HI -200 ， HI- 201
数据表
2005年4月6日
FN3121.8
双/四路SPST ， CMOS模拟开关
HI - 200 / HI- 201 （双/四通道）是由单片器件
独立可选的单刀单掷开关，其具有快速
开关速度（ HI- 200 240ns ，而HI- 201 185ns ）
加上低功耗（ 15mW的25
o
C） 。每
开关的输入信号提供低“ ON”性操作
电压高达电源电压和信号电流可达
80毫安。坚固的DI结构消除闩锁和
基材SCR故障模式。
所有的设备提供先开后合式开关，并
TTL和CMOS的最大应用程序兼容
多功能性。 HI - 200 / HI -201是在用理想元件
高频模拟开关。典型应用
包括信号路径开关，采样保持电路，数字
过滤器和运算放大器的增益切换网络。
特点
无铅可（符合RoHS ）
模拟电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±15V
模拟电流范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80毫安
开启时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 240ns
低R
ON
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
低功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .15mW
?? TTL / CMOS兼容
应用
高频模拟开关
采样和保持电路
数字滤波器
订购信息
产品型号
HI3-0200-5Z
（注）
HI1-0201-2
HI1-0201-4
HI1-0201-5
HI3-0201-5
HI3-0201-5Z
（注）
HI4P0201-5
HI4P0201-5Z
（注）
HI9P0201-5
HI9P0201-5Z
（注）
HI9P0201-9
HI9P0201-9Z
（注）
温度。
范围（° C）
0-75
-55至125
-25到85
0-75
0-75
0-75
0-75
0-75
0-75
0-75
-40到85
-40到85
包
14 Ld的PDIP *
（无铅）
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP *
（无铅）
20 Ld的PLCC
20 Ld的PLCC
（无铅）
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
（无铅）
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
E14.3
F16.3
F16.3
F16.3
E16.3
E16.3
N20.35
N20.35
M16.15
M16.15
M16.15
M16.15
运算放大器增益切换网络
工作原理图
V+
V
REF
输入
来源
逻辑
输入
门
参考，
电平转换器，
和驱动程序
开关
CELL
门
漏
产量
V-
真值表
逻辑
0
1
HI-200
ON
关闭
HI-201
ON
关闭
*无铅PDIPs可用于通孔波峰焊
处理而已。它们不用于回流焊使用
处理应用。
注意：
Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成，
模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板之三
mination完成，这是符合RoHS标准，既兼容
锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅产品
MSL分类，可达到或无铅峰值回流温度EX-
CEED IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。无铅
PDIPs可用于仅通孔波峰焊处理。他们
不打算在回流焊接工艺应用。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-352-6832
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲1999年， 2001年， 2004年， 2005年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HI -200 ， HI- 201
引脚配置
（交换机如图所示为逻辑“1”输入）
HI- 201 （ CERDIP ， PDIP ， SOIC ）
顶视图
OUT1
14 A
1
13 NC
12 V+
11 NC
10 IN1
9 OUT1
8 V
REF
A
1
OUT1
IN1
1
2
3
16 A
2
15输出2
14 IN2
13 V+
12 V
REF
11 IN3
10 OUT3
9 A
3
IN1
V-
NC
GND
IN4
4
5
6
7
8
9
OUT4
10
A4
11
NC
12
A3
13
OUT3
HI- 200 （ PDIP ）
顶视图
A
2
1
NC 2
GND 3
NC 4
IN2 5
OUT2 6
V- 7
HI- 201 （ PLCC ）
顶视图
OUT2
19
18 IN2
17 V+
16 NC
15 V
REF
14 IN3
NC
1
A1
3
2
20
V- 4
GND
IN4
OUT4
A
4
5
6
7
8
原理图
TTL / CMOS基准电路V
REF
CELL
HI-200
V+
R
6
300
Q
P2
Q
P1
Q
P4
Q
N1
D
3
R
3
24.2K
Q
N2
R
4
5.4K
R
5
7.9K
M
N15
V-
GND
GND
M
N16
M
N17
R
7
100K
M
N14
D
3
Q
P3
Q
N4
M
P13
Q
P5
以P
2
V
REF
V+
R
6
600
Q
P2
Q
P1
Q
P4
Q
N1
R
3
24.2K
Q
N2
R
4
5.4K
R
5
7.9K
M
N15
V-
M
N16
M
N17
M
N14
M
P14
Q
N3
Q
P6
R
7
100K
V
LL
Q
P3
Q
N4
M
P13
Q
P5
以P
2
V
REF
TTL / CMOS基准电路V
REF
CELL
HI-201
R
2
5K
R
2
5K
V
LL
GND
GND
2
A2
FN3121.8
2005年4月6日
HI -200 ， HI- 201
绝对最大额定值
电源电压（V +至V-） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44V （ ± 22 ）
V
REF
到地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20V ， -5V
数字输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （V +） + 4V至（ V-） -4V
模拟输入电压（单开关） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （V +） + 2V至（ V-） -2V
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
20
PLCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
不适用
PDIP封装* 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
95
不适用
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
110
不适用
最大存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最高结温（密封封装） 。 。 。 。 。 175
o
C
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大的铅温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ PLCC和SOIC - 只会提示）
*无铅PDIPs可用于通孔波峰焊流程 -
只有荷兰国际集团。他们不打算在回流焊接加工利用
应用程序。
工作条件
温度范围
HI- 201-2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
HI- 201-4 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25
o
C至85
o
C
HI- 200-5 ， HI- 201-5 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至75
o
C
HI- 201-9 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至85
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
耗材= + 15V ， -15V ; V
REF
=打开; V
AH
（逻辑高电平） = 2.4V ， VAL （逻辑低电平） = 0.8V
TEST
条件
温度
(
o
C)
-2
民
典型值
最大
民
-4, -5, -9
典型值
最大
单位
参数
动态特性
开关导通时间，T
ON
HI-200
HI-201
25
25
满
-
-
-
240
185
1000
500
500
-
-
-
-
240
185
1000
-
-
-
ns
ns
ns
开关关断时间，T
关闭
HI-200
HI-201
25
25
满
关断隔离
HI-200
HI-201
输入开关电容，C
S（ OFF）
输出开关电容，C
D（关闭）
输出开关电容，C
D（上）
数字输入电容，C
A
漏极 - 源极电容，C
DS （关闭）
数字输入特性
输入低阈值，V
AL
输入高阈值，V
AH
输入漏电流（高或低） ，我
A
模拟开关特性
模拟信号范围，V
S
导通电阻，R
ON
（注2 ）
满
25
满
-15
-
-
-
55
80
+15
70
100
-15
-
-
-
55
72
+15
80
100
V
（注3）
满
满
满
-
2.4
-
-
-
-
0.8
-
1.0
-
2.4
-
-
-
-
0.8
-
1.0
V
V
A
（注4 ）
25
25
25
25
25
25
25
-
-
-
-
-
-
-
70
80
5.5
5.5
11
5
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
70
80
5.5
5.5
11
5
0.5
-
-
-
-
-
-
-
dB
dB
pF
pF
pF
pF
pF
-
-
-
330
220
1000
500
500
-
-
-
-
500
220
1000
-
-
-
ns
ns
ns
4
FN3121.8
2005年4月6日
HI -200 ， HI- 201
电气规格
参数
关闭输入漏电流，I
S（ OFF）
HI-200
HI-201
耗材= + 15V ， -15V ; V
REF
=打开; V
AH
（逻辑高电平） = 2.4V ， VAL （逻辑低电平） = 0.8V
（续）
TEST
条件
（注6 ）
温度
(
o
C)
25
满
25
满
关闭输出漏电流，I
D（关闭）
HI-200
HI-201
（注6 ）
25
满
25
满
漏电电流，I
D（上）
HI-200
HI-201
（注6 ）
25
满
25
满
电源特性
（注5 ）
功耗，P
D
25
满
电流， I +
25
满
目前， I-
25
满
注意事项：
2. V
OUT
=
±10V,
I
OUT
=为1mA。
3.数字输入MOS门：典型的泄漏<为1nA 。
4. V
A
= 5V ，R
L
= 1kΩ的，C
L
= 10pF的，V
S
= 3V
RMS
中，f = 100kHz的。
5. V
A
= + 3V或V
A
= 0V的两个开关。
6.参见泄漏电流测量（图2）。
-
-
-
-
-
-
15
-
0.5
-
0.5
-
-
60
-
2.0
-
2.0
-
-
-
-
-
-
15
-
0.5
-
0.5
-
-
60
-
2.0
-
2.0
mW
mW
mA
mA
mA
mA
-2
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
1
100
2
-
1
100
2
35
1
100
2
-
最大
5
500
5
500
5
500
5
500
5
500
5
500
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-4, -5, -9
典型值
1
10
2
-
1
10
2
35
1
10
2
-
最大
50
500
50
250
50
500
50
250
50
500
50
250
单位
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
测试电路和波形
T
A
= 25
o
C，V
供应
= ±±15V, V
AH
= 2.4V, V
AL
= 0.8V和V
REF
=打开
1mA
2
-
r
ON
= ------------
1mA
IN
±V
IN
V
V
2
OUT
图1A 。导通电阻测试电路
5
FN3121.8
2005年4月6日
QQ：2881677436 复制
