HI5702
1997年8月
10位， 40 MSPS A / D转换器
描述
的HI5702是单片， 10位模拟 - 数字
转换器制造的BiCMOS工艺。它被设计为
高速应用中的宽带宽和低
功率消耗是必要的。其40 MSPS速度
得以实现的一个完全差分流水线架构
这也省去了外部的样品和
保持电路。该HI5702具有优异的动态性能
同时消耗<650mW功率为40 MSPS 。数据输出
设置锁存器，其呈现有效的数据到输出
总线与7个时钟周期的等待时间。
指的是HI5703 ， HI5746 ， HI5767或数据表低
功耗。
特点
采样率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40 MSPS
8.3位保证在f
IN
= 10MHz时
低功耗
宽全功率输入带宽。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250MHz的
采样和保持不要求
单端或差分输入
输入信号范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.25V
单电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V
TTL兼容接口
应用
专业视频数字化
医学影像
数字通信系统
高速数据采集
订购信息
部分
数
HI5702KCB
HI5702JCB
HI5702-EV2
样品
率
40 MSPS
36 MSPS
温度。
RANGE （
o
C)
0到70
0到70
25
包
PKG 。
号
28 Ld的SOIC （ W） M28.3
28 Ld的SOIC （ W） M28.3
评估板
引脚
HI5702
（ SOIC ）
顶视图
典型应用原理图
HI5702
3.25V
2.0V
V
REF
+ (7)
V
REF
- (8)
（ LSB ） （ 28 ） D0
(27) D1
AGND （ 12 ）
AGND （ 6 ）
AGND （ 14 ）
DGND （2）
DGND （ 21 ）
DGND （4）
(26) D2
(25) D3
(24) D4
(20) D5
(19) D6
(18) D7
(17) D8
（MSB） （16） D9
V
IN
+
V
IN
+ (9)
V
CM
(11)
V
IN
-
V
IN
- (10)
（1） DV
CC
（3） DV
CC
（23）的DV
CC
0.1F
时钟
CLK （22）
DFS （ 15 ）
（13）的AV
CC
（5）的AV
CC
0.1F
+
10F
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
10μF和0.1μF CAPS
尽可能接近放置后
TO部分地
+
10F
DGND
AGND
BNC
DV
CC
1
DGND 2
DV
CC
3
DGND 4
AV
CC
5
AGND 6
V
REF
+ 7
V
REF
- 8
V
IN
+ 9
V
IN
- 10
V
CM
11
AGND 12
AV
CC
13
AGND 14
28 D0
27 D1
26 D2
25 D3
24 D4
23 DV
CC
22 CLK
21 DGND
20 D5
19 D6
18 D7
17 D8
16 D9
15 DFS
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
3745.4
4-1505
HI5702
绝对最大额定值
电源电压， AV
CC
或DV
CC
到AGND或DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 6V
DGND至AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3V
数字I / O引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 DGND至DV
CC
模拟量I / O引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 AGND至AV
CC
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
工作条件
温度范围
HI5702KCB / JCB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0
o
C至70
o
C
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
70
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
9.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
参数
准确性
决议
积分线性误差， INL
微分线性误差， DNL
（保证无失码）
失调误差，V
OS
满量程误差， FSE
动态特性
最小转换速率
最大转化率
AV
CC
DV
CC
= +5V; V
REF
+ = 3.25V; V
REF
- = 2V ; F
S
=特定网络版时钟频率的占空比为50％ ;
C
L
= 20pF的;牛逼
A
= 25
o
℃;除非另有规定编
测试条件
民
典型值
最大
单位
10
f
IN
= DC
f
IN
= DC
f
IN
= DC
f
IN
= DC
无失码
无失码
HI5702KCB
HI5702JCB
f
IN
= 1MHz的
f
IN
= 5MHz时，
f
IN
= 10MHz时
-
-
-
-
-
40
36
-
-
8.3
-
-
51
-
-
51
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
54
-
-
±1
±0.5
3
2
0.5
-
-
9.0
9.0
8.8
57
57
56
56
56
55
-64
-63
-60
-75
-75
-73
-66
-64
-63
66
64
63
-59
-
±2.0
±1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
位
最低位
最低位
最低位
最低位
MSPS
MSPS
MSPS
位
位
位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
有效位数， ENOB
信噪比和分配比，
SINAD
RMS信号
= -------------------------------------------------------------
-
RMS噪声+失真
信号噪声比，信噪比
RMS信号
= --------------------------------
-
RMS噪声
总谐波失真THD
f
IN
= 1MHz的
f
IN
= 5MHz时，
f
IN
= 10MHz时
f
IN
= 1MHz的
f
IN
= 5MHz时，
f
IN
= 10MHz时
f
IN
= 1MHz的
f
IN
= 5MHz时，
f
IN
= 10MHz时
二阶谐波失真
f
IN
= 1MHz的
f
IN
= 5MHz时，
f
IN
= 10MHz时
3次谐波失真
f
IN
= 1MHz的
f
IN
= 5MHz时，
f
IN
= 10MHz时
无杂散动态范围， SFDR
f
IN
= 1MHz的
f
IN
= 5MHz时，
f
IN
= 10MHz时
互调失真， IMD
f
1
= 1MHz的，女
2
= 1.02MHz
4-1507
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