HI5714
1998年1月
8位， 40/60/75/80 MSPS A / D转换器
描述
该HI5714是一种精度高，单片， 8位模拟 -
数字转换器制作Intersil的“先进HBC10
BICMOS工艺。
的HI5714被用于广泛的应用，如优化
超声成像，海量存储，仪表，和视频
数字化，其中，精确度和低功耗是
必不可少的。该HI5714是提供在40 MSPS ， 60 MSPS和75
MSPS的采样率。
该HI5714提供
±0.4
LSB微分非线性，而
功耗仅为325MW功率（典型值） ，在75 MSPS 。该
数字输入和输出为TTL兼容，以及
允许一个低级别的正弦波时钟输入。
特点
采样率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40/60/75/80 MSPS
低功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .325mW
7.65 ENOB在为4.43MHz
溢流/下溢流三态输出TTL
低水平AC时钟工作
极低的模拟输入电容
无需缓冲放大器
无采样和保持必需的
?? TTL兼容的I / O
引脚兼容的飞利浦TDA8714
订购信息
部分
数
HI5714/4CB
HI5714/6CB
HI5714/7CB
HI5714/8CB
HI5714EVAL
温度。
范围
(
o
C)
0到70
0到70
0到70
0到70
25
采样
频率
（兆赫）
40
60
75
80
PKG 。
号
M24.3
M24.3
M24.3
M24.3
应用
视频数字化
QAM解调器
数字有线机顶盒
磁带驱动器/大容量存储
医学超声成像
通讯系统
包
24 Ld的SOIC
24 Ld的SOIC
24 Ld的SOIC
24 Ld的SOIC
评估板
引脚
HI5714
（ SOIC ）
顶视图
D1
D0
NC
1
2
3
24 D2
23 D3
22 OE
21 V
CCO2
20 OGND
19 V
CCO1
18 V
CCD
17 DGND
16 CLK
15 D4
14 D5
13 D6
V
RB
4
NC
AGND
5
6
V
CCA
7
V
IN
8
V
RT
9
NC 10
O / UF 11
D7 12
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
3973.4
1
HI5714
功能框图
V
CCA
7
16
CLK
V
CCD
18
OE
22
时钟驱动器
V
RT
9
12
13
14
15
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
V
CCO1
V
CCO2
O / UF
V
IN
8
模拟到数字
变流器
锁存器
TTL输出
23
24
1
2
19
21
V
RB
4
OGND
20
溢流/下溢流
LATCH
6
AGND
17
DGND
11
TTL输出
典型应用原理图
+5VA
16
0.1
1.3V
0.1
9
4
22
D0
CLK
V
RT
V
RB
OE
D1
D2
D3
D4
D5
D6
2
1
24
23
15
14
13
时钟
+
3.6V
-
+
-
HI5714
V
IN
+
8
-
V
IN
12
D7
11
O / UF
19
V
CCO
21
V
CCO
18
V
CCD
20
3 OGND
NC 17
DGND 10
NC
+5VA
7
1nF
0.1F
5
6
1nF
+5VD
0.1F
V
CCA
NC
AGND
DGND
AGND
BNC
1nF的和0.1μF帽放置
接近一部分可能。
注意事项：
1. 5脚应连接到AGND针3和10至DGND ，以降低噪声耦合到设备中。
2.模拟和数字电源应分开，分离，以减少数字噪声耦合到模拟电源。
2
HI5714
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
V
CCA
, V
CCD
, V
CCO
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 6.0V
V
CCA
- V
CCD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.3V
V
CCO
- V
CCD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.3V
V
CCA
- V
CCO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.3V
V
IN
, V
CLK
, V
RT
, V
RB
， OE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 6.0V
I
OUT
，数字引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
输入电流，所有引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1毫安
数字I / O引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 OGND到V
CCO
工作条件
温度范围
HI5714CB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
参数
V
CCA
= V
CCD
= V
CCO
= +5V; V
RB
= 1.3V; V
RT
= 3.6V ;牛逼
A
= 25
o
C,
除非另有规定编
测试条件
民
典型值
最大
单位
时钟
（参考DGND ） （注1 ）
逻辑输入低电压，V
IL
逻辑输入高电压，V
IH
逻辑输入电流低，我
IL
逻辑输入电流高，我
IH
输入阻抗，Z
IN
输入电容，C
IN
OE
（参考DGND ）
逻辑输入低电压，V
IL
逻辑输入高电压，V
IH
逻辑输入电流低，我
IL
逻辑输入电流高，我
IH
V
IN
（参考AGND ）
输入电流低，我
IL
输入电流高，我
IH
输入阻抗，Z
IN
输入电容，C
IN
参考输入
底部的参考范围，V
RB
顶级参考范围，V
RT
参考范围，V
REF
(V
RT
- V
RB
)
参考目前，我
REF
参考梯形电阻，R
LAD
R
LADTC
底部的失调电压，V
OB
（注4 ）
1.2
3.5
1.9
-
-
-
-
1.3
3.6
2.3
10
240
0.24
255
1.6
3.9
2.7
-
-
-
-
V
V
V
mA
/
o
C
mV
V
IN
= 1.2V
V
IN
= 3.5V
f
IN
=为4.43MHz
f
IN
=为4.43MHz
-
-
-
-
0
100
10
14
-
180
-
-
A
A
k
pF
V
IL
= 0.4V
V
IH
= 2.7V
0
2.0
-400
-
-
-
-
-
0.8
V
CCD
-
20
V
V
A
A
V
CLK
= 0.4V
V
CLK
= 2.7V
f
CLK
= 75MHz的（注8 ）
f
CLK
= 75MHz的（注8 ）
0
2.0
-400
-
-
-
-
-
-
-
2
4.5
0.8
V
CCD
-
300
-
-
V
V
A
A
k
pF
3
HI5714
电气连接特定的阳离子
参数
HI5714 / 8 （F
CLK
= 80MHz的）
V
CCA
= V
CCD
= V
CCO
= +5V; V
RB
= 1.3V; V
RT
= 3.6V ;牛逼
A
= 25
o
C,
除非另有规定编
（续）
测试条件
f
IN
=为4.43MHz
f
IN
用7.5MHz =
f
IN
= 10MHz时
误码率，误码率
定时
(f
CLK
= 75MHz的）请参阅图1，图2
采样延迟，T
SD
输出保持时间，t
HD
输出延迟时间，t
D
输出延迟时间，t
D
输出使能延时，T
PZH
输出使能延时，T
PZL
输出禁用延迟，T
PHZ
输出禁用延迟，T
PLZ
孔径抖动，T
AJ
电源特性
模拟电源电压范围，V
CCA
数字电源电压范围，V
CCD
输出电源电压范围，V
CCO
总电源电流
电源电流，我
CCA
电源电流，我
CCD
电源电流，我
CCO
功耗
注意事项：
1.额定功耗是在假设器件焊接到印刷电路板上的所有线索。
2.电源电压V
CCA
和V
CCD
可以具有-0.3V到+ 6V之间的任何值，只要差V
CCA
- V
CCD
与谎言
-0.3V和+ 0.3V 。
3.除了数字和模拟地布置好，所以建议的上升和下降时钟的时间不小于1纳秒。
4.模拟输入电压产生码00直到并包括FF 。
V
OB
（下偏置电压）产生的数据等于00 ，底部参考模拟输入之间的区别
电压（V
RB
).
V
OBTC
（底部失调电压温度系数）为V的变化
OB
与温度。
V
OT
（顶部偏移电压）是顶参考电压之间的差（V
RT
），并产生数据输出的模拟输入
等于FF 。
V
OTTC
（顶部偏移电压温度系数）为V的变化
OT
与温度。
5.输入为标准的5步的视频测试信号。一个12位R重构DAC和VM700用于测量。
6.满量程正弦波，女
IN
=为4.43MHz 。
7. f
CLK
= 75MHz的，女
IN
=为4.43MHz ，V
IN
=
±8
LSB为128码， 50 ％时钟占空比。
8.参数由设计保证，未经生产测试。
4.75
4.75
4.75
-
-
-
-
-
5.0
5.0
5.0
65
30
26
9
325
5.25
5.25
5.25
75
-
-
-
375
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
HI5714/4/6/7
HI5714/8
能到高
启用以低
禁止从高
禁止从低
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
10
14.6
17.8
5.3
6.7
50
2
-
13
12.25
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ps
（注7 ）
民
-
-
-
-
典型值
7.3
7.0
6.64
10
-11
最大
-
-
-
-
单位
位
位
位
时报/
样品
5
HI5714
数据表
2004年7月
FN3973.6
8位， 40/60/75/80 MSPS A / D转换器
该HI5714是一种精度高，单片， 8位模拟 -
数字转换器制作Intersil的“先进HBC10
BICMOS工艺。
的HI5714被用于广泛的应用，如优化
超声成像，海量存储，仪表，和视频
数字化，其中，精确度和低功耗是
必不可少的。该HI5714是提供在40 MSPS ， 60 MSPS和75
MSPS的采样率。
该HI5714提供
±0.4
LSB微分非线性，而
功耗仅为325MW功率（典型值） ，在75 MSPS 。该
数字输入和输出为TTL兼容，以及
允许一个低级别的正弦波时钟输入。
特点
采样率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40/60/75/80 MSPS
低功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .325mW
7.65 ENOB在为4.43MHz
溢/下溢三态输出TTL
低水平AC时钟工作
极低的模拟输入电容
无需缓冲放大器所需
无采样和保持必需的
?? TTL兼容的I / O
引脚兼容的飞利浦TDA8714
订购信息
部分
数
HI5714/4CB
HI5714/4CBZ
（注）
HI5714/7CB-T
温度。
范围
(°C)
0到70
0到70
采样
频率PKG 。
DWG 。 ＃
（兆赫）
40
40
M24.3
M24.3
无铅可用
应用
视频数字化
QAM解调器
数字有线机顶盒
磁带驱动器/大容量存储
医学超声成像
包
24 Ld的SOIC
24 Ld的SOIC
（无铅）
24 Ld的SOIC
磁带&卷轴
24 Ld的SOIC
磁带&卷轴
（无铅）
0到70
75
M24.3
HI5714/7CBZ-T
（注）
0到70
75
M24.3
通讯系统
引脚
HI5714 （ SOIC ）
顶视图
D1
D0
NC
V
RB
NC
AGND
V
CCA
V
IN
V
RT
1
2
3
4
5
6
7
8
9
24 D2
23 D3
22 OE
21 V
CCO2
20 OGND
19 V
CCO1
18 V
CCD
17 DGND
16 CLK
15 D4
14 D5
13 D6
HI5714EVAL
25
评估板
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡
板终止完成，这是既锡铅和兼容
无铅焊接操作。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020B的无铅要求。
NC 10
O / UF 11
D7 12
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有哈里斯公司1998年版权所有Intersil公司美洲2003年， 2004年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HI5714
功能框图
V
CCA
7
16
时钟驱动器
V
RT
9
CLK
V
CCD
18
OE
22
12
13
14
15
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
V
CCO1
V
CCO2
O / UF
V
IN
8
模拟到数字
变流器
锁存器
TTL输出
23
24
1
2
19
21
V
RB
4
OGND
20
溢流/下溢流
LATCH
6
AGND
17
DGND
11
TTL输出
典型应用原理图
+5VA
16
0.1
1.3V
0.1
9
4
22
D0
CLK
V
RT
V
RB
OE
D1
D2
D3
D4
D5
D6
2
1
24
23
15
14
13
时钟
+
3.6V
-
+
-
HI5714
V
IN
+
8
-
V
IN
12
D7
11
O / UF
19
V
CCO
21
V
CCO
18
V
CCD
20
3 OGND
NC 17
DGND 10
NC
+5VA
7
1nF
0.1F
5
6
1nF
+5VD
0.1F
V
CCA
NC
AGND
DGND
AGND
BNC
1nF的和0.1μF帽放置
接近一部分可能。
注意事项：
1. 5脚应连接到AGND针3和10至DGND ，以降低噪声耦合到设备中。
2.模拟和数字电源应分开，分离，以减少数字噪声耦合到模拟电源。
2
HI5714
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C
V
CCA
, V
CCD
, V
CCO
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 6.0V
V
CCA
- V
CCD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±0.3V
V
CCO
- V
CCD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±0.3V
V
CCA
- V
CCO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±0.3V
V
IN
, V
CLK
, V
RT
, V
RB
， OE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 6.0V
I
OUT
，数字引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
输入电流，所有引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1毫安
数字I / O引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 OGND到V
CCO
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围
HI5714 / XCB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
V
CCA
= V
CCD
= V
CCO
= +5V; V
RB
= 1.3V; V
RT
= 3.6V ;牛逼
A
= 25
o
C，除非另有规定编
测试条件
民
典型值
最大
单位
参数
时钟
（参考DGND ） （注2 ）
逻辑输入低电压，V
IL
逻辑输入高电压，V
IH
逻辑输入电流低，我
IL
逻辑输入电流高，我
IH
输入阻抗，Z
IN
输入电容，C
IN
OE （参考DGND ）
逻辑输入低电压，V
IL
逻辑输入高电压，V
IH
逻辑输入电流低，我
IL
逻辑输入电流高，我
IH
V
IN
（参考AGND ）
输入电流低，我
IL
输入电流高，我
IH
输入阻抗，Z
IN
输入电容，C
IN
参考输入
底部的参考范围，V
RB
顶级参考范围，V
RT
参考范围，V
REF
(V
RT
- V
RB
)
参考目前，我
REF
参考梯形电阻，R
LAD
R
LADTC
底部的失调电压，V
OB
V
OBTC
顶级失调电压，V
OT
V
OTTC
（注5 ）
（注5 ）
（注5 ）
（注5 ）
0
2.0
V
CLK
= 0.4V
V
CLK
= 2.7V
f
CLK
= 75MHz的（注9 ）
f
CLK
= 75MHz的（注9 ）
-400
-
-
-
-
-
-
-
2
4.5
0.8
V
CCD
-
300
-
-
V
V
A
A
k
pF
0
2.0
V
IL
= 0.4V
V
IH
= 2.7V
-400
-
-
-
-
-
0.8
V
CCD
-
20
V
V
A
A
V
IN
= 1.2V
V
IN
= 3.5V
f
IN
=为4.43MHz
f
IN
=为4.43MHz
-
-
-
-
0
100
10
14
-
180
-
-
A
A
k
pF
1.2
3.5
1.9
-
-
-
-
-
-
-
1.3
3.6
2.3
10
240
0.24
255
136
-300
480
1.6
3.9
2.7
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
mA
/
o
C
mV
V/
o
C
mV
V/
o
C
3
HI5714
电气规格
参数
电源特性
模拟电源电压范围，V
CCA
数字电源电压范围，V
CCD
输出电源电压范围，V
CCO
总电源电流
电源电流，我
CCA
电源电流，我
CCD
电源电流，我
CCO
功耗
注意事项：
2.额定功耗是在假设器件焊接到印刷电路板上的所有线索。
3.电源电压V
CCA
和V
CCD
可以具有-0.3V到+ 6V之间的任何值，只要差V
CCA
- V
CCD
与谎言
-0.3V和+ 0.3V 。
4.除了数字和模拟地布置好，所以建议的上升和下降时钟的时间不小于1纳秒。
5.模拟输入电压产生码00直到并包括FF 。 V
OB
（底偏置电压）是模拟输入之间的差这
生产数据等于00 ，底部参考电压（V
RB
). V
OBTC
（底部失调电压温度系数）是变化
V的
OB
随着温度。 V
OT
（顶部偏移电压）是顶参考电压之间的差（V
RT
）和模拟输入端
产生的数据输出等于FF 。 V
OTTC
（顶部偏移电压温度系数）为V的变化
OT
与温度。
6.输入为标准的5步的视频测试信号。一个12位R重构DAC和VM700用于测量。
7.满量程正弦波，女
IN
=为4.43MHz 。
8. f
CLK
= 75MHz的，女
IN
=为4.43MHz ，V
IN
=
±8
LSB为128码， 50 ％时钟占空比。
9.参数由设计保证，未经生产测试。
4.75
4.75
4.75
-
-
-
-
-
5.0
5.0
5.0
65
30
26
9
325
5.25
5.25
5.25
75
-
-
-
375
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
V
CCA
= V
CCD
= V
CCO
= +5V; V
RB
= 1.3V; V
RT
= 3.6V ;牛逼
A
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
测试条件
民
典型值
最大
单位
5
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