGND , ARTN 。 。 。 。 。 -5.5V
数字输入电压( D9 - D0 , CLK ,反转) 。 。 。 。 。 。 。 V
CC
至-0.5 V
内部基准电压的输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .500μA
控制扩增fi er输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 AGND至-4.0V
控制扩增fi er输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±2.5mA
参考输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -3.7 V至AV
EE
模拟输出电流(I
OUT
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
55
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
70
最大功率耗散
HI5721BIx 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .750mW
最高结温
HI5721BIx 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至85
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
AV
EE
, DV
EE
= -4.94至-5.46V ,V
CC
= 4.75至+ 5.25V , CTRL AMP IN = REF OUT ,
T
A
= 25
o
下所有典型值
HI5721BI
T
A
= -40
o
C至85
o
C
参数
系统性能
决议
积分线性误差, INL
微分线性误差, DNL
失调误差,我
OS
满量程增益误差, FSE
偏移漂移COEF网络cient
满量程输出电流,I
FS
输出电压范围符合
动态特性
吞吐率
输出电压满刻度步沉降时间,t
SETT FS
输出电压小步骤沉降时间,t
SETT SM
单毛刺区, GE (峰值毛刺)
双峰毛刺区, (净毛刺)
输出压摆率
输出上升时间
输出下降时间
(注3)
(注3)
测试条件
典型值
最大
单位
10
(注4) ( “最佳”直线)
(注4 )
(注4 )
(注2,4)
(注3)
-
-
-
-
-
-
-1.5
-
±0.5
±0.5
16
2
0.1
-20.48
-
-
±1.5
±1.0
75
10
-
-
+3.0
最低位
最低位
A
%
A/
o
C
mA
V
125.0
-
-
-
-
-
4.5
3.5
3.5
1.5
1,000
675
470
-
-
-
-
-
-
-
-
MSPS
ns
ns
的pV -S
的pV -S
V / μs的
ps
ps
To
±0.5
LSB误差带R
L
= 50Ω (注3)
100mV的步骤来
±0.5
LSB误差带,R
L
= 50
(注3)
R
L
= 50Ω (注3)
R
L
= 50Ω , DAC工作在锁存模式
(注3)
R
L
= 50Ω , DAC工作在锁存模式
(注3)
R
L
= 50Ω , DAC工作在锁存模式
(注3)
-
-
-
3-36
HI5721
电气连接特定的阳离子
AV
EE
, DV
EE
= -4.94至-5.46V ,V
CC
= 4.75至+ 5.25V , CTRL AMP IN = REF OUT ,
T
A
= 25
o
下所有典型值
(续)
HI5721BI
T
A
= -40
o
C至85
o
C
参数
无杂散动态范围, SFDR到奈奎斯特
测试条件
f
CLK
= 125 MSPS ,女
OUT
= 2.02MHz ,中的62.5MHz
跨度(注3,5)
f
CLK
= 125 MSPS ,女
OUT
= 25MHz的,跨度的62.5MHz
(注3,5)
f
CLK
= 100 MSPS ,女
OUT
= 2.02MHz , 50MHz的跨度
(注3,5)
f
CLK
= 100 MSPS ,女
OUT
= 25MHz的, 50MHz的跨度
(注3,5)
无杂散动态范围, SFDR在一个
窗口
f
CLK
= 125 MSPS ,女
OUT
= 2.02MHz ,跨度为2MHz
(注3,5)
f
CLK
= 125 MSPS ,女
OUT
= 25MHz的,跨度为2MHz
(注3,5)
f
CLK
= 100 MSPS ,女
OUT
= 2.02MHz ,跨度为2MHz
(注3,5)
f
CLK
= 100 MSPS ,女
OUT
= 25MHz的,跨度为2MHz
(注3,5)
信噪比(SNR)的奈奎斯特
(忽略前5次谐波)
f
CLK
= 125 MSPS ,女
OUT
= 2.02MHz ,
(注3,5)
f
CLK
= 125 MSPS ,女
OUT
= 25MHz的
(注3,5)
f
CLK
= 100 MSPS ,女
OUT
= 2.02MHz ,
(注3,5)
f
CLK
= 100 MSPS ,女
OUT
= 25MHz的
(注3,5)
信噪比+失真(SINAD )到奈奎斯特
f
CLK
= 125 MSPS ,女
OUT
= 2.02MHz ,
(注3,5)
f
CLK
= 125 MSPS ,女
OUT
= 25MHz的
(注3,5)
f
CLK
= 100 MSPS ,女
OUT
= 2.02MHz ,
(注3,5)
f
CLK
= 100 MSPS ,女
OUT
= 25MHz的
(注3,5)
总谐波失真( THD )为奈奎斯特
f
CLK
= 125 MSPS ,女
OUT
= 2.02MHz ,
(注3,5)
f
CLK
= 125 MSPS ,女
OUT
= 25MHz的
(注3,5)
f
CLK
= 100 MSPS ,女
OUT
= 2.02MHz ,
(注3,5)
f
CLK
= 100 MSPS ,女
OUT
= 25MHz的
(注3,5)
互调失真( IMD )到奈奎斯特
f
CLK
= 125 MSPS ,女
OUT1
= 800kHz和
f
OUT2
= 900kHz的(注3,5)
f
CLK
= 100 MSPS ,女
OUT1
= 800kHz和
f
OUT2
= 900kHz的(注3,5)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-59
-53
-59
-51
-75
-70
-75
-72
54
51.5
54.5
50.3
52.4
49.2
52.7
47.6
-57.8
-53.3
-57.9
-51
57.3
57.2
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dB
dB
3-37
HI5721
电气连接特定的阳离子
AV
EE
, DV
EE
= -4.94至-5.46V ,V
CC
= 4.75至+ 5.25V , CTRL AMP IN = REF OUT ,
T
A
= 25
o
下所有典型值
(续)
HI5721BI
T
A
= -40
o
C至85
o
C
参数
参考/控制放大器
内部基准电压, REF OUT
内部参考电压漂移
内部基准电压灌/拉电流
能力
放大器的输入阻抗
放大器的大信号带宽
放大器的小信号带宽
参考输入阻抗
参考输入乘法带宽
数字输入
( D9 - D0 , CLK ,反转)
输入逻辑高电压,V
IH
输入逻辑低电压,V
IL
输入逻辑电流,I
IH
输入逻辑电流,I
IL
数字输入电容,C
IN
时序特性
数据建立时间,t
SU
数据保持时间,t
HLD
传播延迟时间t
PD
CLK脉冲宽度,T
PW1
, t
PW2
电源特性研究
IDV
EE
IAV
EE
V
CC
功耗
电源抑制比
注意事项:
在满刻度输出电流与电流至R之间的比率作为误差2.增益误差
SET
(通常640μA ) 。理想情况下,
比例应为32 。
3.参数设计或特性,而不是生产测试保证。
4.所有设备均在25 100%测试
o
C. 100%的生产在极端温度军事温度测试设备,测试样本为IN-
dustrial温度的设备。
5.在不外接滤波光谱测量。
(注4 )
(注4 )
(注4 )
(注4 )
V
CC
±5%,
V
EE
±5%
-
-
-
-
-
100
-
14
700
50
110
15
25
775
-
mA
mA
mA
mW
μA / V
参见图3 (注3)
参见图3 (注3)
参见图3 (注3)
参见图3 (注3)
2.0
0.5
-
1.0
-
-
4.5
0.85
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
(注4 )
(注4 )
(注4 )
(注4 )
(注3)
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
3.0
-
0.8
400
700
-
V
V
A
A
pF
(注4 )
(注3)
(注3)
(注3)
4.0V
P-P
正弦波输入,以限摆率
(注3)
1.0V
P-P
正弦波输入,以-3dB损失(注3 )
(注3)
R
L
= 50Ω , 100mV的正弦波,以-3dB为亏损
I
OUT
(注3)
-1.15
-
-50
-
-
-
-
-
-1.25
100
-
10
1
10
4.6
75
-1.35
-
+500
-
-
-
-
-
V
V/
o
C
A
M
兆赫
兆赫
k
兆赫
测试条件
典型值
最大
单位
3-38
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HI5721-EVP
    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
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