HI- 8570 ， HI- 8571
2006年8月
+/- 5V电源， ARINC- 429线路驱动器
引脚配置
SLP1.5
1
TX0IN
2
TX1IN
3
GND
4
描述
在HI- 8570和HI- 8571顷CMOS集成电路
设计为直接驱动ARINC 429总线采用8引脚
封装。两个逻辑输入控制的差分电压
之间的输出引脚产生10伏一，一
-10伏的零，和一个为0伏空。
逻辑输入用于控制的斜率
差分输出信号。时序由一个片上设置
电阻器和电容器，并通过测试，内ARINC
要求。
在HI- 8570具有37.5欧姆串联各线路驱动器
输出。对HI - 8571提供了绕过一部分的选项
输出电阻，以便外部电阻可以
防雷电路增加。
在HI- 8570或者HI- 8571一起HI- 8588线
接收器提供最小的可用选项，以获得与
关闭theARINC 429总线。
8
V+
7
TXBOUT
6
TXAOUT
5
V-
电源电压
V+ = +5V
V- = -5V
功能表
TX1IN TX0IN SLP1.5
TXAOUT
0V
-5V
-5V
5V
5V
0V
TXBOUT
0V
5V
5V
-5V
-5V
0V
坡
不适用
10
m
s
1.5
m
s
10
m
s
1.5
m
s
不适用
0
0
0
0
1
1
0
0
1
X
0
1
0
1
X
特点
!
!
!
!
!
!
!
直接ARINC 429线路驱动器接口
在一个小型封装
片上线驱动的斜率控制和
选择由逻辑输入
低电流的5V电源
CMOS / TTL逻辑引脚
1
1
1
引脚说明表
针
符号
SLP 1.5
TX0IN
TX1IN
GND
V-
TXAOUT
TXBOUT
V+
功能
逻辑输入
逻辑输入
逻辑输入
动力
动力
产量
产量
动力
描述
CMOS或TTL ，V +是OK
CMOS或TTL
CMOS或TTL
地
-5伏
LINE DRIVER终端的
LINE DRIVER B候机楼
+5伏
1
2
3
塑料和陶瓷封装选项 -
表面安装和DIP
耐热增强型SOIC封装
MIL处理可用
4
5
6
7
8
（ DS8570版本B ）
HOLT集成电路
www.holtic.com
08/06
HI- 8570 ， HI- 8571
功能说明
图1是该线路驱动器的框图。在+ 5V和
从电源电压中产生-5V水平。电流
租金斜率控制由齐纳二极管两端的电压导通设置
片式电阻器。
该TX0IN和TX1IN输入接收从逻辑信号
控制发射器芯片，如HI -6010 ， HI- 3282 ， HI-
8282A ， HI- 8584和HI- 8783 。 TXAOUT和TXBOUT举行
在ARINC总线在地面的两侧，直到1
输入变成了一个。如果例如TX1IN变为高电平时，一个
充电路径被启用为5V上的“A”端内部
电容而“ B”侧启用-5V 。该charg-
荷兰国际集团当前的选择通过SLP1.5销。如果SLP1.5
引脚为高电平时，电容器被充电标称的10％至
90％中为1.5μs 。如果SLP1.5低，上升和下降时间
10s.
单位增益缓冲器接收内部产生的斜坡
和差分驱动ARINC线。电流限制
由串联输出电阻，每个引脚。没有
融合在HI- 8570的输出作为存在于HI-
8382.
在HI- 8570具有37.5欧姆串联每个输出和
在HI- 8571具有27.5欧姆串联每个输出。
在HI- 8571是应用外部串联重
电阻是否需要，通常防雷DE-
恶习。
无论是HI- 8570和HI - 8571顷使用内置高速
CMOS技术。应注意，以确保
V +和V-用品局部地去耦，该
输入波形是无负电压尖峰
这可能会影响芯片的内部斜坡控制电路。
5V
一
“A”端
当前
控制
TXAOUT
HI - 8570 = 37.5欧姆
HI - 8571 = 27.5欧姆
零
零
-5V
TX0IN
TX1IN
ESD
保护
和
电压
翻译
控制
逻辑
SLP1.5
5V
一
的“B”侧
当前
控制
TXBOUT
HI - 8570 = 37.5欧姆
HI - 8571 = 27.5欧姆
零
零
控制
逻辑
-5V
图1 - LINE DRIVER框图
5V
1
硬线
OR
赶出逻辑
{
2
8
4
VCC
特斯塔
TESTB
ROUTA
ROUTB
6
7
RXD1
RXD0
HI-8588
RINA
RINB
应用信息
图2示出了一个可能的应用
的HI-八千五百七十一分之八千五百七十〇的接口
从HI- ARINC发送通道
6010.
ARINC
通道
3
HI-6010
5
5V
1
6
SLP1.5
TXAOUT
8位总线
8
V+
TX1IN
TX0IN
V-
3
2
ARINC
通道
TXD1
TXD0
7
HI-8570
TXBOUT
GND
4
5
-5V
图2 - 应用图
HOLT集成电路
2
HI- 8570 ， HI- 8571
绝对最大额定值
电压参考地
电源电压
V+....................................................+7V
V-......................................................-7V
每个输入引脚的直流电流................. + 10毫安
在25℃时的功耗
塑料DIL ............ 1.0W ，减免10毫瓦/°C的
陶瓷DIL .......... 0.5W ，减免7MW /°C的
焊料温度........ 275 ℃下进行10秒
储存温度........- 65 ° C至+ 150°C
注：上述强调绝对最大
收视率或外推荐工作
情况可能会造成永久性损坏
该设备。这些压力额定值只。
不建议手术的限制。
推荐工作条件
电源电压
V + .................................... + 4.8V至+ 5.3V
V -..................................... -5.3V至-4.8V
温度范围
工业筛选.........- 40 ° C至+ 85°C
HI-温度筛选........- 55 ° C至+ 125°C
军事筛选..........- 55 ° C至+ 125°C
DC电气特性
V + = + 5V ，V = -5V ，T
A
=工作温度范围（除非另有说明）
参数
输入电压（ TX1IN ， TX0IN ， SLP1.5 ）
高
低
输入电流（ TX1IN ， TX0IN ， SLP1.5 ）
来源
SINK
ARINC输出电压（差分）
一
零
零
ARINC输出电压（参考到GND）
一或零
零
工作电源电流
V+
V-
ARINC输出阻抗
HI-8570
HI-8571
符号
V
IH
V
IL
测试条件
民
2.1
-
典型值
-
-
最大
V+
0.5
单位
伏
伏
I
IH
I
IL
V
IN
= 0V
V
IN
= 5V
-
-
-
-
0.1
0.1
m
A
m
A
V
DIFF1
V
DIFF0
V
DIFFN
无负载; TXAOUT - TXBOUT
9.00
无负载; TXAOUT - TXBOUT -11.00
无负载; TXAOUT - TXBOUT -0.50
10.00
-10.00
0
11.00
-9.00
0.50
伏
伏
伏
V
DOUT
V
NOUT
空载&幅度引脚
空载
SLP1.5 = V +
TX1IN & TX0IN = 0V ：无负载
TX0IN & TX1IN = 0V ：无负载
4.50
-0.25
5.00
0
5.50
0.25
伏
伏
I
DD
I
EE
Z
OUT
-
-10.0
6.0
-6.0
10.0
-
mA
mA
-
-
37.5
27.5
-
-
欧
欧
HOLT集成电路
3
HI- 8570 ， HI- 8571
封装热特性
ARINC最大负荷
包装样式
1
ARINC 429
数据速率
低速
3
高速
4
电源电流（mA ）
TA = 25
°
C
TA = 85
°
C
2
结温， TJ
°
C
TA = 25
°
C
TA = 85
°
C
TA = 125
°
C
TA = 125
°
C
8引脚塑料ESOIC
5
20.98
26.40
20.96
26.16
20.96
25.96
38.24
44.78
98.34
104.66
138.92
144.59
TXAOUT和TXBOUT接地短路
包装样式
1
6,7,8
ARINC 429
数据速率
低速
3
电源电流（mA ）
TA = 25
°
C
TA = 85
°
C
2
结温， TJ
°
C
TA = 25
°
C
TA = 85
°
C
TA = 125
°
C
TA = 125
°
C
8引脚塑料ESOIC
5
30.26
30.44
29.22
29.42
28.46
28.68
53.75
53.92
112.76
112.95
152.04
152.25
高速
4
注意事项：
1.在静止空气中拍摄的所有数据。
2.在100％占空比，5V电源。
3.低速：数据传输速率为12.5 Kbps的，负载： R = 400欧姆，C = 30 nF的。
4.高速数据速率= 100 Kbps的，负载： R = 400欧姆，C = 10 nF的。没有提出对C数据= 30 nF的
因为这被认为是不切实际的高速操作。
5. 8引脚塑料ESOIC （耐热增强型SOIC封装，内置散热片） 。散热器没有焊接。
6.类似的结果会得到具有TXAOUT短路到TXBOUT 。
7.对于需要生存与持续短路，运行上面的应用TJ = 175 ℃，不推荐使用。
8.数据将随空气流动和散热所采用的方法而变化。
HEAT SINK - ESOIC套餐
采用8引脚热增强SOIC封装用于
HI - 8570 / HI- 8571产品。该ESOIC套餐包括
位于上的底表面上的金属散热片
装置。这种散热器应焊接到所述
印刷电路板，以获得最佳的热耗散。该
散热器被电气上与芯片分离的，并且可以是
焊接到任何地面或电源层。然而，由于
该芯片的基片是在V +时，连接所述散热片
该电源平面的建议，以避免噪声耦合
成电路。
HOLT集成电路
5
HI- 8570 ， HI- 8571
2013年8月
ARINC 429
+/- 5V电源线路驱动器
引脚配置
SLP1.5
1
TX0IN
2
TX1IN
3
GND
4
描述
在HI- 8570和HI- 8571顷CMOS集成电路
设计为直接驱动ARINC 429总线采用8引脚
封装。两个逻辑输入控制的差分电压
之间的输出引脚产生10伏一，一
-10伏的零，和一个为0伏空。
逻辑输入用于控制的斜率
差分输出信号。时序由一个片上设置
电阻器和电容器，并通过测试，内ARINC
要求。
在HI- 8570具有37.5欧姆串联各线路驱动器
输出。对HI - 8571提供了绕过一部分的选项
输出电阻，以便外部电阻可以
防雷电路增加。
在HI- 8570或者HI- 8571一起HI- 8588线
接收器提供最小的可用选项，以获得与
关闭theARINC 429总线。
8
V+
7
TXBOUT
6
TXAOUT
5
V-
电源电压
V+ = +5V
V- = -5V
功能表
TX1IN TX0IN SLP1.5
TXAOUT
0V
-5V
-5V
5V
5V
0V
TXBOUT
0V
5V
5V
-5V
-5V
0V
坡
不适用
10
m
s
1.5
m
s
10
m
s
1.5
m
s
不适用
0
0
0
1
1
1
0
1
1
0
0
1
X
0
1
0
1
X
特点
直接ARINC- 429线路驱动器接口
在一个小型封装
片上线驱动的斜率控制和
选择由逻辑输入
低电流的5V电源
CMOS / TTL逻辑引脚
塑料和陶瓷封装选项 -
表面安装和DIP
耐热增强型SOIC封装
扩展级温度和老化
可用的
引脚说明表
针
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
SLP 1.5
TX0IN
TX1IN
GND
V-
TXAOUT
TXBOUT
V+
功能
逻辑输入
逻辑输入
逻辑输入
动力
动力
产量
产量
动力
描述
CMOS或TTL ，V +是OK
CMOS或TTL
CMOS或TTL
地
-5伏
LINE DRIVER终端的
LINE DRIVER B候机楼
+5伏
（ DS8570修订版E）
HOLT集成电路
www.holtic.com
08/13
HI- 8570 ， HI- 8571
功能说明
图1是该线路驱动器的框图。在+ 5V和
从电源电压中产生-5V水平。电流
租金斜率控制由齐纳二极管两端的电压导通设置
片式电阻器。
该TX0IN和TX1IN输入接收从逻辑信号
控制发射器芯片，如HI -6010 ， HI- 3282 ， HI-
8282A ， HI- 8584和HI- 8783 。 TXAOUT和TXBOUT举行
在ARINC总线在地面的两侧，直到1
输入变成了一个。如果例如TX1IN变为高电平时，一个
充电路径被启用为5V上的“A”端内部
电容而“ B”侧启用-5V 。该charg-
荷兰国际集团当前的选择通过SLP1.5销。如果SLP1.5
引脚为高电平时，电容器被充电标称的10％至
90％中为1.5μs 。如果SLP1.5低，上升和下降时间
10s.
单位增益缓冲器接收内部产生的斜坡
和差分驱动ARINC线。电流限制
由串联输出电阻，每个引脚。没有
融合在HI- 8570的输出作为存在于HI-
8382.
在HI- 8570具有37.5欧姆串联每个输出和
在HI- 8571具有27.5欧姆串联每个输出。
在HI- 8571是应用外部串联重
电阻是否需要，通常防雷DE-
恶习。
无论是HI- 8570和HI - 8571顷使用内置高速
CMOS技术。应注意，以确保
V +和V-用品局部地去耦，该
输入波形是无负电压尖峰
这可能会影响芯片的内部斜坡控制电路。
5V
一
“A”端
当前
控制
TXAOUT
HI - 8570 = 37.5欧姆
HI - 8571 = 27.5欧姆
零
零
-5V
TX0IN
TX1IN
ESD
保护
和
电压
翻译
控制
逻辑
SLP1.5
5V
一
的“B”侧
当前
控制
TXBOUT
HI - 8570 = 37.5欧姆
HI - 8571 = 27.5欧姆
零
零
控制
逻辑
-5V
图1 - LINE DRIVER框图
5V
1
硬线
OR
赶出逻辑
{
2
8
4
VCC
特斯塔
TESTB
ROUTA
ROUTB
6
7
RXD1
RXD0
HI-8588
RINA
RINB
应用信息
图2示出了一个可能的应用
的HI-八千五百七十一分之八千五百七十〇的接口
从HI- ARINC发送通道
6010.
ARINC
通道
3
HI-6010
5
5V
1
6
SLP1.5
TXAOUT
8位总线
8
V+
TX1IN
TX0IN
V-
3
2
ARINC
通道
TXD1
TXD0
7
HI-8570
TXBOUT
GND
4
5
-5V
图2 - 应用图
HOLT集成电路
2
HI- 8570 ， HI- 8571
绝对最大额定值
电压参考地
电源电压
V+....................................................+7V
V-......................................................-7V
每个输入引脚的直流电流.................
±
10mA
在25℃时的功耗
塑料DIL ............ 1.0W ，减免10毫瓦/°C的
陶瓷DIL .......... 0.5W ，减免7MW /°C的
回流焊温度............... 260℃
储存温度........- 65 ° C至+ 150°C
注：上述强调绝对最大
收视率或外推荐工作
情况可能会造成永久性损坏
该设备。这些压力额定值只。
不建议手术的限制。
推荐工作条件
电源电压
V + .................................... + 4.8V至+ 5.3V
V -..................................... -5.3V至-4.8V
温度范围
工业........................- 40 ° C至+ 85°C
扩展......................- 55 ° C至+ 125°C
DC电气特性
V + = + 5V ，V = -5V ，T
A
=工作温度范围（除非另有说明）
参数
输入电压（ TX1IN ， TX0IN ， SLP1.5 ）
高
低
输入电流（ TX1IN ， TX0IN ， SLP1.5 ）
来源
SINK
ARINC输出电压（差分）
一
零
零
ARINC输出电压（参考到GND）
一或零
零
工作电源电流
V+
V-
ARINC输出阻抗
HI-8570
HI-8571
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
IH
V
IL
2.1
-
-
-
V+
0.5
伏
伏
I
IH
I
IL
V
IN
= 0V
V
IN
= 5V
-
-
-
-
0.1
0.1
m
A
m
A
V
DIFF1
V
DIFF0
V
DIFFN
无负载; TXAOUT - TXBOUT
9.00
无负载; TXAOUT - TXBOUT -11.00
无负载; TXAOUT - TXBOUT -0.50
10.00
-10.00
0
11.00
-9.00
0.50
伏
伏
伏
V
DOUT
V
NOUT
空载&幅度引脚
空载
SLP1.5 = V +
TX1IN & TX0IN = 0V ：无负载
TX0IN & TX1IN = 0V ：无负载
4.50
-0.25
5.00
0
5.50
0.25
伏
伏
I
DD
I
EE
Z
OUT
-
-10.0
6.0
-6.0
10.0
-
mA
mA
-
-
37.5
27.5
-
-
欧
欧
HOLT集成电路
3
HI- 8570 ， HI- 8571
封装热特性
ARINC最大负荷
包装样式
1
ARINC 429
数据速率
低速
3
高速
4
电源电流（mA ）
TA = 25
°
C
TA = 85
°
C
2
结温， TJ
°
C
TA = 25
°
C
TA = 85
°
C
TA = 125
°
C
TA = 125
°
C
8引脚塑料ESOIC
5
20.98
26.40
20.96
26.16
20.96
25.96
38.24
44.78
98.34
104.66
138.92
144.59
TXAOUT和TXBOUT接地短路
包装样式
1
6,7,8
ARINC 429
数据速率
低速
3
电源电流（mA ）
TA = 25
°
C
TA = 85
°
C
2
结温， TJ
°
C
TA = 25
°
C
TA = 85
°
C
TA = 125
°
C
TA = 125
°
C
8引脚塑料ESOIC
5
30.26
30.44
29.22
29.42
28.46
28.68
53.75
53.92
112.76
112.95
152.04
152.25
高速
4
注意事项：
1.在静止空气中拍摄的所有数据。
2.在100％占空比，5V电源。
3.低速：数据传输速率为12.5 Kbps的，负载： R = 400欧姆，C = 30 nF的。
4.高速数据速率= 100 Kbps的，负载： R = 400欧姆，C = 10 nF的。没有提出对C数据= 30 nF的
因为这被认为是不切实际的高速操作。
5. 8引脚塑料ESOIC （耐热增强型SOIC封装，内置散热片） 。散热器没有焊接。
6.类似的结果会得到具有TXAOUT短路到TXBOUT 。
7.对于需要生存与持续短路，运行上面的应用TJ = 175 ℃，不推荐使用。
8.数据将随空气流动和散热所采用的方法而变化。
HOLT集成电路
5
QQ：2880707522 复制
