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HI- 8195 , HI- 8196 , HI- 8197
2011年12月
28Ω QUAD SPST模拟开关
开路时关闭电源
特点
·
用了CMOS模拟开关至+/- 10V的共模范围
·
28
W
最高25°C时具有共模< +/- 5V
·
健壮的CMOS硅绝缘体( SOI)技术
·
开关节点是开路时,芯片被断电
·
与1nA的典型关闭泄漏SOI隔离开关
·
卓越的ESD保护> HBM 4KV
·
有突破前先快速开关时间
·
低功耗
·
扩展温度范围( -55 ° C至+ 125°C )
概述
在HI - 8195是一款四通道CMOS模拟开关制造与Sili-
精读 - 绝缘体( SOI)技术为闩锁释放操作
和最大的隔离开关。这些开关是理想
适用于要求苛刻的低漏电开关时,应用程序
电源引脚均为0V 。
逻辑电源( VLOGIC )可从2.5V独立设置
至5V不改变开关电阻( RON ) 。同
V + / V-设置为+/- 15V和+ 5V的信号范围为-5V时, RON
最大值为28
W
在25℃下,并从平面的最大偏差
通常小于10%。
这些开关进行同样好于任一方向。动力
下来,关状态泄漏小于10nA的最大。
电荷注入小于10PC 。开关时间与3.3V
VLOGIC供应通常是55ns到ON状态,要为35ns
断开状态。
在HI- 8195提供四个每个常开开关时,
在开关控制输入为低。在HI- 8196提供四个
各常闭开关时,开关的控制输入
是低的。在HI- 8197提供了两种的组合,通常
封闭和两个常开开关。
行业标准的塑料封装选项包括16引脚
SOIC , DIP和QFN封装。陶瓷封装可在重
的追求。这三款产品均提供两个工业
( -40 ° C至
+ 85°C )和扩展( -55 ° C至+ 125 ° C)温度范围OP-
系统蒸发散。
销刀豆网络gurations
(俯视图)
IN1 1
S1A 2
S1B 3
V- 4
GND 5
S4B 6
S4A 7
IN4 8
16 IN2
15 S2A
14 S2B
13 V+
12 VLOGIC
11 S3B
10 S3A
9 IN3
HI- 8195PSx , HI- 8195PDx
16引脚SO或DIP封装
16 S1A
13 S2A
12 S2B
11 V+
10 VLOGIC
9
S3B
15 IN1
IN4 6
S1B 1
V- 2
GND 3
S4B 4
S4A 5
IN3 7
·
航空电子学
·
数据总线隔离
·
采样保持电路
·
测试设备
·
通信系统
HI-8195PCx
16引脚5mm x 5mm的芯片级封装
产品选项
部件类型IN1
HI-8195
0
1
HI-8196
0
1
HI-8197
0
1
开关1
开放
关闭
关闭
开放
开放
关闭
IN2
0
1
0
1
0
1
开关2
开放
关闭
关闭
开放
关闭
开放
IN3
0
1
0
1
0
1
开关3
开放
关闭
关闭
开放
关闭
开放
IN4
0
1
0
1
0
1
开关4
开放
关闭
关闭
开放
开放
关闭
( DS8195启新)
HOLT集成电路
www.holtic.com
S3A 8
应用
14 IN2
12/11
HI- 8195 , HI- 8196 , HI- 8197
引脚说明
信号
IN1
S1A
S1B
V-
GND
S4B
S4A
IN4
IN3
S3A
S3B
VLOGIC
V+
S2B
S1B
IN2
功能
逻辑输入
开关节点
开关节点
供应
供应
开关节点
开关节点
逻辑输入
逻辑输入
开关节点
开关节点
供应
供应
开关节点
开关节点
逻辑输入
描述
HI- 8195和HI- 8197顷常开,当输入为低电平
开关节点1
开关节点1
负电源
参考地
开关4节点
开关4节点
HI- 8195和HI- 8197顷常开,当输入为低电平
HI- 8196和HI- 8197顷正常关闭时,输入低
开关3节点
开关3节点
3.3V或5.0V逻辑电源
正电源
开关节点2
开关节点2
HI- 8196和HI- 8197顷正常关闭时,输入低
70W
60W
V+/V- = 15.0V
V+/V- = 10.0V
70W
60W
T = + 125°C
T = + 25℃
T = -55℃
R
ON
40W
30W
20W
10W
R
ON
-10V
-5V
0V
V
开关
5V
10V
15V
50W
50W
40W
30W
20W
10W
-15V
-15V
-10V
-5V
0V
V
开关
5V
10V
15V
典型
ON
作为V的函数
供应
V
开关
(10mA拉开关电流, 25 ° C)
典型
ON
作为V的函数
开关
温度(10mA拉开关电流,V
供应
=+/-15V)
HOLT集成电路
2
HI- 8195 , HI- 8196 , HI- 8197
绝对最大额定值
(电压参考GND = 0V)
电源电压,V + : ............................................. ............................... 16.5V连续功率耗散( TA = 70℃ ) :
电源电压,V - : ............................................ .................................- 16.5V
SO封装(减免6.7mW /°C, 70°C以上) ................... 696mW
电源电压,V
逻辑
.........................................................................5.5V
塑料DIP (减免10.53兆瓦/°C, 70°C以上) ................. 842mW
开关电流(任一方向, DC) : ......................................... ........ 20毫安
薄型QFN (减免21.3mW /°C, 70°C以上) ................... 1702mW
峰值开关电流( 1毫秒脉冲,占空比为10%以下) .................. 100毫安
数字输入电压( IN1-4 ) : .....................................- 0.3V至V
逻辑
+ 0.3V存储温度范围: ......................................- 65 ° C至+ 150°C
工作温度范围: (工业) ..........................- 40 ° C至+ 85°C
(高温度) ........................- 55 ° C至+ 125°C
最高结温............................................... ......... 175℃
注:超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这些压力额定值只。
该设备在这些或以上的规范的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
焊接温度:
(陶瓷) ...................... 60秒。在+ 300℃下
(塑料 - 引线) ............. 10秒。在+ 280 ℃下
(塑料 - 体) ..................... + 260 ° C最大。
电气特性
V + = 15V ,V = -15V , GND = 0V 。工作温度范围(除非另有说明) 。
V
逻辑
= 3.3V
参数
交换机参数
开关导通电阻
25 ° C, 10毫安
泄漏
(开式回路和
关机)
R
ON
V + / V - = + / - 15V , VS = + / - 5V
V + / V - = + / - 15V , VS = + / - 10V
V + / V - = + / - 10V , VS = + / - 5V
开关电压± 10V ,25°C
开关电压± 10V , 125 °
开关电压± 10V , -55°C
1
1
1
2
2
2
18
18
20
24
27
28
28
31
32
5
20
150
18
18
20
24
27
28
28
31
32
5
20
150
W
W
W
nA
nA
nA
V
逻辑
= 5.0V
典型值
最大
符号
条件
科幻gure
典型值
最大
单位
|I
SWLEAK
|
|I
SWLEAK
|
|I
SWLEAK
|
逻辑输入
输入高电压
输入低电压
输入电流
供应
当前VLOGIC
V +电流
V-电流
动力参数
启动时间
关闭时间
先开后合式时间
电荷注入
关断隔离
相声
电容
T
ON
T
关闭
T
D
Q
R
R
C
R
C
关闭
C
ON
V + / V- = ± 10V ,25°C
V
S
= ± 10V , -55 ° C至+ 125°C
V + / V- = ± 10V ,25°C
V
S
= ± 10V , -55 ° C至+ 125°C
10V信号,25°C
10V信号, -55 ° C至+ 125°C
V
S
= 0V ,R
S
=0
W,
25°C
F = 1兆赫,25°C
F = 1兆赫,25°C
关机,25°C
交换机上,25°C
3
3
3
3
4
4
5
6
7
8
9
4
-10
65
90
12
46
55
75
35
40
8
4
-10
65
90
12
46
8
20
25
35
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pC
dB
dB
pF
pF
I
DD1
I
DD2
I
EE
任何国家
任何国家
任何国家
-0.5
0.5
0.5
-0.5
0.5
0.5
μA
μA
μA
V
IH
V
IL
I
IN
V
IN
= 0V或V
IN
= VLOGIC
-0.5
70
30
0.5
-0.5
70
30
0.5
%V
逻辑
%V
逻辑
μA
HOLT集成电路
3
HI- 8195 , HI- 8196 , HI- 8197
测试电路
I
DS
V
1
SA
SB
I
S
(关闭)
SA
A
+
-
I
D
(关闭)
SB
A
+
-
V
S
+
-
R
ON
= V
1
/I
DS
V
S
V
D
图1 - 导通电阻
图2 - 关闭泄漏
0.1μF
+5V
+15V
0.1μF
V
IN
(HI-8196)
50%
50%
V
逻辑
SA
IN
+
-
GND
V
+
SB
V
OUT
V
IN
(HI-8195)
50%
50%
V
S
V-
0.1μF
-15V
35pF
300W
90%
V
OUT
50%
t
ON
t
关闭
图3.开关时间
0.1μF
+5V
+15V
0.1μF
5V
V
IN
0V
S1B
S2B
35pF
50%
50%
V
逻辑
V
S1
V
S2
S1A
S2A
IN
GND
V
+
V
OUT1
V
OUT2
300W
90%
V
OUT1
50%
V-
35pF
0.1μF
300W
V
OUT2
90%
50%
-15V
t
D
t
D
图4.歇前先延时( HI- 8197 )
HOLT集成电路
4
HI- 8195 , HI- 8196 , HI- 8197
+5V
+15V
V
逻辑
R
S
SA
IN
+
-
GND
V
+
SB
V
OUT
V
IN
V-
C
L
10nF
V
OUT
-15V
Q
INJ =
C
L X
DV
OUT
DV
OUT
V
S
图5.电荷注入
0.1μF
0.1μF
+5V
+15V
0.1μF
+5V
+15V
0.1μF
V
逻辑
SA1
IN1
V
S
V
+
SB1
50W
IN2
V
逻辑
SA
IN
GND
V
S
V
+
SB
V
OUT
V-
0.1μF
-15V
50W
V
OUT
50W
SB2
GND
SA2
V-
0.1μF
-15V
NC
图6 - 关断隔离
图7 - 通道至通道串扰
0.1μF
+5V
+15V
0.1μF
0.1μF
+5V
+15V
0.1μF
V
逻辑
SA
电容
f=1MHz
IN
GND
V
+
SB
电容
f=1MHz
V-
0.1μF
-15V
IN
V
逻辑
SA
V
+
SB
V
S
GND
V-
0.1μF
-15V
图8 - 关断电容
图9 - 在电容
HOLT集成电路
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HI-8195PCIF
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    -
    -
    -
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15
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15
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