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HI5660
数据表
2004年7月
FN4521.7
8位, 125 / 60MSPS ,高速D /一
变流器
该HI5660是一个8位, 125MSPS ,高速,低功耗,
D /这是一种先进的CMOS工艺实现A转换器
流程。从单一的+ 3V工作到+ 5V供电,
转换器提供满量程输出电流20mA和
包括边沿触发CMOS输入数据锁存器。低干扰
能源和出色的频域表现
实现了利用分段电流源架构。
对于同等性能的双通道版本,请参阅HI5628 。
此设备补充HI5X60家族高速的
由Intersil ,其中包括8个,10个, 12所提供的转换器,并
14位器件。
特点
吞吐率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125MSPS
低功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 165mW在5V , 27MW在3V
掉电模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23MW在5V , 10毫瓦,在3V
积分线性误差。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
0.25 LSB
可调节的满量程输出电流。 。 。 。 。 2毫安至20mA
SFDR到奈奎斯特频率在10MHz输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60dBc
内部1.2V带隙基准电压源
单电源供电, + 5V至+ 3V
CMOS兼容输入
卓越的无杂散动态范围
无铅可用
订购信息
部分
HI5660IB
HI5660IBZ (注)
HI5660/6IA
HI5660/6IA-T
温度。
范围
(°C)
PKG 。时钟
DWG 。 # SPEED
M28.3
M28.3
125MHz
125MHz
应用
·医疗器械
无线通信
直接数字频率合成
-40到85 28 Ld的SOIC
-40到85 28 Ld的SOIC
(无铅)
-40到85 28 Ld的TSSOP
M28.173 60MHz的
信号重构
测试仪表
高分辨率成像系统
任意波形发生器
28 Ld的TSSOP卷带式M28.173 60MHz的
M28.173 60MHz的
HI5660 / 6IAZ (注) -40 85 28 Ld的TSSOP
(无铅)
HI5660/6IAZ-T
(注)
HI5760EVAL1
28 Ld的TSSOP卷带式M28.173 60MHz的
(无铅)
25
评估平台
125MHz
引脚
HI5660 ( SOIC , TSSOP )
顶视图
D7 (MSB) 1
D6 2
D5 3
D4 4
D3 5
D2 6
D1 7
D0 ( LSB ) 8
DCOM 9
DCOM 10
DCOM 11
DCOM 12
DCOM 13
DCOM 14
28 CLK
27 DV
DD
26 DCOM
25 NC
24 AV
DD
23 NC
22 IOUTA
21 IOUTB
20 ACOM
19 COMP1
18 FSADJ
17 REFIO
16 REFLO
15 SLEEP
注: Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成,
模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡板
终止完成,这是既锡铅和无铅兼容
焊接操作。 Intersil无铅产品分类MSL在
达到或超过了无铅无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020B的要求。
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2000 , 2004.版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HI5660
典型应用电路
HI5660
( 15 )睡眠
DCOM
(9-14, 25)
( 16 ) REFLO
(17) REFIO
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
D7 (MSB) (1)
D6 (2)
D5 (3)
D4 (4)
D3 (5)
D2 (6)
D1 (7)
D0 ( LSB), (8)
CLK (28)
50
DCOM ( 26 )
铁素体
珠子
10F
+
10μH 0.1μF
DV
DD
(27)
(23)的NC
(19) COMP1
( 20 ) ACOM
( 24 ) AV
DD
0.1F
铁素体
珠子
10H
0.1F
+
+ 5V或+ 3V (V
DD
)
10F
50
(21) IOUTB
D / A输出
( 22 ) IOUTA
50
(18) FSADJ
R
SET
D / A输出
1.91k
0.1F
DCOM
ACOM
功能框图
IOUTA
IOUTB
( LSB ) D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
( MSB)中的D7
5-BIT
解码器
31
LATCH
LATCH
34
开关
矩阵
34
共源共栅
当前
来源
3个LSB
+
31 MSB
COMP1
CLK
INT / EXT
电压
参考
BIAS
GENERATION
INT / EXT
参考
SELECT
AV
DD
ACOM
DV
DD
DCOM
REFLO
REFIO
FSADJ SLEEP
2
HI5660
绝对最大额定值
数字电源电压DV
DD
到DCOM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5.5V
模拟电源电压AV
DD
到ACOM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5.5V
理由, ACOM TO DCOM 。 -0.3V至+ 0.3V数字输入电压
( D9 - D0 , CLK , SLEEP ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 DV
DD
+ 0.3V
内部基准电压的输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±50A
参考输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 AV
DD
+ 0.3V
模拟输出电流(I
OUT
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
70
TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
117
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至85
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
参数
系统性能
决议
积分线性误差, INL
微分线性误差, DNL
失调误差,我
OS
偏移漂移COEF网络cient
满量程增益误差, FSE
AV
DD
DV
DD
= +5V, V
REF
=内部1.2V , IOUTFS = 20mA下,T
A
= 25
o
下所有典型值
T
A
= -40
o
C至85
o
C
测试条件
典型值
最大
单位
8
“最适合的”直线(注7 )
(注7 )
(注7 )
(注7 )
与外部参考(注2,7)
具有内部参考(注2,7)
-0.5
-0.5
-0.025
-
-10
-10
-
-
2
(注3)
-0.3
-
±0.25
±0.25
-
+0.5
+0.5
+0.025
最低位
最低位
% FSR
PPM
FSR /
o
C
% FSR
% FSR
PPM
FSR /
o
C
PPM
FSR /
o
C
mA
V
0.1
±2
±1
±50
±100
-
-
-
+10
+10
-
-
20
1.25
满量程增益漂移
与外部参考(注7 )
具有内部参考(注7 )
满量程输出电流,I
FS
输出电压范围符合
动态特性
最大时钟速率,女
CLK
输出稳定时间, (T
SETT
)
单毛刺面积(峰毛刺)
输出上升时间
输出下降时间
输出电容
输出噪声
IOUTFS = 20mA下
IOUTFS = 2毫安
(注3,9)
0.8 %(± 1 LSB的顺序,相当于7位) (注7)
0.4% ( ±1/ 2 LSB等于8位) (注7)
R
L
= 25Ω (注7 )
满量程步骤
满量程步骤
125
-
-
-
-
-
-
5
15
5
1.5
1.5
10
-
-
-
-
-
-
兆赫
ns
ns
的pV -S
ns
ns
pF
-
-
50
30
-
-
PA /
√Hz的
PA /
√Hz的
3
HI5660
电气规格
参数
AC特性
HI5660IB , HI5660IA - 125MHz的
无杂散动态范围,
SFDR在一个窗口
总谐波失真(THD ),以
奈奎斯特
无杂散动态范围,
SFDR到奈奎斯特
f
CLK
= 125MSPS ,女
OUT
= 32.9MHz , 10MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 100MSPS ,女
OUT
= 5.04MHz , 4MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 100MSPS ,女
OUT
= 2.00MHz (注4,7)
f
CLK
= 125MSPS ,女
OUT
= 32.9MHz ,跨度的62.5MHz (注4,7)
f
CLK
= 125MSPS ,女
OUT
= 10.1MHz ,跨度的62.5MHz (注4,7)
f
CLK
= 100MSPS ,女
OUT
= 40.4MHz , 50MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 100MSPS ,女
OUT
= 20.2MHz , 50MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 100MSPS ,女
OUT
= 5.04MHz , 50MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 100MSPS ,女
OUT
= 2.51MHz , 50MHz的跨度(注4,7)
AC特性
HI5660 / 6IA - 60MHz的
无杂散动态范围,
SFDR在一个窗口
f
CLK
= 60MSPS ,女
OUT
= 10.1MHz , 10MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 5.02MHz , 2MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 1.00MHz , 2MHz的跨度(注4,7)
总谐波失真(THD ),以
奈奎斯特
无杂散动态范围,
SFDR到奈奎斯特
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 2.00MHz (注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 1.00MHz (注4,7)
f
CLK
= 60MSPS ,女
OUT
= 20.2MHz , 30MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 60MSPS ,女
OUT
= 10.1MHz , 30MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 20.2MHz , 25MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 5.02MHz , 25MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 2.51MHz , 25MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 1.00MHz , 25MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 25MSPS ,女
OUT
= 5.02MHz , 25MHz的跨度(注4,7)
参考电压
内部基准电压,V
FSADJ
内部参考电压漂移
内部基准电压输出电流
汇/源能力
参考输入阻抗
参考输入乘法带宽(注7 )
数字输入
D7 - D0 , CLK
输入逻辑高电压与
5V电源,V
IH
输入逻辑高电压与
3V电源,V
IH
输入逻辑低电压带
5V电源,V
IL
输入逻辑低电压带
3V电源,V
IL
输入逻辑电流,I
IH
输入逻辑电流,I
IL
数字输入电容,C
IN
(注3)
(注3)
(注3)
(注3)
3.5
2.1
-
-
-10
-10
-
5
3
0
0
-
-
5
-
-
1.3
0.9
+10
+10
-
V
V
V
V
A
A
pF
电压引脚18与内部参考
1.04
-
-
-
-
1.16
±60
0.1
1
1.4
1.28
-
-
-
-
V
PPM
/
o
C
AV
DD
DV
DD
= +5V, V
REF
=内部1.2V , IOUTFS = 20mA下,T
A
= 25
o
下所有典型值
(续)
T
A
= -40
o
C至85
o
C
测试条件
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
70
73
67
51
61
48
56
68
68
-
-
-
-
-
-
-
-
-
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
62
73
74
67
68
54
60
53
67
68
68
71
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
A
M
兆赫
4
HI5660
电气规格
参数
时序特性
数据建立时间,t
SU
数据保持时间,t
HLD
传播延迟时间t
PD
CLK脉冲宽度,T
PW1
, t
PW2
AV
DD
电源
DV
DD
电源
模拟电源电流(I
AVDD
)
数字电源电流(I
DVDD
)
电源电流(I
AVDD
)睡眠模式
功耗
参见图3 (注3)
参见图3 (注3)
见图3
参见图3 (注3)
3
3
-
4
-
-
1
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
AV
DD
DV
DD
= +5V, V
REF
=内部1.2V , IOUTFS = 20mA下,T
A
= 25
o
下所有典型值
(续)
T
A
= -40
o
C至85
o
C
测试条件
典型值
最大
单位
电源特性
(注8,9)
(注8,9)
5V或3V , IOUTFS = 20mA下
5V或3V , IOUTFS = 2毫安
5V , IOUTFS =无所谓(注5 )
3V , IOUTFS =无所谓(注5 )
5V或3V , IOUTFS =无关
5V , IOUTFS = 20mA下(注6 )
5V , IOUTFS = 20mA下(注10 )
5V , IOUTFS = 2毫安(注6 )
3.3V , IOUTFS = 20mA下(注10 )
3V , IOUTFS = 20mA下(注6 )
3V , IOUTFS = 20mA下(注10 )
3V , IOUTFS = 2毫安(注6 )
电源抑制
注意事项:
在满刻度输出电流与电流至R之间的比率作为误差2.增益误差
SET
(通常625μA ) 。理想情况下,
比例应为32 。
3.参数设计或特性,而不是生产测试保证。
4.用差动变压器耦合输出,且无需外部滤波做出光谱测量。
5.测得在50MSPS的时钟和输出频率在1MHz 。
6.测量与在100MSPS时钟与输出频率为40MHz 。
7.请参阅“规格的定义” 。
8.建议输出电流降低到12毫安或更少,以保持最佳性能为3V以下的操作。 DV
DD
和AV
DD
不必相等。
9.对于上述操作的125MHz ,建议该电源为3.3V或更大。该部分是功能与上述125MSPS时钟
以下3.3V电源,但性能下降。
10.测得在60MSPS的时钟和输出频率在10MHz 。
单电源(注7 )
2.7
2.7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.2
5.0
5.0
23
4
3
1.5
1.6
165
150
70
75
85
67
27
-
5.5
5.5
30
-
5
-
3
-
-
-
-
-
-
-
+0.2
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
% FSR / V
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
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