HI- 8585 ， HI- 8586
2006年8月
ARINC- 429线路驱动器
引脚配置
SLP1.5
1
TX0IN
2
TX1IN
3
GND
4
描述
在HI- 8585和HI- 8586顷CMOS集成电路
设计为直接驱动ARINC 429总线采用8引脚
封装。两个逻辑输入控制的差分电压
之间的输出引脚产生10伏一，一
-10伏的零，和一个为0伏空。
该CMOS / TTL控制输入转换为ARINC
使用板载齐纳二极管指定振幅。一个逻辑输入
被提供给控制差分输出的斜率
信号。定时是由片上的电阻和电容，并设置
通过测试， ARINC要求之内。
在HI- 8585具有37.5欧姆串联各线路驱动器
输出。对HI - 8586提供了绕过一部分的选项
输出电阻，使得外部串联保护
电路可以增加自己的抗性。
在HI- 8585或者HI- 8586一起HI- 8588线
接收器提供最小的可用选项，以获得与
关闭ARINC总线。
8
V+
7
TXBOUT
6
TXAOUT
5
V-
电源电压
V + = 12V至15V
V- = -12V到-15V
功能表
TX1IN TX0IN SLP1.5
TXAOUT
0V
-5V
-5V
5V
5V
0V
TXBOUT
0V
5V
5V
-5V
-5V
0V
坡
不适用
10
m
s
1.5
m
s
10
m
s
1.5
m
s
不适用
0
0
0
0
1
1
0
0
1
X
0
1
0
1
X
特点
!
!
!
!
!
!
!
!
直接ARINC 429线路驱动器接口
在一个小型封装
片上稳压来设置输出电平
片上线驱动的斜率控制和
选择由逻辑输入
低电流12 15伏特电源
1
1
1
引脚说明表
针
符号
SLP 1.5
TX0IN
TX1IN
GND
V-
TXAOUT
TXBOUT
V+
功能
逻辑输入
逻辑输入
逻辑输入
动力
动力
产量
产量
动力
描述
CMOS或TTL ，V +是OK
CMOS或TTL
CMOS或TTL
地
-12至-15伏
LINE DRIVER终端的
LINE DRIVER B候机楼
+12至+15伏
1
2
CMOS / TTL逻辑引脚
塑料和陶瓷封装选项 -
表面安装和DIP
耐热增强型SOIC封装
MIL处理可用
3
4
5
6
7
8
（ DS8585启十）
HOLT集成电路
www.holtic.com
08/06
HI- 8585 ， HI- 8586
功能说明
图1是该线路驱动器的框图。在+ 5V和
内部产生使用片齐纳二极管-5V水平。
电流的斜率控制由齐纳二极管两端的电压设置
片内电阻。
该TX0IN和TX1IN输入接收从逻辑信号
控制发射器芯片，如HI -6010 ， HI- 3282或
HI- 8282 。 TXAOUT和TXBOUT持有的每一面
ARINC总线在地面直到一个输入变为
一。如果例如TX1IN变高时，充电路径为
启用5V上的“A ”端的内部电容，而
的“B”侧，使能-5V 。充电电流选单片
由SLP1.5引脚进行选择。如果SLP1.5引脚为高电平时，则
电容器名义上从10％充电到90％，在为1.5μs 。
如果SLP1.5低，上升和下降时间为10μs 。
单位增益缓冲器接收内部产生的斜坡
和差分驱动ARINC线。电流限制
由串联输出电阻，每个引脚。没有
融合在HI- 8585的输出作为存在于HI-
8382.
在HI- 8585具有37.5欧姆串联每个输出和
在HI - 8586具有2欧姆串联每个输出。该
HI- 8586是应用外部串联电阻
距离受到要求，通常用于避雷装置。
无论是HI- 8585和HI - 8586顷使用内置高速
CMOS技术。应注意，以确保
V +和V-用品局部地去耦，该
输入波形是无负电压尖峰
这可能会影响芯片的内部斜坡控制电路。
5V
一
“A”端
当前
控制
TXAOUT
HI - 8585 = 37.5欧姆
HI - 8586 = 2欧姆
零
零
-5V
TX0IN
TX1IN
ESD
保护
和
电压
翻译
控制
逻辑
SLP1.5
5V
一
的“B”侧
当前
控制
TXBOUT
HI - 8585 = 37.5欧姆
HI - 8586 = 2欧姆
零
零
控制
逻辑
-5V
图1 - LINE DRIVER框图
5V
1
硬线
OR
赶出逻辑
{
2
8
4
VCC
特斯塔
TESTB
ROUTA
ROUTB
6
7
RXD1
RXD0
HI-8588
RINA
RINB
应用信息
图2示出了一个可能的应用
在HI - 8585 / 86接口的ARINC
传递从HI -6010的通道。
ARINC
通道
3
HI-6010
5
15V
1
6
SLP1.5
TXAOUT
8位总线
8
V+
TX1IN
TX0IN
V-
3
2
ARINC
通道
TXD1
TXD0
7
HI-8585
TXBOUT
GND
4
5
-15V
图2 - 应用图
HOLT集成电路
2
HI- 8585 ， HI- 8586
绝对最大额定值
电压参考地
电源电压
V+....................................................20V
V-....................................................-20V
每个输入引脚的直流电流................ + 10毫安
在25℃时的功耗
塑料DIL ............ 1.0W ，减免10毫瓦/°C的
陶瓷DIL .......... 0.5W ，减免7MW /°C的
焊料温度........ 275 ℃下进行10秒
储存温度........- 65 ° C至+ 150°C
注：上述强调绝对最大
收视率或外推荐工作
情况可能会造成永久性损坏
该设备。这些压力额定值只。
不建议手术的限制。
推荐工作条件
电源电压
V + ............... + 11.4V到16.5V +
V -.................................. -11.4V到-16.5V
温度范围
工业筛选.........- 40 ° C至+ 85°C
HI-温度筛选........- 55 ° C至+ 125°C
军事筛选..........- 55 ° C至+ 125°C
DC电气特性
V + = + 12V至+ 15V ，V = -12V到-15V ， TA =工作温度范围（除非另有说明）
参数
输入电压（ TX1IN ， TX0IN ， SLP1.5 ）
高
低
输入电流（ TX1IN ， TX0IN ， SLP1.5 ）
来源
SINK
ARINC输出电压（差分）
一
零
零
ARINC输出电压（参考到GND）
一或零
零
工作电源电流
V+
V-
ARINC输出阻抗
HI-8585
HI-8586
符号
V
IH
V
IL
测试条件
民
2.1
-
典型值
-
-
最大
V+
0.5
单位
伏
伏
I
IH
I
IL
V
IN
= 0V
V
IN
= 5V
-
-
-
-
0.1
0.1
m
A
m
A
V
DIFF1
V
DIFF0
V
DIFFN
无负载; TXAOUT - TXBOUT
9.00
无负载; TXAOUT - TXBOUT -11.00
无负载; TXAOUT - TXBOUT -0.50
10.00
-10.00
0
11.00
-9.00
0.50
伏
伏
伏
V
DOUT
V
NOUT
空载&幅度引脚
空载
SLP1.5 = V +
TX1IN & TX0IN = 0V ：无负载
TX0IN & TX1IN = 0V ：无负载
4.50
-0.25
5.00
0
5.50
0.25
伏
伏
I
DD
I
EE
Z
OUT
-
-14.0
6.0
-6.0
14.0
-
mA
mA
-
-
37.5
-
-
5
欧
欧
HOLT集成电路
3
HI- 8585 ， HI- 8586
AC电气特性
V + = 15.0V ，V = -15V ， TA =工作温度范围（除非另有说明）
参数
线路驱动器传播延迟
输出高到低
输出从低到高
线路驱动器转换时间
高速
输出高到低
输出从低到高
低速
输出高到低
输出从低到高
输入电容（ 1 ）
逻辑
注意事项：
1.保证，但未经测试
吨PHLX
吨plhx
SLP 1.5 = V +
引脚1 = 1的逻辑
引脚1 = 1的逻辑
SLP 1.5 = GND
引脚1 = 1的逻辑
引脚1 = 1的逻辑
符号
测试条件
在图3中定义的，无负载
-
-
500
500
-
-
ns
ns
民
典型值
最大
单位
吨FX
牛逼RX
吨FX
牛逼RX
1.0
1.0
5.0
5.0
1.5
1.5
10.0
10.0
2.0
2.0
15.0
15.0
s
s
s
s
CIN
-
-
10
pF
3脚
吨PHLX
吨plhx
销2
吨PHLX
牛逼RX
牛逼RX
VDIFF
引脚6 - 7针
90%
10%
90%
10%
10%
5V
0V
吨plhx
5V
0V
10V
0V
-10V
吨FX
吨FX
图3 - 线路驱动时序
HOLT集成电路
4
HI- 8585 ， HI- 8586
封装热特性
ARINC最大负荷
9, 10
包装样式
1
ARINC 429
数据速率
低速
3
高速
4
低速
高速
低速
高速
电源电流（mA ）
2
TA = 25
o
C
TA = 85
o
C
Ta=125
o
C
结温TJ（ ° C）
TA = 25
o
C
TA = 85
o
C
Ta=125
o
C
8引脚塑料DIP
8引脚塑料ESOIC
5
8引脚塑料ESOIC
6
16.8
27.3
17.4
27.6
17.1
27.3
17.2
26.7
17.5
27.1
17.2
27.1
16.9
25.9
16.9
25.9
16.7
26.2
58
75
68
97
52
57
116
132
126
147
110
112
157
169
166
186
151
157
TXAOUT和TXBOUT接地短路
7, 8, 9, 10
包装样式
1
ARINC 429
数据速率
低速
3
高速
4
低速
高速
低速
高速
电源电流（mA ）
2
TA = 25
o
C
TA = 85
o
C
Ta=125
o
C
结温TJ（ ° C）
TA = 25
o
C
TA = 85
o
C
Ta=125
o
C
8引脚塑料DIP
8引脚塑料ESOIC
5
53.6
46.9
46.4
42.1
48.5
46.8
50.7
38.7
47.6
43.8
45.6
41.1
52.2
42.5
68.1
67.1
46.1
40.5
131
135
167
177
112
116
181
181
191
212
161
168
217
219
221
223
186
197
8引脚塑料ESOIC
6
注意事项：
1.焊接单层铜PCB （ 3" X 4.5" X 0.062" ）设备在静止空气中拍摄的所有数据。
2.在100％占空比， 15V电源。 0.8对于12V电源乘以所有列的值。
3.低速：数据传输速率为12.5 Kbps的，负载： R = 400欧姆，C = 30 nF的。
4.高速数据速率= 100 Kbps的，负载： R = 400欧姆，C = 10 nF的。没有提出对C数据= 30 nF的
因为这被认为是不切实际的高速操作。
5. 8引脚塑料ESOIC （耐热增强型SOIC封装，内置散热片） 。散热器不焊接到PCB 。
6. 8引脚塑料ESOIC （耐热增强型SOIC封装，内置散热片） 。散热片焊接到PCB上。
7.类似的效果也可以得到与TXAOUT短路到TXBOUT 。
8.对于需要生存与持续短路，运行上面的应用TJ = 175 ℃，不推荐使用。
9.数据将随空气流动和散热所采用的方法而变化。
10.当前值是每个供应。
HEAT SINK - ESOIC套餐
采用8引脚热增强SOIC封装用于
HI - 8585 / HI- 8586产品。该ESOIC套餐包括
位于上的底表面上的金属散热片
装置。这种散热器应焊接到所述
印刷电路板，以获得最佳的热耗散。该
散热器被电气上与芯片分离的，并且可以是
焊接到任何地面或电源层。然而，由于
该芯片的基片是在V +时，连接所述散热片
该电源平面的建议，以避免噪声耦合
成电路。
HOLT集成电路
5
HI- 8585 ， HI- 8586
2011年9月
ARINC 429
线路驱动器
引脚配置
SLP1.5
1
TX0IN
2
TX1IN
3
GND
4
描述
在HI- 8585和HI- 8586顷CMOS集成电路
设计为直接驱动ARINC 429总线采用8引脚
封装。两个逻辑输入控制的差分电压
之间的输出引脚产生10伏一，一
-10伏的零，和一个为0伏空。
该CMOS / TTL控制输入转换为ARINC
使用船上的带隙基准指定振幅。
一个逻辑输入被提供以控制differen-的斜率
TiAl金属的输出信号。定时是由芯片上电阻器来设定，并
电容和测试是ARINC要求之内。
在HI- 8585具有37.5欧姆串联各线路驱动器
输出。对HI - 8586提供了绕过一部分的选项
输出电阻，使串联电阻可以是
在外部保护电路使用。
在HI- 8585或者HI- 8586一起HI- 8588或
HI- 8591线路接收器提供最小的可用选项
到上下车的ARINC总线。
8
V+
7
TXBOUT
6
TXAOUT
5
V-
电源电压
V + = 12V至15V
V- = -12V到-15V
功能表
TX1IN TX0IN SLP1.5
TXAOUT
0V
-5V
-5V
5V
5V
0V
TXBOUT
0V
5V
5V
-5V
-5V
0V
坡
不适用
10
m
s
1.5
m
s
10
m
s
1.5
m
s
不适用
0
0
0
0
1
1
0
0
1
X
0
1
0
1
X
特点
!
!
!
!
!
!
!
!
直接ARINC 429线路驱动器接口
在一个小型封装
片上带隙基准设置
输出电平
片上线驱动的斜率控制和
选择由逻辑输入
低电流12 15伏特电源
CMOS / TTL逻辑引脚
塑料和陶瓷封装选项 -
表面安装和DIP
耐热增强型SOIC封装
工业&扩展级温度
范围
1
1
1
引脚说明表
针
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
SLP 1.5
TX0IN
TX1IN
GND
V-
TXAOUT
TXBOUT
V+
功能
逻辑输入
逻辑输入
逻辑输入
动力
动力
产量
产量
动力
描述
CMOS或TTL ，V +是OK
CMOS或TTL
CMOS或TTL
地
-12至-15伏
LINE DRIVER终端的
LINE DRIVER B候机楼
+12至+15伏
（ DS 8585修订版N）
HOLT集成电路
www.holtic.com
09/11
HI- 8585 ， HI- 8586
功能说明
图1是该线路驱动器的框图。在+ 5V和
-5V水平产生内部采用片上频带 -
隙参考。电流的斜率控制由齐纳设置
在整个电压，片上电阻。
该TX0IN和TX1IN输入接收从逻辑信号
控制发射器芯片，如HI -6010 ， HI- 3282或
HI- 8282 。 TXAOUT和TXBOUT持有的每一面
ARINC总线在地面直到一个输入变为
一。如果例如TX1IN变高时，充电路径为
启用5V上的“A ”端的内部电容，而
的“B”侧，使能-5V 。充电电流选单片
由SLP1.5引脚进行选择。如果SLP1.5引脚为高电平时，则
电容器名义上从10％充电到90％，在为1.5μs 。
如果SLP1.5低，上升和下降时间为10μs 。
单位增益缓冲器接收内部产生的斜坡
和差分驱动ARINC线。电流限制
由串联输出电阻，每个引脚。没有
融合在HI- 8585的输出作为存在于
Hi-8382.
在HI- 8585具有37.5欧姆串联每个输出和
在HI - 8586具有2欧姆串联每个输出。该
HI- 8586是应用外部串联电阻
距离受到要求，通常用于避雷装置。
无论是HI- 8585和HI - 8586顷使用内置高速
CMOS技术。应注意，以确保
V +和V-用品局部地去耦，该
输入波形是无负电压尖峰
这可能会影响芯片的内部斜坡控制电路。
5V
一
“A”端
当前
控制
TXAOUT
HI - 8585 = 37.5欧姆
HI - 8586 = 2欧姆
零
零
-5V
TX0IN
TX1IN
ESD
保护
和
电压
翻译
控制
逻辑
SLP1.5
5V
一
的“B”侧
当前
控制
TXBOUT
HI - 8585 = 37.5欧姆
HI - 8586 = 2欧姆
零
零
控制
逻辑
-5V
图1 - LINE DRIVER框图
5V
1
硬线
OR
赶出逻辑
{
2
8
4
VCC
特斯塔
TESTB
ROUTA
ROUTB
6
7
RXD1
RXD0
HI-8588
RINA
RINB
应用信息
图2示出了一个可能的应用
在HI - 8585 / 86接口的ARINC
传递从HI -6010的通道。
ARINC
通道
3
HI-6010
5
15V
1
6
SLP1.5
TXAOUT
8位总线
8
V+
TX1IN
TX0IN
V-
3
2
ARINC
通道
TXD1
TXD0
7
HI-8585
TXBOUT
GND
4
5
-15V
图2 - 应用图
HOLT集成电路
2
HI- 8585 ， HI- 8586
绝对最大额定值
电压参考地
电源电压
V+....................................................20V
V-....................................................-20V
每个输入引脚的直流电流................ + 10毫安
在25℃时的功耗
塑料DIL ............ 1.0W ，减免10毫瓦/°C的
陶瓷DIL .......... 0.5W ，减免7MW /°C的
焊料温度........ 275 ℃下进行10秒
储存温度........- 65 ° C至+ 150°C
推荐工作条件
电源电压
V + ............... + 11.4V到16.5V +
V -.................................. -11.4V到-16.5V
温度范围
工业.............- 40 ° C至+ 85°C
扩展...........- 55 ° C至+ 125°C
注：上述强调绝对最大
收视率或外推荐工作
情况可能会造成永久性损坏
该设备。这些压力额定值只。
不建议手术的限制。
DC电气特性
V + = + 12V至+ 15V ，V = -12V到-15V ， TA =工作温度范围（除非另有说明）
参数
输入电压（ TX1IN ， TX0IN ， SLP1.5 ）
高
低
输入电流（ TX1IN ， TX0IN ， SLP1.5 ）
来源
SINK
ARINC输出电压（差分）
一
零
零
ARINC输出电压（参考到GND）
一或零
零
工作电源电流
V+
V-
ARINC输出阻抗
HI-8585
HI-8586
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
IH
V
IL
2.1
-
-
-
V+
0.5
伏
伏
I
IH
I
IL
V
IN
= 0V
V
IN
= 5V
-
-
-
-
0.1
0.1
m
A
m
A
V
DIFF1
V
DIFF0
V
DIFFN
无负载; TXAOUT - TXBOUT
9.00
无负载; TXAOUT - TXBOUT -11.00
无负载; TXAOUT - TXBOUT -0.50
10.00
-10.00
0
11.00
-9.00
0.50
伏
伏
伏
V
DOUT
V
NOUT
空载&幅度引脚
空载
SLP1.5 = V +
TX1IN & TX0IN = 0V ：无负载
TX0IN & TX1IN = 0V ：无负载
4.50
-0.25
5.00
0
5.50
0.25
伏
伏
I
DD
I
EE
Z
OUT
-
-14.0
6.0
-6.0
14.0
-
mA
mA
-
-
37.5
-
-
2
欧
欧
HOLT集成电路
3
HI- 8585 ， HI- 8586
AC电气特性
V + = 15.0V ，V = -15V ， TA =工作温度范围（除非另有说明）
参数
线路驱动器传播延迟
输出高到低
输出从低到高
线路驱动器转换时间
高速
输出高到低
输出从低到高
低速
输出高到低
输出从低到高
输入电容（ 1 ）
逻辑
注意事项：
1.保证，但未经测试
吨PHLX
吨plhx
SLP 1.5 = V +
引脚1 = 1的逻辑
引脚1 = 1的逻辑
SLP 1.5 = GND
引脚1 = 1的逻辑
引脚1 = 1的逻辑
符号
测试条件
在图3中定义的，无负载
-
-
500
500
-
-
ns
ns
民
典型值
最大
单位
吨FX
牛逼RX
吨FX
牛逼RX
1.0
1.0
5.0
5.0
1.5
1.5
10.0
10.0
2.0
2.0
15.0
15.0
s
s
s
s
CIN
-
-
10
pF
3脚
吨PHLX
吨plhx
销2
吨PHLX
牛逼RX
牛逼RX
VDIFF
引脚6 - 7针
90%
10%
90%
10%
10%
5V
0V
吨plhx
5V
0V
10V
0V
-10V
吨FX
吨FX
图3 - 线路驱动时序
HOLT集成电路
4
HI- 8585 ， HI- 8586
封装热特性
ARINC最大负荷
9, 10
包装样式
1
ARINC 429
数据速率
低速
3
高速
4
低速
高速
低速
高速
电源电流（mA ）
2
TA = 25
o
C
TA = 85
o
C
Ta=125
o
C
结温TJ（ ° C）
TA = 25
o
C
TA = 85
o
C
Ta=125
o
C
8引脚塑料DIP
8引脚塑料ESOIC
5
8引脚塑料ESOIC
6
16.8
27.3
17.4
27.6
17.1
27.3
17.2
26.7
17.5
27.1
17.2
27.1
16.9
25.9
16.9
25.9
16.7
26.2
58
75
68
97
52
57
116
132
126
147
110
112
157
169
166
186
151
157
TXAOUT和TXBOUT接地短路
7, 8, 9, 10
包装样式
1
ARINC 429
数据速率
低速
3
高速
4
低速
高速
低速
高速
电源电流（mA ）
2
TA = 25
o
C
TA = 85
o
C
Ta=125
o
C
结温TJ（ ° C）
TA = 25
o
C
TA = 85
o
C
Ta=125
o
C
8引脚塑料DIP
8引脚塑料ESOIC
5
53.6
46.9
46.4
42.1
48.5
46.8
50.7
38.7
47.6
43.8
45.6
41.1
52.2
42.5
68.1
67.1
46.1
40.5
131
135
167
177
112
116
181
181
191
212
161
168
217
219
221
223
186
197
8引脚塑料ESOIC
6
注意事项：
1.焊接单层铜PCB （ 3" X 4.5" X 0.062" ）设备在静止空气中拍摄的所有数据。
2.在100％占空比， 15V电源。 0.8对于12V电源乘以所有列的值。
3.低速：数据传输速率为12.5 Kbps的，负载： R = 400欧姆，C = 30 nF的。
4.高速数据速率= 100 Kbps的，负载： R = 400欧姆，C = 10 nF的。没有提出对C数据= 30 nF的
因为这被认为是不切实际的高速操作。
5. 8引脚塑料ESOIC （耐热增强型SOIC封装，内置散热片） 。散热器不焊接到PCB 。
6. 8引脚塑料ESOIC （耐热增强型SOIC封装，内置散热片） 。散热片焊接到PCB上。
7.类似的效果也可以得到与TXAOUT短路到TXBOUT 。
8.对于需要生存与持续短路，运行上面的应用TJ = 175 ℃，不推荐使用。
9.数据将随空气流动和散热所采用的方法而变化。
10.当前值是每个供应。
HEAT SINK - ESOIC套餐
采用8引脚热增强SOIC封装用于
HI - 8585 / HI- 8586产品。该ESOIC套餐包括
位于上的底表面上的金属散热片
装置。这种散热器应焊接到所述
印刷电路板，以获得最佳的热耗散。该
散热器被电气上与芯片分离的，并且可以是
焊接到任何地面或电源层。然而，由于
该芯片的基片是在V +时，连接所述散热片
该电源平面的建议，以避免噪声耦合
成电路。
HOLT集成电路
5
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