HI-303
数据表
2004年11月17日
FN3125.10
双通道，单刀双掷CMOS模拟开关
在HI- 303交换机采用一个单片器件制造
CMOS技术和Intersil的电介质隔离
流程。该开关具有先开后合式开关，
低，几乎恒定的导通电阻，在整个模拟
信号范围和低功耗。
对HI -303为TTL兼容的，并具有逻辑“0”状态
以比0.8V的输入更少和逻辑“1 ”的条件与
输入大于4V 。 （见引脚用于交换机与条件
逻辑“1 ”输入端）。
特点
模拟信号范围（ ±15V电源） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±15V
低漏25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40PA
低漏125
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为1nA
低导通电阻为25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
突破前先延迟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为60ns
电荷注入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30PC
TTL ， CMOS兼容
对称开关元件
S
工作原理图
IN
N
P
D
低工作功耗（典型值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0MW
无铅可（符合RoHS ）
应用
采样和保持（即，低泄漏开关）
运算放大器增益切换（即，低导通电阻）
便携式，电池供电电路
低等级的开关电路
引脚
开关状态如图所示为逻辑“1 ”输入
HI- 303 （ PDIP ， CERDIP和SOIC ）
顶视图
NC 1
S
3
2
D
3
3
D
1
4
S
1
5
IN
1
6
7 GND
14 V+
13 S
4
12 D
4
11 D
2
10 S
2
9
2
8 V-
双或单电源系统
订购信息
部分
数
HI1-0303-2
HI1-0303-5
HI3-0303-5
温度。
RANGE （
o
C)
-55至125
0-75
0-75
0-75
-40到85
-40到85
包
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的PDIP
（无铅）
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
（无铅）
PKG 。 DWG 。
#
F14.3
F14.3
E14.3
E14.3
M14.15
M14.15
逻辑
0
1
SW1，SW2
关闭
ON
SW3，SW4
ON
关闭
HI3-0303-5Z
（见注）
HI9P0303-9
HI9P0303-9Z
（见注）
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成，
模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成，这是符合RoHS标准，兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅产品
MSL在达到或无铅峰值回流温度
超过IPC / JEDEC J STD-020C标准的无铅要求。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2003年， 2004年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HI-303
绝对最大额定值
电源之间的电压（V +至V-） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44V （ ± 22V ）
数字输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （V +） + 4V至（ V-） -4V
模拟输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （V + ） + 1.5V至（ V-） -1.5V
典型的降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。在ICCOP 1.5毫安/ MHz的增加
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
24
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
不适用
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
120
不适用
最高结温
陶瓷封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
塑料封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围
HI- 303-2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
HI- 303-5 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至75
o
C
HI- 303-9 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至85
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
耗材= + 15V ， -15V ; V
IN
=逻辑输入。 V
IN
- 为逻辑“1”= 4V，为逻辑“0” = 0.8V。
除非另有说明
温度
(
o
C)
-2
民
典型值
最大
民
-5, -9
典型值
最大
单位
参数
动态特性
开关导通时间，T
ON
开关关断时间，T
关闭
突破前先延迟，T
开放
电荷注入电压，
V
（注7 ）
截止隔离（注6 ）
输入开关电容，C
S（ OFF）
输出开关电容，C
D（关闭）
输出开关电容，C
D（上）
数字输入电容，C
IN
数字输入特性
输入低电平，V
INL
输入高电平，V
INH
（注10 ）
输入漏电流（低） ，我
INL
（注5 ）
输入漏电流（高） ，我
INH
（注5 ）
模拟开关特性
模拟信号范围
导通电阻，R
ON
（注2 ）
25
25
25
25
25
25
25
25
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
210
160
60
3
60
16
14
35
5
300
250
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
210
160
60
3
60
16
14
35
5
300
250
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
mV
dB
pF
pF
pF
pF
满
满
满
满
-
4
-
-
-
-
-
-
0.8
-
1
1
-
4
-
-
-
-
-
-
0.8
-
1
1
V
V
A
A
满
25
满
-15
-
-
-
-
-
-
-
-
-
35
40
0.04
1
0.04
1
0.03
0.5
+15
50
75
1
100
1
100
1
100
-15
-
-
-
-
-
-
-
-
-
35
40
0.04
0.2
0.04
0.2
0.03
0.2
+15
50
75
5
100
5
100
5
100
V
nA
nA
nA
nA
nA
nA
关闭输入漏电流，I
S（ OFF）
（注3）
25
满
关闭输出漏电流，I
D（关闭）
（注3）
25
满
漏电电流，I
D（上）
（注4 ）
25
满
3
FN3125.10
2004年11月17日
HI-303
电气规格
耗材= + 15V ， -15V ; V
IN
=逻辑输入。 V
IN
- 为逻辑“1”= 4V，为逻辑“0” = 0.8V。
除非另有说明
（续）
温度
(
o
C)
-2
民
典型值
最大
民
-5, -9
典型值
最大
单位
参数
电源特性
电流I + （注8）
25
满
-
-
-
-
-
-
-
-
0.09
-
0.01
-
0.01
-
0.01
-
0.5
1
10
100
10
100
10
100
-
-
-
-
-
-
-
-
0.09
-
0.01
-
0.01
-
0.01
-
0.5
1
100
-
100
-
100
-
mA
mA
A
A
A
A
A
A
目前，I- （注8）
25
满
电流I + （注9）
25
满
目前，I- （注9 ）
25
满
注意事项：
2. V
S
=
±10V,
I
OUT
=
3. V
S
=
±14V,
V
D
=
4. V
S
= V
D
=
±14V.
10毫安。导通电阻是来自于开关两端的在这些条件下测得的电压。
14V.
5.数字输入二极管保护MOS门和仅为1nA以下可以预期的典型泄漏。
6. V
S
= 1V
RMS
中，f = 500kHz的，C
L
= 15pF的，R
L
= 1K.
7. V
S
= 0V ，C
L
= 10nF的，逻辑驱动器= 5V的脉冲。交换机是对称的; S和D可以互换。电荷注入= Q = C
L
x
V.
8. V
IN
= 4V （一个输入，所有其它输入= 0V） 。
9. V
IN
= 0.8V （所有输入） 。
10.从DTL / TTL电路，上拉电阻开车到+ 5V电源推荐。
测试电路和波形
15V
S
V
S
= +3V
R
L
300
逻辑
输入
GND
V-
-15V
90%
0V
开关
产量
t
关闭
t
ON
10%
V+
D
V
O
C
L
33pF
开关
产量
逻辑
输入
0V
V
S
逻辑“1” =开关开
V
INH
50%
50%
开关类型
HI-303
V
INH
4V
图1A 。测试电路
图1.开关（t）
ON
和T
关闭
图1B 。测量点
4
FN3125.10
2004年11月17日
HI- 301通HI- 307
TM
数据表
2000年3月
网络文件编号
3125.4
CMOS模拟开关
在HI- 301通HI -307系列交换机是单片
器件采用CMOS工艺和Intersil的制作
介质隔离工艺。这些开关具有突破
前先切换，低和几乎恒定的开
阻力在整个模拟信号范围和低功耗
耗散， （几毫瓦的的III- 301和HI- 303 ，数
百毫瓦的HI- 307 ） 。
在HI- 301和HI -303与TTL兼容，并且具有逻辑
“0”状态以比0.8V的输入和少一个逻辑“1”的
条件与输入大于4V 。在HI- 307交换机
为CMOS兼容，具有低的状态与输入
比小于3.5V和高状态与输入较大
11V 。 （见引脚用于开关条件与逻辑“1 ”输入。 ）
特点
模拟信号范围（ ±15V电源） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±15V
低漏25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40PA
低漏125
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为1nA
低导通电阻为25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
突破前先延迟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为60ns
电荷注入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30PC
TTL ， CMOS兼容
对称开关元件
低工作功耗（典型值适用于HL- 301和HI- 303 ） 。 。 1.0MW
订购信息
部分
数
HI9P0301-5
HI1-0303-2
HI1-0303-5
HI9P0303-5
HI9P0303-9
HI1-0307-5
温度。
RANGE （
o
C)
0-75
-55至125
0-75
0-75
-40到85
0-75
包
14 Ld的SOIC
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的CERDIP
PKG 。号
M14.15
F14.3
F14.3
M14.15
M14.15
F14.3
应用
采样和保持（即，低泄漏开关）
运算放大器增益切换（即，低导通电阻）
便携式，电池供电电路
低等级的开关电路
双或单电源系统
工作原理图
S
IN
N
P
D
引脚配置
开关状态如图所示为逻辑“1 ”输入
SPST HI- 301
（ SOIC ）
顶视图
NC 1
D
1
2
NC 3
S
1
4
NC 5
在6
7 GND
14 V+
13 D
2
12 NC
11 S
2
10 NC
9 NC
8 V-
双路SPDT HI- 303 （ CERDIP ， SOIC ）
HI- 307 （ CERDIP ）
顶视图
NC 1
S
3
2
D
3
3
D
1
4
S
1
5
IN
1
6
7 GND
14 V+
13 S
4
12 D
4
11 D
2
10 S
2
9
2
8 V-
逻辑
0
1
SW1
关闭
ON
SW2
ON
关闭
逻辑
0
1
SW1，SW2
关闭
ON
SW3，SW4
ON
关闭
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil的设计是Intersil Corporation的注册商标。
|
版权
Intersil公司2000
HI- 301通HI- 307
绝对最大额定值
电源之间的电压（V +至V-） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .44V （ ± 22V ）
数字输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （V +） + 4V至（ V-） -4V
模拟输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （V + ） + 1.5V至（ V-） -1.5V
典型的降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。在ICCOP 1.5毫安/ MHz的增加
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
95
40
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
120
不适用
最高结温
陶瓷封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
塑料封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围
HI- 3XX -2。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
HI- 3XX -5。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至75
o
C
HI- 3XX - 9 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至85
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
耗材= + 15V ， -15V ; V
IN
=逻辑输入。 HI- 301和HI - 303 ： V
IN
- 为逻辑“1”= 4V，为逻辑“0” = 0.8V。
HI - 307 ： V
IN
- 为逻辑“ 1 ” = 11V ，为逻辑“0” = 3.5V ，除非另有规定编
温度
(
o
C)
-2
民
典型值
最大
民
-5, -9
典型值
最大
单位
参数
动态特性
开关导通时间，T
ON
（注13 ）
开关关断时间，T
关闭
（注13 ）
开关导通时间，T
ON
（注14 ）
开关关断时间，T
关闭
（注14 ）
突破前先延迟，T
开放
电荷注入电压，
V
（注7 ）
截止隔离（注6 ）
输入开关电容，C
S（ OFF）
输出开关电容，C
D（关闭）
输出开关电容，C
D（上）
数字输入电容，C
IN
数字输入特性
输入低电平，V
INL
（注13 ）
输入高电平，V
INH
（注13 ）
输入低电平，V
INL
（注14 ）
输入高电平，V
INH
（注14 ）
输入漏电流（低） ，我
INL
（注5 ）
输入漏电流（高） ，我
INH
（注5 ）
模拟开关特性
模拟信号范围
导通电阻，R
ON
（注2 ）
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
210
160
160
100
60
3
60
16
14
35
5
300
250
250
150
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
210
160
160
100
60
3
60
16
14
35
5
300
250
250
150
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
mV
dB
pF
pF
pF
pF
满
满
满
满
满
满
-
4
-
11
-
-
-
-
-
-
-
-
0.8
-
3.5
-
1
1
-
4
-
11
-
-
-
-
-
-
-
-
0.8
-
3.5
-
1
1
V
V
V
V
A
A
满
25
满
-15
-
-
-
-
-
35
40
0.04
1
+15
50
75
1
100
-15
-
-
-
-
-
35
40
0.04
0.2
+15
50
75
5
100
V
nA
nA
关闭输入漏电流，I
S（ OFF）
（注3）
25
满
3
HI- 301通HI- 307
电气连接特定的阳离子
耗材= + 15V ， -15V ; V
IN
=逻辑输入。 HI- 301和HI - 303 ： V
IN
- 为逻辑“1”= 4V，为逻辑“0” = 0.8V。
HI - 307 ： V
IN
- 为逻辑“ 1 ” = 11V ，为逻辑“0” = 3.5V ，除非另有规定编
（续）
温度
(
o
C)
25
满
漏电电流，I
D（上）
（注4 ）
25
满
电源特性
目前， I + （注8 ， 13 ）
25
满
目前，I- （注8 ， 13 ）
25
满
电流I + （注9 ，13）
25
满
当前， Ⅰ-（注9 ，13）
25
满
电流I + （注10 ， 14）
25
满
当前， Ⅰ-（备注10 ， 14）
25
满
电流I + （注11,14）
25
满
目前，I- （注11 ， 14 ）
25
满
注意事项：
2. V
S
=
±10V,
I
OUT
= 10毫安。导通电阻是来自于开关两端的在这些条件下测得的电压。
3. V
S
=
±14V,
V
D
= 14V.
4. V
S
= V
D
=
±14V.
5.数字输入二极管保护MOS门和仅为1nA以下可以预期的典型泄漏。
6. V
S
= 1V
RMS
中，f = 500kHz的，C
L
= 15pF的，R
L
= 1K.
7. V
S
= 0V ，C
L
= 10nF的，逻辑驱动器= 5V脉冲（ HI - 301 - 303 ） ， 15V脉冲（ HI - 307 ） 。交换机是对称的; S和D可以互换。收费
注= Q = C
L
x
V.
8. V
IN
= 4V （一个输入，所有其它输入= 0V） 。
9. V
IN
= 0.8V （所有输入） 。
10. V
IN
= 15V （所有输入） 。
11. V
IN
= 0V （所有输入） 。
12.从DTL / TTL电路，上拉电阻开车到+ 5V电源推荐。
13 HI- 301通仅HI- 303 。
14 HI- 307只。
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0.09
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0.01
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0.01
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0.01
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0.01
-
0.01
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0.01
-
0.01
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0.5
1
10
100
10
100
10
100
10
100
10
100
10
100
10
100
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0.09
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0.01
-
0.01
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0.01
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0.01
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0.01
-
0.01
-
0.01
-
0.5
1
100
-
100
-
100
-
100
-
100
-
100
-
100
-
mA
mA
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
-2
民
-
-
-
-
典型值
0.04
1
0.03
0.5
最大
1
100
1
100
民
-
-
-
-
-5, -9
典型值
0.04
0.2
0.03
0.2
最大
5
100
5
100
单位
nA
nA
nA
nA
参数
关闭输出漏电流，I
D（关闭）
（注3）
4
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