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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第1087页 > HGTP7N60C3DS9A
HGTP7N60C3D , HGT1S7N60C3DS
TM
数据表
2000年11月
网络文件编号
4150.3
14A , 600V , UFS系列N沟道IGBT
与反并联二极管超高速
该HGTP7N60C3D和HGT1S7N60C3DS是MOS
结合最好的门控高压开关设备
MOSFET和双极型晶体管的特性。这些设备
有一个MOSFET和低的高输入阻抗
导通状态的导通损耗的双极型晶体管构成。备受
较低的通态压降变化只是适度的
25
o
C和150
o
C.使用的IGBT的发育类型
TA49115 。用在反并联IGBT的二极管是
发育类型TA49057 。
该IGBT ,非常适合许多高电压开关应用
在中等频率上低传导损耗操作
是必不可少的,如:交,直流电动机控制,功率
电源和驱动程序电磁阀,继电器和接触器。
以前发育类型TA49121 。
特点
14A , 600V在T
C
= 25
o
C
600V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140ns在T
J
= 150
o
C
短路额定值
低传导损耗
超高速反并联二极管
包装
JEDEC TO- 220AB
辐射源
集热器
收集器(法兰)
订购信息
产品型号
HGTP7N60C3D
HGT1S7N60C3DS
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
G7N60C3D
G7N60C3D
JEDEC TO- 263AB
注:订货时,使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A至
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴,即HGT1S7N60C3DS9A 。
符号
C
辐射源
集热器
(法兰)
G
E
Intersil公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil的设计是Intersil Corporation的注册商标。
|
版权所有 Intersil公司2000
HGTP7N60C3D , HGT1S7N60C3DS
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
HGTP7N60C3D , HGT1S7N60C3DS
集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .BV
CES
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= 110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C110
二极管的平均正向电流为110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
( AVG)
集电极电流脉冲(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
开关安全工作区在T
J
= 150
o
C(图14)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
& GT ; 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
短路耐受时间(注2) V
GE
= 15V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
SC
短路耐受时间(注2) V
GE
= 10V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
SC
600
14
7
8
56
±20
±30
40A 480V时
60
0.487
-40至150
260
1
8
单位
V
A
A
A
A
V
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
s
s
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.重复额定值:脉冲宽度有限的最高结温。
2. V
CE ( PK )
= 360V ,T
J
= 125
o
C,R
G
= 50.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
符号
BV
CES
I
CES
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
I
GES
SSOA
V
GEP
Q
G( ON)的
t
D( ON )I
t
rI
t
D( OFF )I
t
fI
E
ON
E
关闭
V
EC
t
rr
R
θJC
I
EC
= 7A
I
EC
= 7A ,二
EC
/ DT = 200A / μs的
I
EC
= 1A ,二
EC
/ DT = 200A / μs的
IGBT
二极管
测试条件
I
C
= 250μA ,V
GE
= 0V
V
CE
= BV
CES
V
CE
= BV
CES
I
C
= I
C110
,
V
GE
= 15V
I
C
= 250μA ,V
CE
= V
GE
V
GE
=
±25V
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50,
V
GE
= 15V ,L = 1MH
V
CE ( PK )
= 480V
V
CE ( PK )
= 600V
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
600
-
-
-
-
3.0
-
40
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
1.6
1.9
5.0
-
-
-
8
23
30
8.5
11.5
350
140
165
600
1.9
25
18
-
-
最大
-
250
2.0
2.0
2.4
6.0
±250
-
-
-
30
38
-
-
400
275
-
-
2.5
37
30
2.1
2.0
单位
V
A
mA
V
V
V
nA
A
A
V
nC
nC
ns
ns
ns
ns
J
J
V
ns
ns
o
C / W
o
C / W
集电极到发射极击穿电压
集电极到发射极漏电流
集电极到发射极饱和电压
栅极 - 发射极阈值电压
栅极 - 发射极漏电流
开关SOA
门到发射极电压高原
导通状态的栅极电荷
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量
关断能量(注3 )
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
热阻
I
C
= I
C110
, V
CE
= 0.5 BV
CES
I
C
= I
C110
,
V
CE
= 0.5 BV
CES
T
J
= 150
o
C
I
CE
= I
C110
V
CE ( PK )
= 0.8 BV
CES
V
GE
= 15V
R
G
= 50
L = 1MH
注意:
3.开启,关闭能源损耗(E
关闭
)是德音响定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿和结束的积分
的点处的集电极电流等于零(我
CE
= 0A ) 。该HGTP7N60C3D和HGT1S7N60C3DS是根据JEDEC标准测试
24-1方法的功率器件关断开关损耗测量。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。
导通损耗包括二极管损耗。
2
HGTP7N60C3D , HGT1S7N60C3DS
典型性能曲线
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
40占空比<0.5 % ,V
CE
= 10V
脉冲宽度= 250μs的
35
30
25
20
15
10
5
0
4
6
8
10
12
V
GE
,门到发射极电压( V)
14
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= -40
o
C
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
40
脉冲宽度= 250μs的,
占空比<0.5 % ,
35 T
C
= 25
o
C
30
25
V
GE
= 15.0V
20
15
8.5V
10
8.0V
5
0
0
2
4
6
8
V
CE
,集电极到发射极电压( V)
7.5V
7.0V
10
9.0V
12.0V
10.0V
图1.传热特性
图2.饱和特性
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
40
35
30
25
20
15
10
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
脉冲宽度= 250μs的
占空比<0.5 % ,V
GE
= 10V
40
35
30
25
20
15
10
5
0
脉冲宽度= 250μs的
占空比<0.5 % ,V
GE
= 15V
T
C
= -40
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= -40
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
5
0
0
1
2
3
4
5
V
CE
,集电极到发射极电压( V)
0
1
2
3
4
5
V
CE
,集电极到发射极电压( V)
图3.集电极到发射极导通电压
图4.集电极到发射极导通电压
V
CE
= 360V ,R
G
= 50, T
J
= 125
o
C
12
10
I
SC
8
120
9
100
6
6
80
3
4
t
SC
2
10
11
12
13
14
V
GE
,门到发射极电压( V)
60
0
25
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度(
o
C)
40
15
图5.最大直流电集电极电流与案例
温度
图6.短路耐受时间
3
I
SC
峰值短路电流( A)
V
GE
= 15V
t
SC
,短路耐受时间(μs )
I
CE
, DC集电极电流( A)
15
12
140
HGTP7N60C3D , HGT1S7N60C3DS
典型性能曲线
50
t
D( ON )I
,导通延迟时间(纳秒)
40
30
(续)
500
t
D( OFF )I
,关断延迟时间(纳秒)
450
400
350
V
GE
= 10V或15V
300
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
20
V
GE
= 10V
V
GE
= 15V
10
250
5
2
5
8
11
14
17
20
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
200
2
8
11
14
17
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
5
20
图7.导通延迟时间与集电极
TO
发射极电流
图8.关断延迟时间与收藏家
发射极电流
200
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
V
GE
= 10V
t
fI
,下降时间( NS )
300
250
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
t
rI
,导通上升时间( NS )
100
200
V
GE
= 10V或15V
150
V
GE
= 15V
10
5
2
17
14
8
11
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
5
20
100
2
5
8
11
14
17
20
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图9.导通上升时间与收藏家
发射极电流
图10.关断下降时间与收藏家
发射极电流
E
ON
,开启能量损失( μJ )
1000
V
GE
= 10V
E
关闭
,关断能量损失( μJ )
2000
3000
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
1000
500
V
GE
= 15V
500
V
GE
= 10V或15V
100
40
2
8
11
14
17
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
5
20
100
2
5
8
11
14
17
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
20
图11.开启能量损失VS收藏家
发射极电流
图12.关断能量损失VS收藏家
发射极电流
4
HGTP7N60C3D , HGT1S7N60C3DS
典型性能曲线
200
f
最大
,工作频率(千赫)
100
(续)
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
50
T
J
= 150
o
C,T
C
= 75
o
C
R
G
= 50Ω ,L = 1MH
T
J
= 150
o
C,V
GE
= 15V ,R
G
= 50Ω ,L = 1MH
40
V
GE
= 10V
10 f
MAX1
= 0.05/(t
D( OFF )I
+ t
D( ON )I
)
f
MAX2
= (P
D
- P
C
)/(E
ON
+ E
关闭
)
P
D
=允许功耗
P
C
=传导耗散
(占空比= 50%)
R
θJC
= 2.1
o
C / W
1
2
V
GE
= 15V
30
20
10
0
10
20
30
0
100
200
300
400
500
600
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
V
CE ( PK )
,集电极到发射极电压( V)
图13.操作频率与集电极
发射极电流
图14.最小开关安全工作区
V
CE
,集电极到发射极电压( V)
1200
1000
C,电容(pF )
800
C
IES
500
400
300
200
100
0
0
I
G( REF )
= 1.044毫安,
R
L
= 50, T
C
= 25
o
C
5
10
15
20
25
12.5
V
CE
= 200V
V
CE
= 400V
V
CE
= 600V
10
7.5
5
2.5
0
30
600
400
200
C
水库
0
0
5
10
15
C
OES
20
25
V
CE
,集电极到发射极电压( V)
Q
G
,栅极电荷( NC)
图15.电容VS集电极到发射极
电压
图16.门充电波形
Z
θ
JC
归一化热响应
10
0
0.5
t
1
P
D
10
-1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
10
-2
10
-5
10
-4
t
2
0.2
DUTY因子,D = T
1
/ t
2
PEAK牛逼
J
= (P
D
X Z
θ
JC
个R
θ
JC
) + T
C
10
-2
10
-1
10
-3
t
1
,矩形脉冲持续时间( S)
10
0
10
1
图17. IGBT归一化瞬态热阻抗,结到管壳
5
V
GE
,门到发射极电压( V)
频率= 1MHz的
600
15
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HGTP7N60C3DS9A
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
HGTP7N60C3DS9A
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