HI- 5042 ， HI- 5043 ， HI- 5047 ， HI- 5049 ， HI- 5051
数据表
2005年4月6日
FN3127.6
CMOS模拟开关
该系列CMOS模拟开关具有低电阻
开关性能的模拟电压高达电源
铁轨和信号电流高达80mA的电流。 “ON”电阻
低并保持相当稳定，在整个范围内
操作信号的电压和电流。
ON
遗体
为+ 5V之间的输入电压异常恒
-5V和电流高达50mA 。开关阻抗也
变化很小以上的温度，特别是间
0
o
C和75
o
。
ON
名义上是为25Ω HI- 5049和
HI- 5051和50Ω的HI- 5042通过HI- 5047 。
所有的设备提供先开后合式开关，并
TTL和CMOS的最大应用程序兼容
多功能性。性能是通过介质进一步增强
这确保闭锁自由运作与隔离处理
非常低的输入和输出漏电流（ 0.8nA 25
o
C).
该系列交换机还具有极低的功耗
操作（为1.5mW 25
o
C).
有这个开关系列这是7设备
由开关动作类型和R的值区分
ON
（见
功能描述表） 。在HI- 504X和HI- 505X系列
开关可直接取代IH- 5040系列装置，并且是
与DG180和DG190系列功能兼容
特点
宽模拟信号范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±15V
低“ON”电阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25Ω
高电流能力。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80毫安
??先开后合式开关
- 开启时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 370ns
- 关闭时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 280ns
无闩锁
输入MOS盖茨从静电保护
放电
DTL ， TTL ， CMOS ， PMOS兼容
无铅可（符合RoHS ）
应用
高频开关
采样和保持
数字滤波器
运算放大器增益切换
工作原理图
S
A
N
P
D
功能说明
产品型号
HI-5042
HI-5043
HI-5047
HI-5049
HI-5051
SPDT
双路SPDT
4PST
双DPST
双路SPDT
TYPE
r
ON
50
50
50
25
25
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-352-6832
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2001年， 2005年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HI- 5042直通HI- 5051
订购信息
产品型号
HI1-5042-2
HI1-5043-2
HI1-5043-5
HI3-5043-5
HI3-5043-5Z
（见注）
HI9P5043-5
HI9P5043-5Z
（见注）
HI1-5047-5
HI1-5049-5
HI1-5051-2
HI1-5051-5
HI3-5051-5
HI3-5051-5Z
（见注）
HI9P5051-9
HI9P5051-9Z
（见注）
温度。
RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
0-75
0-75
0-75
0-75
0-75
0-75
0-75
-55至125
0-75
0-75
0-75
-40到85
-40到85
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP *
（无铅）
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
（无铅）
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP *
（无铅）
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
F16.3
F16.3
F16.3
E16.3
F16.3
M16.15
M16.15
F16.3
F16.3
F16.3
F16.3
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
D
1
1
2
D
2
3
S
2
4
5
6
7
8
引脚配置
（交换机显示逻辑“0”输入）
单控
SPDT
HI- 5042 （ 50Ω ）
16 S
1
15 A
14 V-
13 V
R
12 V
L
11 V+
10
9
D
2
1
2
D
1
3
S
1
4
S
4
5
D
4
6
7
D
3
8
4PST
HI- 5047 （ 50Ω ）
16 S
2
15 A
14 V-
13 V
R
12 V
L
11 V+
10
9 S
3
注：未使用的引脚可内部连接。地面全部
未使用的引脚。
引脚配置
（交换机显示逻辑“0”输入）
双控制
双路SPDT
HI- 5043 （ 50Ω ） ， HI- 5051 （ 25Ω ）
D
1
1
2
D
3
3
S
3
4
S
4
5
D
4
6
7
D
2
8
16 S
1
15 A
1
14 V-
13 V
R
12 V
L
11 V+
10 A
2
9 S
2
D
1
1
2
D
3
3
S
3
4
S
4
5
D
4
6
7
D
2
8
双DPST
HI- 5049 （ 25Ω ）
16 S
1
15 A
1
14 V-
13 V
R
12 V
L
11 V+
10 A
2
9 S
2
* PB -FREE
PDIPs可用于通孔波峰焊
处理而已。它们不用于回流焊使用
处理应用。
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡
板终止完成，这是符合RoHS标准，兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅
产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
注：未使用的引脚可内部连接。地面全部
未使用的引脚。
2
HI- 5042直通HI- 5051
原理图
V+
V
L
35A
R3
N13
100A
25A
25A
QP1
25A
P15
P14
R6
QP4
QN1
P16
QP3
R4
QP5
QP8
R2
QP7
V
R
QP6
P13
25A
16A
V+
R5
到V
R
’
25A
QP2
V-
N14
N15
N16
到V
L
’
N1
V+
IN
P2
V-
P1
N3
N2
OUT
R7
QN2
注：连接V +到V
L
为最大限度地降低功耗从CMOS电路上行驶时。
TTL / CMOS基准电路
（注）
A
1
(A
2
)
A
1
(A
2
)
开关单元
V+
P3
P5
P4
P6
V
R
'
D2
V
L
'
N6
V-
P2
N4
N2
N5
N3
V-
N7
N8
N9
N10
N11
N12
P7
P8
P9
P10
P11
P12
A1
A1
A2
A2
V+
P1
N1
D1
R4
A
200
注：所有N沟道机构V- ，所有的P沟道机构到V + ，除了如图所示。
数字输入缓冲器和电平转换器
4
HI- 5042直通HI- 5051
绝对最大额定值
电源电压（V +至V-） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36V
V
R
到地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V + ， V-
数字和模拟输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （V +） + 4V至（ V-） -4V
模拟电流（S到D ）连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
模拟电流（S到D ）峰值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
22
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
110
不适用
PDIP封装* 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
不适用
最高结温
塑料封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
陶瓷封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.175
o
C
最大存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
* PB -FREE
PDIPs可用于通孔波峰焊处理
只。他们不打算在回流焊接加工利用
应用程序。
工作条件
温度范围
HI- 50XX -2。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
HI- 50XX -5。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至75
o
C
HI- 50XX - 9 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至85
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
耗材= + 15V ， -15V ; V
R
= 0V; V
AH
（逻辑高电平） = 2.4V ，V
AL
（逻辑低电平） = 0.8V ，V
L
= 5V,
除非另有规定。对于测试条件，参考性能特点，
未使用引脚接地
TEST
条件
温度
(
o
C)
-2
民
典型值
最大
民
-5, -9
典型值
最大
单位
参数
动态特性
开关导通时间，T
ON
开关关断时间，T
关闭
电荷注入，Q
关断隔离
相声
输入开关电容，C
S（ OFF）
输出开关电容，C
D（关闭）
输出开关电容，C
D（上）
数字输入电容，C
A
漏极到源极电容，C
DS （关闭）
数字输入特性
输入低阈值，V
AL
输入高阈值，V
AH
输入漏电流（高或低） ，我
A
模拟开关特性
模拟信号范围
导通电阻，R
ON
HI- 5042以HI- 5047
（注5 ）
（注5 ）
（注3）
（注4 ）
（注4 ）
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
-
-
-
75
-80
-
-
-
-
-
370
280
5
80
-88
11
11
22
5
0.5
500
500
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
370
280
5
80
-88
11
11
22
5
0.5
500
500
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
mV
dB
dB
pF
pF
pF
pF
pF
满
满
满
-
2.4
-
-
-
0.01
0.8
-
1.0
-
2.4
-
-
-
0.01
0.8
-
1.0
V
V
A
满
-15
-
+15
-15
-
+15
V
（注2 ）
25
满
-
-
-
-
50
-
25
-
75
150
45
50
-
-
-
-
50
-
25
-
75
150
45
50
HI- 5049 ， HI- 5051
（注2 ）
25
满
通道到通道匹配，
r
ON
HI- 5042以HI- 5047
HI- 5049 ， HI- 5051
25
25
-
-
2
1
10
5
-
-
2
1
10
5
5
性S E M I C 0 N D ü （C T）
HI- 5040直通HI- 5051
HI- 5046a中和HI- 5047A
CMOS模拟开关
描述
该系列CMOS模拟开关具有低电阻
开关性能的模拟电压高达电源
铁轨和信号电流高达80mA的电流。 “ON”电阻
低并保持相当稳定，在整个范围内
操作信号的电压和电流。
ON
遗体
为+ 5V之间的输入电压异常恒
-5V和电流高达50mA 。开关阻抗也
变化很小以上的温度，特别是间
0
o
C和+75
o
。
ON
通过名义上为25Ω HI- 5048
HI- 5051和HI- 5046a中和HI- 5047A和50Ω的HI- 5040
通过HI- 5047 。
所有的设备提供先开后合式开关，并
TTL和CMOS的最大应用程序兼容
多功能性。性能是通过介质进一步增强
这确保闭锁自由运作与隔离处理
极低的输入和输出漏电流（ 0.8nA +25
o
C).
该系列交换机还具有极低的功耗
操作（为1.5mW + 25
o
C).
有这个开关系列这是14设备
由开关动作类型和R的值区分
ON
（见
功能描述） 。所有器件均采用16引脚
DIP封装。在HI- 5040和HI -5050交换机可以
直接替代IH- 5040系列设备除了IH5048 ，并
与该DG180和DG190功能兼容
家庭。每个交换机类型是在-55可
o
C至+ 125
o
C
0
o
C至+75
o
性能等级。
1993年12月
特点
±15V
广泛的模拟信号范围
低“ON”电阻25Ω （典型值）
高电流能力80毫安（典型值）
??先开后合式开关
- 开启时间370ns （典型值）
- 打开 - 关闭时间280ns （典型值）
无闩锁
输入MOS盖茨从静电保护
放电
DTL ， TTL ， CMOS ， PMOS兼容
应用
高频开关
采样和保持
数字滤波器
运算放大器连接器增益切换
功能说明
产品型号
HI-5040
HI-5041
HI-5042
HI-5043
HI-5044
HI-5045
HI-5046
HI-5046A
HI-5047
HI-5047A
HI-5048
HI-5049
HI-5050
HI-5051
SPST
双SPST
SPDT
双路SPDT
DPST
双DPST
DPDT
DPDT
4PST
4PST
双SPST
双DPST
SPDT
双路SPDT
TYPE
R
ON
50
50
50
50
50
50
50
25
50
25
25
25
25
25
功能框图
典型应用示意图
S
A
N
P
D
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的I.C.处理程序。
版权
哈里斯公司1993年
网络文件编号
3127
9-110
HI- 5040系列
销刀豆网络gurations
开关状态为逻辑“ 0 ”输入
单控
SPST
HI- 5040 （ 50Ω ）
D 1
2
3
4
5
6
7
8
16 S
15 A
14 V-
13 V
R
12 V
L
11 V+
10
9
SPDT
HI- 5042 （ 50Ω ） ， HI- 5050 （ 25Ω ）
D
1
1
2
D
2
3
S
2
4
5
6
7
8
16 S
1
15 A
14 V-
13 V
R
12 V
L
11 V+
10
9
D
1
1
2
D
2
3
S
2
4
5
6
7
8
DPST
HI- 5044 （ 50Ω ）
16
S
1
15 A
14
13
12
11
10
9
V-
V
R
V
L
V+
DPDT
HI- 5046 （ 50Ω ） ， HI- 5046a中（ 25Ω ）
D
2
1
2
D
1
3
S
1
4
S
4
5
D
4
6
7
D
3
8
16 S
2
15 A
14 V-
13 V
R
12 V
L
11 V+
10
9 S
3
4PST
HI- 5047 （ 50Ω ） ， HI- 5047A （ 25Ω ）
D
2
1
2
D
1
3
S
1
4
S
4
5
D
4
6
7
D
3
8
16 S
2
15 A
14 V-
13 V
R
12 V
L
11 V+
10
9 S
3
双控制
双SPST
HI- 5041 （ 50Ω ）
D
1
1
2
3
4
5
6
7
D
2
8
16 S
1
15 A
1
14 V-
13 V
R
12 V
L
11 V+
10 A
2
9 S
2
双路SPDT
HI- 5043 （ 50Ω ） ， HI- 5051 （ 25Ω ）
D
1
1
2
D
3
3
S
3
4
S
4
5
D
4
6
7
D
2
8
16 S
1
15 A
1
14 V-
13 V
R
12 V
L
11 V+
10 A
2
9 S
2
双DPST
HI- 5045 （ 50Ω ） ， HI- 5049 （ 25Ω ）
D
1
1
2
D
3
3
S
3
4
S
4
5
D
4
6
7
D
2
8
16 S
1
15 A
1
14 V-
13 V
R
12 V
L
11 V+
10 A
2
9 S
2
双SPST
HI- 5048 （ 25Ω ）
1
2
D
1
3
S
1
4
S
2
5
D
2
6
7
8
16
15 A
1
14 V-
13 V
R
12 V
L
11 V+
10 A
2
9
双路SPDT
HI- 5043 （ 50Ω ） ， HI- 5051 （ 25Ω ）
NC
D
1
NC
3
2
S
1
20
1
19
D
3
4
S
3
5
NC
6
S
4
7
D
4
8
9
10
11
12
13
A
1
18
V-
17
V
R
16
NC
15
V
L
14
V+
NC
NC
D
2
S
2
注：未使用的引脚可内部连接。地面全部未使用的引脚。
9-112
A
2
HI- 5040系列
开关功能
开关状态为逻辑“ 1 ”输入
SPST
HI- 5040 （ 50Ω ）
V
L
12
S
16
V+
11
1
D
S
1
A
1
15
A
2
S
2
13
V
R
14
V-
16
15
S
2
10
9
13
V
R
14
V-
8
A
D
2
13
V
R
14
V-
15
双SPST
HI- 5041 （ 50Ω ）
V
L
12
V+
11
1
D
1
S
1
16
4
SPDT
HI- 5042 （ 50Ω ）
V
L
12
V+
11
1
3
D
1
D
2
A
双路SPDT
HI- 5043 （ 50Ω ）
V
L
12
S
1
S
3
A
1
A
2
S
2
S
4
16
4
15
10
9
5
13
V
R
14
V-
V+
11
1
3
D
1
D
3
S
1
16
DPST
HI- 5044 （ 50Ω ）
V
L
12
V+
11
1
D
1
S
1
S
3
S
2
8
6
D
2
D
4
13
V
R
14
V-
A
4
15
3
D
2
A
1
A
2
S
2
S
4
16
4
15
10
9
5
双DPST
HI- 5045 （ 50Ω ）
V
L
12
V+
11
1
3
D
1
D
3
8
6
13
V
R
14
V-
D
2
D
4
DPDT
HI- 5046 （ 50Ω ） ， HI- 5046a中（ 25Ω ）
V
L
12
S
1
S
2
S
3
S
4
A
4
16
9
5
15
V+
11
3
1
8
6
D
1
D
2
D
3
D
4
4PST
HI- 5047 （ 50Ω ） ， HI- 5047A （ 25Ω ）
V
L
12
S
1
S
2
S
3
S
4
A
4
16
9
5
15
V+
11
3
1
8
6
D
1
D
2
D
3
D
4
A
1
A
2
S
2
S
1
4
15
10
5
双SPST
HI- 5048 （ 25Ω ）
V
L
12
V+
11
3
D
1
6
13
V
R
14
V-
D
2
13
V
R
14
V-
13
V
R
14
V-
双DPST
HI- 5049 （ 25Ω ）
V
L
12
S
1
S
3
A
1
A
2
S
2
S
4
16
4
15
10
9
5
13
V
R
14
V-
8
6
D
2
D
4
A
15
V+
11
1
3
D
1
D
3
S
1
S
2
16
4
SPDT
HI- 5050 （ 25Ω ）
V
L
12
V+
11
1
3
D
1
D
2
S
1
S
3
A
1
A
2
S
2
S
4
13
V
R
14
V-
16
4
15
10
9
5
双路SPDT
HI- 5051 （ 25Ω ）
V
L
12
V+
11
1
3
D
1
D
3
8
6
13
V
R
14
V-
D
2
D
4
9-113
特定网络阳离子HI- 5040系列
绝对最大额定值
电源电压（V + ， V-） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36V
V
R
到地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V + ， V-
数字和模拟输入电压。 。 。 。 。 + V
供应
+4V, -V
供应
-4V
模拟电流（S到D ）连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
模拟电流（S到D ）峰值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
热信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
陶瓷DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80 C / W
24
o
C / W
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120
o
C / W
-
塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100
o
C / W
-
o
PLCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80 C / W
-
CLCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
o
C / W
20
o
C / W
结温
Plactic包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
陶瓷封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
工作温度范围
HI- 50XX -2。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
HI - 50XX - 5 ， -7 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至+75
o
C
HI- 50XX - 9 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 85
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
电气连接特定的阳离子
耗材= + 15V ， -15V ; V
R
= 0V; V
AH
（逻辑高电平） = 2.4V ，V
AL
（逻辑低电平） = + 0.8V ，V
L
= +5V,
除非另有规定ED 。对于测试条件，参考性能特点，不使用引脚
接地。
TEST
条件
-55
o
C至+ 125
o
C
温度
民
典型值
最大
民
0
o
C至+75
o
C
典型值
最大
单位
参数
开关特性
t
ON
，开关导通时间
t
关闭
，关闭时间
电荷注入
“关隔离”
\u003c串扰\u003e
C
S（ OFF）
，输入开关电容
C
D（关闭）
，输出开关电容
C
D（上）
，输出开关电容
C
A
数字输入电容
C
DS （关闭）
，漏极 - 源极电容
数字输入特性
V
AL
，输入低阈值
V
AH
，输入高阈值
I
A
，输入漏电流（高或低）
模拟开关特性
模拟信号范围
R
ON
，导通电阻
（注4 ）
（注4 ）
（注2 ）
（注3）
（注3）
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
-
-
75
80
-
-
-
-
-
370
280
5
80
88
11
11
22
5
0.5
500
500
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
370
280
5
80
88
11
11
22
5
0.5
500
500
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
mV
dB
dB
pF
pF
pF
pF
pF
满
满
满
-
2.4
-
-
-
0.01
0.8
-
1.0
-
2.4
-
-
-
0.01
0.8
-
1.0
V
V
A
满
（注1A ）
+25
o
C
满
-15
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
25
-
2
1
0.8
100
+15
75
150
45
50
10
5
2
200
-15
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
25
-
2
1
0.8
100
+15
75
150
45
50
10
5
2
200
V
nA
nA
R
ON
，导通电阻
（注1B ）
+25
o
C
满
R
ON
，通道至通道匹配
R
ON
，通道至通道匹配
I
S（ OFF）
= I
D（关闭）
，关闭输入或
输出漏电流
（注1A ）
（注1B ）
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
满
9-114
HI- 5042直通HI- 5051
TM
数据表
2000年4月
网络文件编号
3127.4
CMOS模拟开关
该系列CMOS模拟开关具有低电阻
开关性能的模拟电压高达电源
铁轨和信号电流高达80mA的电流。 “ON”电阻
低并保持相当稳定，在整个范围内
操作信号的电压和电流。
ON
遗体
为+ 5V之间的输入电压异常恒
-5V和电流高达50mA 。开关阻抗也
变化很小以上的温度，特别是间
0
o
C和75
o
。
ON
名义上是为25Ω HI- 5049和
HI- 5051和50Ω的HI- 5042通过HI- 5047 。
所有的设备提供先开后合式开关，并
TTL和CMOS的最大应用程序兼容
多功能性。性能是通过介质进一步增强
这确保闭锁自由运作与隔离处理
非常低的输入和输出漏电流（ 0.8nA 25
o
C).
该系列交换机还具有极低的功耗
操作（为1.5mW 25
o
C).
有这个开关系列这是7设备
由开关动作类型和R的值区分
ON
（见
功能描述表） 。在HI- 504X和HI- 505X
系列交换机可直接取代IH- 5040系列设备，
并且与DG180和DG190功能兼容
家庭。
特点
宽模拟信号范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±15V
低“ON”电阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25Ω
高电流能力。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80毫安
??先开后合式开关
- 开启时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 370ns
- 关闭时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 280ns
无闩锁
输入MOS盖茨从静电保护
放电
DTL ， TTL ， CMOS ， PMOS兼容
应用
高频开关
采样和保持
数字滤波器
运算放大器连接器增益切换
工作原理图
S
订购信息
A
N
P
部分
数
HI1-5042-2
HI1-5043-2
HI1-5043-5
HI3-5043-5
HI9P5043-5
HI1-5047-5
HI1-5049-5
HI1-5051-2
HI1-5051-5
HI3-5051-5
HI9P5051-9
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
0-75
0-75
0-75
0-75
0-75
-55至125
0-75
0-75
-40到85
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
PKG 。号
F16.3
F16.3
F16.3
E16.3
M16.15
F16.3
F16.3
F16.3
F16.3
E16.3
M16.15
D
功能说明
产品型号
HI-5042
HI-5043
HI-5047
HI-5049
HI-5051
SPDT
双路SPDT
4PST
双DPST
双路SPDT
TYPE
r
ON
50
50
50
25
25
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil的设计是Intersil Corporation的注册商标。
|
版权
Intersil公司2000
HI- 5042直通HI- 5051
引脚配置
（交换机显示逻辑“0”输入）
引脚配置
（交换机显示逻辑“0”输入）
单控
SPDT
HI- 5042 （ 50Ω ）
D
1
1
2
D
2
3
S
2
4
5
6
7
8
16 S
1
15 A
14 V-
13 V
R
12 V
L
11 V+
10
9
D
2
1
2
D
1
3
S
1
4
S
4
5
D
4
6
7
D
3
8
双控制
4PST
HI- 5047 （ 50Ω ）
16 S
2
15 A
14 V-
13 V
R
12 V
L
11 V+
10
9 S
3
双路SPDT
HI- 5043 （ 50Ω ） ， HI- 5051 （ 25Ω ）
D
1
1
2
D
3
3
S
3
4
S
4
5
D
4
6
7
D
2
8
16 S
1
15 A
1
14 V-
13 V
R
12 V
L
11 V+
10 A
2
9 S
2
D
1
1
2
D
3
3
S
3
4
S
4
5
D
4
6
7
D
2
8
双DPST
HI- 5049 （ 25Ω ）
16 S
1
15 A
1
14 V-
13 V
R
12 V
L
11 V+
10 A
2
9 S
2
注：未使用的引脚可内部连接。地面全部
未使用的引脚。
注：未使用的引脚可内部连接。地面全部
未使用的引脚。
开关功能
（交换机如图所示为逻辑“1”输入）
双路SPDT
HI- 5043 （ 50Ω ）
V
L
12
1
3
D
1
D
2
S
1
S
3
A
1
A
2
S
2
S
4
16
4
15
10
9
5
13
V
R
14
V-
V+
11
1
3
D
1
D
3
SPDT
HI- 5042 （ 50Ω ）
V
L
12
S
1
S
2
16
4
V+
11
A
15
8
6
D
2
D
4
13
V
R
14
V-
4PST
HI- 5047 （ 50Ω ）
V
L
12
S
1
S
2
S
3
S
4
A
4
16
9
5
15
V+
11
3
1
8
6
D
1
D
2
D
3
D
4
S
1
S
3
A
1
A
2
S
2
S
4
13
V
R
14
V-
16
4
15
10
9
5
双DPST
HI- 5049 （ 25Ω ）
V
L
12
V+
11
1
3
D
1
D
3
S
1
S
3
A
1
8
6
13
V
R
14
V-
A
2
S
2
S
4
16
4
15
10
9
5
双路SPDT
HI- 5051 （ 25Ω ）
V
L
12
V+
11
1
3
D
1
D
3
D
2
D
4
8
6
13
V
R
14
V-
D
2
D
4
2
HI- 5042直通HI- 5051
原理图
V+
V
L
35A
R6
QP4
R3
N13
100A
25A
25A
QP1
25A
P15
P14
QN1
P16
QP3
R4
QP5
QP8
R2
QP7
V
R
QP6
P13
25A
16A
V+
R5
到V
R
’
25A
QP2
V-
N16
到V
L
’
N1
V+
IN
P2
V-
P1
N3
N2
OUT
R7
QN2
N14
N15
注：连接V +到V
L
为最大限度地降低功耗从CMOS电路上行驶时。
TTL / CMOS基准电路
（注）
A
1
(A
2
)
A
1
(A
2
)
开关单元
V+
P3
P5
P4
P6
V
R
'
D2
V
L
'
N6
V-
P2
N4
N2
N5
N3
V-
N7
N8
N9
N10
N11
N12
P7
P8
P9
P10
P11
P12
A1
A1
A2
A2
V+
P1
N1
D1
R4
A
200
注：所有N沟道机构V- ，所有的P沟道机构到V + ，除了如图所示。
数字输入缓冲器和电平转换器
3
HI- 5042直通HI- 5051
绝对最大额定值
电源电压（V +至V-） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36V
V
R
到地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V + ， V-
数字和模拟输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （V +） + 4V至（ V-） -4V
模拟电流（S到D ）连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
模拟电流（S到D ）峰值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
22
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
110
不适用
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
不适用
最高结温
塑料封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
陶瓷封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.175
o
C
最大存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围
HI- 50XX -2。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
HI- 50XX -5。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至75
o
C
HI- 50XX - 9 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至85
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
耗材= + 15V ， -15V ; V
R
= 0V; V
AH
（逻辑高电平） = 2.4V ，V
AL
（逻辑低电平） = 0.8V ，V
L
= 5V,
除非另有规定。对于测试条件，参考性能特点，
未使用引脚接地
TEST
条件
温度
(
o
C)
-2
民
典型值
最大
民
-5, -9
典型值
最大
单位
参数
动态特性
开关导通时间，T
ON
开关关断时间，T
关闭
电荷注入，Q
关断隔离
相声
输入开关电容，C
S（ OFF）
输出开关电容，C
D（关闭）
输出开关电容，C
D（上）
数字输入电容，C
A
漏极到源极电容，C
DS （关闭）
数字输入特性
输入低阈值，V
AL
输入高阈值，V
AH
输入漏电流（高或低） ，我
A
模拟开关特性
模拟信号范围
导通电阻，R
ON
HI- 5042以HI- 5047
（注5 ）
（注5 ）
（注3）
（注4 ）
（注4 ）
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
-
-
-
75
80
-
-
-
-
-
370
280
5
80
88
11
11
22
5
0.5
500
500
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
370
280
5
80
88
11
11
22
5
0.5
500
500
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
mV
dB
dB
pF
pF
pF
pF
pF
满
满
满
-
2.4
-
-
-
0.01
0.8
-
1.0
-
2.4
-
-
-
0.01
0.8
-
1.0
V
V
A
满
-15
-
+15
-15
-
+15
V
nA
nA
（注2 ）
25
满
-
-
-
-
50
-
25
-
75
150
45
50
-
-
-
-
50
-
25
-
75
150
45
50
HI- 5049 ， HI- 5051
（注2 ）
25
满
通道到通道匹配，
r
ON
HI- 5042以HI- 5047
HI- 5049 ， HI- 5051
OFF输入或输出漏电流，
I
S（ OFF）
= I
D（关闭）
25
25
25
满
-
-
-
-
2
1
0.8
100
10
5
2
200
-
-
-
-
2
1
0.8
100
10
5
2
200
4
HI- 5042直通HI- 5051
电气连接特定的阳离子
耗材= + 15V ， -15V ; V
R
= 0V; V
AH
（逻辑高电平） = 2.4V ，V
AL
（逻辑低电平） = 0.8V ，V
L
= 5V,
除非另有规定。对于测试条件，参考性能特点，
未使用引脚接地
（续）
TEST
条件
温度
(
o
C)
25
满
电源要求
静态功耗，P
D
I+, I-, I
L
, I
R
我+ ， + 15V静态电流
I-， -15V静态电流
I
L
， + 5V静态电流
I
R
，地面静态电流
注意事项：
2. V
OUT
=
±10V,
I
OUT
=
3. V
IN
= 0V ，C
L
= 10nF的。
4. R
L
= 100Ω ， F = 100kHz时，V
IN
= 2.0V
P-P
, C
L
= 5pF的。
5. V
AL
= 0V, V
AH
= 5V.
1mA.
（注5 ）
（注5 ）
（注5 ）
（注5 ）
25
25
满
满
满
满
-
-
-
-
-
-
1.5
-
-
-
-
-
-
0.2
0.3
0.3
0.3
0.3
-
-
-
-
-
-
1.5
-
-
-
-
-
-
0.3
0.5
0.5
0.5
0.5
mW
mA
mA
mA
mA
mA
-2
民
-
-
典型值
0.01
2
最大
2
200
民
-
-
-5, -9
典型值
0.01
2
最大
2
200
单位
nA
nA
参数
漏电电流，I
D（上）
测试电路和波形
T
A
= 25
o
C，V + = + 15V ，V = -15V ，V
L
= +5V, V
R
= 0V, V
AH
= 3V和V
AL
= 0.8V
除非另有规定编
1mA
V
2
1mA
IN
±V
IN
V
2
OUT
r
ON
=
图1A 。测试电路
80
归一化导通电阻
（简称25
o
C)
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-10
0
5
-5
模拟信号电平（ V）
10
15
-50
-25
0
25
50
75
100
125
温度（
o
C)
V
IN
= 0V
导通电阻（ Ω ）
60
V+ = +12V
V- = -12V
40
V+ = +10V
V- = -10V
20
V+ = +15V
V- = -15V
0
-15
图1B 。 ON电阻与模拟信号电平
图1C 。归一化导通电阻与温度
图1.导通电阻
5
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