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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第100页 > HGTP7N60C3
性S E M I C 0 N D ü (C T)
HGTD7N60C3,
HGTD7N60C3S , HGTP7N60C3
14A , 600V , UFS系列N沟道IGBT的
包装
JEDEC TO- 220AB
辐射源
集热器
1997年1月
特点
14A , 600V在T
C
= 25
o
C
600V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140ns在T
J
= 150
o
C
短路额定值
低传导损耗
收集器(法兰)
描述
该HGTD7N60C3 , HGTD7N60C3S和HGTP7N60C3是
MOS门控结合高电压开关设备
MOSFET和双极型晶体管的最佳特性。这些
器件具有一个MOSFET的高输入阻抗和
低通态传导损耗的双极晶体管组成。该
低得多的通态压降变化只是适度
25间
o
C和150
o
C.
该IGBT ,非常适合许多高电压开关应用
在中等频率要求低导通工作
损耗是必不可少的,如:交,直流电动机的控制,
电源和驱动电磁阀,继电器和接触器。
包装供货情况
产品型号
HGTD7N60C3
HGTD7N60C3S
HGTP7N60C3
TO-251AA
TO-252AA
TO-220AB
BRAND
G7N60C
G7N60C
G7N60C3
JEDEC TO- 251AA
辐射源
集热器
(法兰)
集热器
JEDEC TO- 252AA
辐射源
集热器
(法兰)
端子图
N沟道增强模式
C
注:订货时,使用整个零件编号。
添加SUF科幻X 9A获得TO- 252AA变种磁带和
卷轴,即HGTD7N60C3S9A 。
以前发育类型TA49115 。
G
E
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
单位
V
A
A
A
V
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
s
s
HGTD7N60C3 , HGTD7N60C3S
HGTP7N60C3
集电极 - 发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 BV
CES
600
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
14
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
在T
C
= 110
7
C110
集电极电流脉冲(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
CM
56
栅极 - 发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
±20
栅极 - 发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
±30
o
C,图14 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA
开关安全工作区在T
J
= 150
40A 480V时
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
功耗总在T
C
= 25
60
D
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
功耗降额牛逼
C
& GT ; 25
0.48
反向电压雪崩能量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
ARV
100
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
-40至150
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
260
短路耐受时间(注2) V
GE
= 15V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
SC
1
短路耐受时间(注2) V
GE
= 10V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
SC
8
注意事项:
1.重复额定值:脉冲宽度有限的最高结温。
2. V
CE ( PK )
= 360V ,T
J
= 125
o
C,R
GE
= 50.
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
4141.2
3-16
HGTD7N60C3 , HGTD7N60C3S , HGTP7N60C3
电气连接特定的阳离子
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
符号
BV
CES
BV
ECS
I
CES
测试条件
I
C
= 250μA ,V
GE
= 0V
I
C
= 3mA电流, V
GE
= 0V
V
CE
= BV
CES
V
CE
= BV
CES
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
I
C
= I
C110
,
V
GE
= 15V
I
C
= 250A,
V
CE
= V
GE
V
GE
=
±25V
T
J
= 150
o
C
R
G
= 50
V
GE
= 15V
L = 1MH
V
CE ( PK )
= 480V
V
CE ( PK )
= 600V
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
600
16
-
-
-
-
3.0
典型值
-
30
-
-
1.6
1.9
5.0
最大
-
-
250
2.0
2.0
2.4
6.0
±250
-
-
单位
V
V
A
mA
V
V
V
栅极 - 发射极阈值电压
V
GE (日)
I
GES
SSOA
栅极 - 发射极漏电流
开关SOA
-
40
6
-
-
-
nA
A
A
栅极 - 射极电压高原
导通状态的栅极电荷
V
GEP
Q
G( ON)的
I
C
= I
C110
, V
CE
= 0.5 BV
CES
I
C
= I
C110
,
V
CE
= 0.5 BV
CES
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
23
30
8.5
11.5
350
140
165
600
-
-
30
38
-
-
400
275
-
-
2.1
V
nC
nC
ns
ns
ns
ns
J
J
o
C / W
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量
关断能量(注3 )
热阻
注意:
t
D( ON )I
t
RI
t
D( OFF )I
t
FI
E
ON
E
关闭
R
θJC
T
J
= 150
o
C
I
CE
= I
C110
V
CE ( PK )
= 0.8 BV
CES
V
GE
= 15V
R
G
= 50
L = 1.0mH
3.开启,关闭能源损耗(E
关闭
)被定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿的积分和
在其中的集电极电流等于零(我的点结束
CE
= 0A ) 。该HGTD7N60C3 , HGTD7N60C3S和HGTP7N60C3分别测试 -
根据JEDEC标准24-1号法编为功率器件关断开关损耗测量。这种测试方法产生真正的
总的开启,关闭的能量损失。导通损耗包括二极管损耗。
哈里斯半导体IGBT产品受以下一项或美国专利更多:
4,364,073
4,587,713
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,417,385
4,598,461
4,644,637
4,801,986
4,883,767
4,430,792
4,605,948
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,443,931
4,618,872
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,466,176
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,516,143
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,532,534
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,567,641
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
3-17
HGTD7N60C3 , HGTD7N60C3S , HGTP7N60C3
典型性能曲线
I
CE
,集电极 - 发射极电流(A )
占空比<0.5 % ,V
CE
= 10V
35脉冲宽度= 250μs的
30
25
20
15
T
C
= -40
o
C
10
5
0
4
6
8
10
12
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
14
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
I
CE
,集电极 - 发射极电流(A )
40
脉冲宽度= 250μs的,占空比<0.5 % ,T
C
= 25
o
C
40
35
30
25
20
15
8.5V
10
5
0
0
2
4
6
8
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
8.0V
7.5V
7.0V
10
10.0V
V
GE
= 15.0V
12.0V
9.0V
图1.传热特性
图2.饱和特性
I
CE
,集电极 - 发射极电流(A )
I
CE
,集电极 - 发射极电流(A )
40
脉冲宽度= 250μs的
35占空比<0.5 % ,V
GE
= 10V
30
25
20
15
10
5
0
0
2
3
4
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
1
5
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= -40
o
C
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
脉冲宽度= 250μs的
占空比<0.5 % ,V
GE
= 15V
T
C
= -40
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
1
2
3
4
5
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
图3.集电极 - 发射极ON - 态电压
图4.集电极 - 发射极ON - 态电压
t
SC
,短路耐受时间(μs )
12
10
I
SC
8
120
9
100
6
6
80
3
4
t
SC
2
10
11
12
13
14
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
60
0
25
50
75
100
125
T
C
,外壳温度(
o
C)
150
40
15
图5.最大直流电集电极电流作为
功能外壳温度
图6.短路耐受时间
3-18
I
SC
峰值短路电流( A)
15
I
CE
, DC集电极电流( A)
V
GE
= 15V
12
V
CE
= 360V ,R
GE
= 50, T
J
= 125
o
C
140
HGTD7N60C3 , HGTD7N60C3S , HGTP7N60C3
典型性能曲线
50
t
D( ON )I
,导通延迟时间(纳秒)
40
30
(续)
500
t
D( OFF )I
,关断延迟时间(纳秒)
450
400
350
V
GE
= 10V或15V
300
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
20
V
GE
= 10V
V
GE
= 15V
10
250
5
2
5
8
11
14
17
20
I
CE
,集电极 - 发射极电流(A )
200
2
8
11
14
17
5
I
CE
,集电极 - 发射极电流(A )
20
图7.导通延迟时间的函数
集电极 - 发射极电流
图8.关断延迟时间的函数
集电极 - 发射极电流
200
t
RI
,导通上升时间( NS )
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
V
GE
= 10V
t
FI
,下降时间( NS )
300
250
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
100
200
V
GE
= 10V或15V
150
V
GE
= 15V
10
5
2
5
8
11
14
17
I
CE
,集电极 - 发射极电流(A )
20
100
2
5
8
11
14
17
I
CE
,集电极 - 发射极电流(A )
20
图9.导通上升时间的函数
集电极 - 发射极电流
图10.关断下降时间的函数
集电极 - 发射极电流
2000
E
ON
,开启能量损失( μJ )
1000
V
GE
= 10V
500
V
GE
= 15V
E
关闭
,关断能量损失( μJ )
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
3000
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
1000
500
V
GE
= 10V或15V
100
40
2
5
8
11
14
17
20
I
CE
,集电极 - 发射极电流(A )
100
2
17
8
11
5
14
I
CE
,集电极 - 发射极电流(A )
20
图11.开启能量损失的函数
集电极 - 发射极电流
图12.关断能量损失的函数
集电极 - 发射极电流
3-19
HGTD7N60C3 , HGTD7N60C3S , HGTP7N60C3
典型性能曲线
200
f
最大
,工作频率(千赫)
100
(续)
50
I
CE
,集电极 - 发射极电流(A )
T
J
= 150
o
C,T
C
= 75
o
C
R
G
= 50Ω ,L = 1MH
T
J
= 150
o
C,V
GE
= 15V ,R
G
= 50Ω ,L = 1MH
40
V
GE
= 10V
f
MAX1
= 0.05/(t
D( OFF )I
+ t
D( ON )I
)
f
MAX2
= (P
D
- P
C
)/(E
ON
+ E
关闭
)
V
GE
= 15V
30
10
20
P
D
=允许功耗
P
C
=传导耗散
(占空比= 50%)
R
θJC
= 2.1
o
C / W
1
2
10
I
CE
,集电极 - 发射极电流(A )
20
30
10
0
0
100
200
300
400
500
600
V
CE ( PK )
,集电极 - 发射极电压(V )
图13.操作频率的函数
集电极 - 发射极电流
图14.最小开关安全工作区
1200
1000
C,电容(pF )
800
600
400
200
C
水库
0
0
5
10
15
C
IES
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
I
G
REF = 1.044毫安,R
L
= 50, T
C
= 25
o
C
600
500
400
300
200
V
CE
= 400V
100
0
0
5
10
15
20
25
Q
G
,栅极电荷( NC)
V
CE
= 200V
2.5
0
30
V
CE
= 600V
15
12.5
10
7.5
5
V
GE
,门极 - 发射极电压( V)
频率= 1MHz的
C
OES
20
25
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
图15.电容来集电极的功能
发射极电压
图16.门充电波形
Z
θ
JC
归一化热响应
10
0
0.5
0.2
P
D
0.1
10
-1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
10
-2
10
-5
10
-4
t
2
t
1
DUTY因子,D = T
1
/ t
2
PEAK牛逼
J
= (P
D
X Z
θ
JC
个R
θ
JC
) + T
C
10
-2
10
-1
10
-3
t
1
,矩形脉冲持续时间( S)
10
0
10
1
图17. IGBT归一化瞬态热阻抗,结到管壳
3-20
HGTD7N60C3S , HGTP7N60C3
数据表
2001年12月
14A , 600V , UFS系列N沟道IGBT的
该HGTD7N60C3S和HGTP7N60C3是MOS门
结合最佳的功能高压开关设备
的MOSFET和双极型晶体管。这些设备具有
MOSFET的高输入阻抗和低的导通状态
导通损耗的双极晶体管组成。在低得多的
通态压降变化只是适度的25
o
C
150
o
C.
该IGBT适用于多种高压开关
在中等频率工作的应用中,低
导通损耗是必不可少的,如:交,直流电动机
控制,电源和驱动电磁阀,继电器和
接触器。
以前发育类型TA49115 。
特点
14A , 600V在T
C
= 25
o
C
600V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140ns在T
J
= 150
o
C
短路额定值
低传导损耗
包装
JEDEC TO- 220AB
辐射源
集热器
订购信息
产品型号
HGTD7N60C3S
HGTP7N60C3
TO-252AA
TO-220AB
BRAND
G7N60C
收集器(法兰)
JEDEC TO- 252AA
G7N60C3
辐射源
集热器
(法兰)
注:订货时,使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A
获得TO- 252AA变种在磁带和卷轴,即
HGTD7N60C3S9A.
符号
C
G
E
Intersil公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
2001仙童半导体公司
HGTD7N60C3S , HGTP7N60C3版本B
HGTD7N60C3S , HGTP7N60C3
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
单位
V
A
A
A
V
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
s
s
HGTD7N60C3S HGTP7N60C3
集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 BV
CES
600
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
14
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
在T
C
= 110
7
C110
集电极电流脉冲(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
CM
门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
开关安全工作区在T
J
= 150
o
C,图14 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
& GT ; 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
反向电压雪崩能量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
ARV
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
L
短路耐受时间(注2) V
GE
= 15V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
SC
短路耐受时间(注2) V
GE
= 10V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
SC
56
±
20
±
30
40A 480V时
60
0.48
100
-40至150
260
1
8
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.重复额定值:脉冲宽度有限的最高结温。
2. V
CE ( PK )
= 360V ,T
J
= 125
o
C,R
G
= 50
.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
符号
BV
CES
BV
ECS
I
CES
测试条件
I
C
= 250
A,V
GE
= 0V
I
C
= 3mA电流, V
GE
= 0V
V
CE
= BV
CES
V
CE
= BV
CES
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
600
16
-
-
-
-
3.0
典型值
-
30
-
-
1.6
1.9
5.0
最大
-
-
250
2.0
2.0
2.4
6.0
±
250
-
-
单位
V
V
A
mA
V
V
V
集电极到发射极击穿电压
发射极到集电极击穿电压
集电极到发射极漏电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
I
C
= I
C110
,
V
GE
= 15V
I
C
= 250
A,
V
CE
= V
GE
V
GE
=
±
25V
T
J
= 150
o
C
R
G
= 50
V
GE
= 15V
L = 1MH
门到发射极阈值电压
V
GE (日)
I
GES
SSOA
门到发射极漏电流
开关SOA
-
V
CE ( PK )
= 480V
V
CE ( PK )
= 600V
40
6
-
-
-
nA
A
A
门到发射极电压高原
导通状态的栅极电荷
V
GEP
Q
G( ON)的
I
C
= I
C110
, V
CE
= 0.5 BV
CES
I
C
= I
C110
,
V
CE
= 0.5 BV
CES
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
-
-
-
8
23
30
-
30
38
V
nC
nC
2001仙童半导体公司
HGTD7N60C3S , HGTP7N60C3版本B
HGTD7N60C3S , HGTP7N60C3
电气连接特定的阳离子
参数
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量
关断能量(注3 )
热阻
注意:
3.开启,关闭能源损耗(E
关闭
)是德音响定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿和结束的积分
的点处的集电极电流等于零(我
CE
= 0A ) 。该HGTD7N60C3S和HGTP7N60C3是根据JEDEC标准测试号
24-1方法对功率器件关断开关损耗测量。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。开启
对损失包括二极管损耗。
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
(续)
符号
t
D( ON )I
t
rI
t
D( OFF )I
t
fI
E
ON
E
关闭
R
θ
JC
测试条件
T
J
= 150
o
C
I
CE
= I
C110
V
CE ( PK )
= 0.8 BV
CES
V
GE
= 15V
R
G
= 50
L = 1.0mH
-
-
-
-
-
-
-
典型值
8.5
11.5
350
140
165
600
-
最大
-
-
400
275
-
-
2.1
单位
ns
ns
ns
ns
J
J
o
C / W
典型性能曲线
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
40
占空比<0.5 % ,V
CE
= 10V
35脉冲宽度= 250μs的
30
25
20
15
T
C
= -40
o
C
10
5
0
4
6
8
10
12
14
V
GE
,门到发射极电压( V)
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
40
脉冲持续时间= 1/250秒,
35占空比<0.5 % ,
T
C
= 25
o
C
30
25
20
9.0V
15
8.5V
10
5
0
0
2
4
6
8
V
CE
,集电极到发射极电压( V)
8.0V
7.5V
7.0V
10
V
GE
= 15.0V
12.0V
10.0V
图1.传热特性
图2.饱和特性
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
40
脉冲宽度= 250μs的
35占空比<0.5 % ,V
GE
= 10V
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
CE
,集电极到发射极电压( V)
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= -40
o
C
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
40
35
30
25
20
15
10
5
0
脉冲宽度= 250μs的
占空比<0.5 % ,V
GE
= 15V
T
C
= -40
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
0
1
2
3
4
5
V
CE
,集电极到发射极电压( V)
图3.集电极到发射极导通电压
图4.集电极到发射极导通电压
2001仙童半导体公司
HGTD7N60C3S , HGTP7N60C3版本B
HGTD7N60C3S , HGTP7N60C3
典型性能曲线
15
I
CE
, DC集电极电流( A)
(续)
t
SC
,短路耐受时间(μs )
12
10
I
SC
8
120
9
100
6
6
80
3
4
t
SC
2
10
11
12
13
14
60
0
25
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度(
o
C)
40
15
V
GE
,门到发射极电压( V)
图5.最大直流电集电极电流与案例
温度
50
t
D( ON )I
,导通延迟时间(纳秒)
40
30
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
500
t
D( OFF )I
,关断延迟时间(纳秒)
450
400
350
图6.短路耐受时间
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
20
V
GE
= 10V
V
GE
= 15V
10
V
GE
= 10V或15V
300
250
5
2
5
8
11
14
17
20
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
200
2
5
8
11
14
17
20
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图7.导通延迟时间与收藏家
发射极电流
图8.关断延迟时间与收藏家
发射极电流
200
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
300
250
t
fI
,下降时间( NS )
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
t
rI
,导通上升时间( NS )
100
V
GE
= 10V
200
V
GE
= 10V或15V
150
V
GE
= 15V
10
5
2
5
8
11
14
17
20
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
100
2
5
8
11
14
17
20
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图9.导通上升时间与收藏家
发射极电流
图10.关断下降时间与收藏家
发射极电流
2001仙童半导体公司
HGTD7N60C3S , HGTP7N60C3版本B
I
SC
峰值短路电流( A)
V
GE
= 15V
12
V
CE
= 360V ,R
G
= 50, T
J
= 125
o
C
140
HGTD7N60C3S , HGTP7N60C3
典型性能曲线
2000
E
ON
,开启能量损失( μJ )
(续)
3000
E
关闭
,关断能量损失( μJ )
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
1000
V
GE
= 10V
500
V
GE
= 15V
1000
500
V
GE
= 10V或15V
100
40
2
5
8
11
14
17
20
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
100
2
5
8
11
14
17
20
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图11.开启能量损失VS收藏家
发射极电流
200
f
最大
,工作频率(千赫)
100
图12.关断能量损失VS收藏家
发射极电流
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
50
T
J
= 150
o
C,T
C
= 75
o
C
R
G
= 50Ω ,L = 1MH
T
J
= 150
o
C,V
GE
= 15V ,R
G
= 50Ω ,L = 1MH
40
V
GE
= 10V
f
MAX1
= 0.05/(t
D( OFF )I
+ t
D( ON )I
)
f
MAX2
= (P
D
- P
C
)/(E
ON
+ E
关闭
)
V
GE
= 15V
30
10
20
P
D
=允许功耗
P
C
=传导耗散
(占空比= 50%)
1
2
R
θJC
= 2.1
o
C / W
10
20
30
10
0
0
100
200
300
400
500
600
V
CE ( PK )
,集电极到发射极电压( V)
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图13.操作频率与集电极
发射极电流
图14.最小开关安全工作区
频率= 1MHz的
C
IES
V
CE
,集电极到发射极电压( V)
1200
1000
C,电容(pF )
800
600
400
200
C
水库
0
0
5
10
15
500
400
300
200
V
CE
= 400V
100
0
0
5
10
15
20
25
Q
G
,栅极电荷( NC)
V
CE
= 200V
V
CE
= 600V
12.5
10
7.5
5
2.5
0
30
C
OES
20
25
V
CE
,集电极到发射极电压( V)
图15.电容VS集电极到发射极
电压
图16.门充电波形
2001仙童半导体公司
HGTD7N60C3S , HGTP7N60C3版本B
V
GE
,门到发射极电压( V)
600
I
G( REF )
= 1.044毫安,R
L
= 50, T
C
= 25
o
C
15
HGTD7N60C3S , HGTP7N60C3
数据表
2000年1月
网络文件编号
4141.3
14A , 600V , UFS系列N沟道IGBT的
该HGTD7N60C3S和HGTP7N60C3是MOS门
结合最佳的功能高压开关设备
的MOSFET和双极型晶体管。这些器件具有
MOSFET的高输入阻抗和导通状态的低
导通损耗的双极晶体管组成。在低得多的
通态压降变化只是适度的25
o
C
150
o
C.
该IGBT适用于多种高压开关
在中等频率工作的应用中,低
导通损耗是必不可少的,如:交,直流电动机
控制,电源和驱动电磁阀,继电器
和接触。
以前发育类型TA49115 。
特点
14A , 600V在T
C
= 25
o
C
600V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140ns在T
J
= 150
o
C
短路额定值
低传导损耗
包装
JEDEC TO- 220AB
辐射源
集热器
订购信息
产品型号
HGTD7N60C3S
HGTP7N60C3
TO-252AA
TO-220AB
BRAND
G7N60C
收集器(法兰)
JEDEC TO- 252AA
G7N60C3
集热器
(法兰)
注:订货时,使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A
获得TO- 252AA变种在磁带和卷轴,即
HGTD7N60C3S9A.
辐射源
符号
C
G
E
Intersil公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司2000
HGTD7N60C3S , HGTP7N60C3
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
HGTD7N60C3S HGTP7N60C3
集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 BV
CES
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= 110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C110
集电极电流脉冲(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
CM
门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
开关安全工作区在T
J
= 150
o
C,图14 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .SSOA
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
& GT ; 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
反向电压雪崩能量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
ARV
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
L
短路耐受时间(注2) V
GE
= 15V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
SC
短路耐受时间(注2) V
GE
= 10V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
SC
600
14
7
56
±20
±30
40A 480V时
60
0.48
100
-40至150
260
1
8
单位
V
A
A
A
V
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
s
s
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.重复额定值:脉冲宽度有限的最高结温。
2. V
CE ( PK )
= 360V ,T
J
= 125
o
C,R
G
= 50.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
符号
BV
CES
BV
ECS
I
CES
测试条件
I
C
= 250μA ,V
GE
= 0V
I
C
= 3mA电流, V
GE
= 0V
V
CE
= BV
CES
V
CE
= BV
CES
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
600
16
-
-
-
-
3.0
典型值
-
30
-
-
1.6
1.9
5.0
最大
-
-
250
2.0
2.0
2.4
6.0
±250
-
-
单位
V
V
A
mA
V
V
V
集电极到发射极击穿电压
发射极到集电极击穿电压
集电极到发射极漏电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
I
C
= I
C110
,
V
GE
= 15V
I
C
= 250A,
V
CE
= V
GE
V
GE
=
±25V
T
J
= 150
o
C
R
G
= 50
V
GE
= 15V
L = 1MH
门到发射极阈值电压
V
GE (日)
I
GES
SSOA
门到发射极漏电流
开关SOA
-
V
CE ( PK )
= 480V
V
CE ( PK )
= 600V
40
6
-
-
-
nA
A
A
门到发射极电压高原
导通状态的栅极电荷
V
GEP
Q
G( ON)的
I
C
= I
C110
, V
CE
= 0.5 BV
CES
I
C
= I
C110
,
V
CE
= 0.5 BV
CES
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
-
-
-
8
23
30
-
30
38
V
nC
nC
2
HGTD7N60C3S , HGTP7N60C3
电气连接特定的阳离子
参数
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量
关断能量(注3 )
热阻
注意:
3.开启,关闭能源损耗(E
关闭
)是德音响定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿和结束的积分
的点处的集电极电流等于零(我
CE
= 0A ) 。该HGTD7N60C3S和HGTP7N60C3是根据JEDEC标准测试号
24-1方法对功率器件关断开关损耗测量。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。开启
对损失包括二极管损耗。
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
(续)
符号
t
D( ON )I
t
rI
t
D( OFF )I
t
fI
E
ON
E
关闭
R
θJC
测试条件
T
J
= 150
o
C
I
CE
= I
C110
V
CE ( PK )
= 0.8 BV
CES
V
GE
= 15V
R
G
= 50
L = 1.0mH
-
-
-
-
-
-
-
典型值
8.5
11.5
350
140
165
600
-
最大
-
-
400
275
-
-
2.1
单位
ns
ns
ns
ns
J
J
o
C / W
典型性能曲线
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
40
占空比<0.5 % ,V
CE
= 10V
35脉冲宽度= 250μs的
30
25
20
15
T
C
= -40
o
C
10
5
0
4
6
8
10
12
14
V
GE
,门到发射极电压( V)
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
40
脉冲宽度= 250μs的,
35占空比<0.5 % ,
T
C
= 25
o
C
30
25
20
9.0V
15
8.5V
10
5
0
0
2
4
6
8
V
CE
,集电极到发射极电压( V)
8.0V
7.5V
7.0V
10
V
GE
= 15.0V
12.0V
10.0V
图1.传热特性
图2.饱和特性
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
40
脉冲宽度= 250μs的
35占空比<0.5 % ,V
GE
= 10V
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
CE
,集电极到发射极电压( V)
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= -40
o
C
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
40
35
30
25
20
15
10
5
0
脉冲宽度= 250μs的
占空比<0.5 % ,V
GE
= 15V
T
C
= -40
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
0
1
2
3
4
5
V
CE
,集电极到发射极电压( V)
图3.集电极到发射极导通电压
图4.集电极到发射极导通电压
3
HGTD7N60C3S , HGTP7N60C3
典型性能曲线
15
I
CE
, DC集电极电流( A)
(续)
t
SC
,短路耐受时间(μs )
12
10
I
SC
8
120
9
100
6
6
80
3
4
t
SC
2
10
11
12
13
14
60
0
25
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度(
o
C)
40
15
V
GE
,门到发射极电压( V)
图5.最大直流电集电极电流与案例
温度
50
t
D( ON )I
,导通延迟时间(纳秒)
40
30
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
500
t
D( OFF )I
,关断延迟时间(纳秒)
450
400
350
图6.短路耐受时间
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
20
V
GE
= 10V
V
GE
= 15V
10
V
GE
= 10V或15V
300
250
5
2
5
8
11
14
17
20
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
200
2
5
8
11
14
17
20
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图7.导通延迟时间与收藏家
发射极电流
图8.关断延迟时间与收藏家
发射极电流
200
t
rI
,导通上升时间( NS )
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
300
250
t
fI
,下降时间( NS )
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
100
V
GE
= 10V
200
V
GE
= 10V或15V
150
V
GE
= 15V
10
5
2
5
8
11
14
17
20
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
100
2
5
8
11
14
17
20
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图9.导通上升时间与收藏家
发射极电流
图10.关断下降时间与收藏家
发射极电流
4
I
SC
峰值短路电流( A)
V
GE
= 15V
12
V
CE
= 360V ,R
G
= 50, T
J
= 125
o
C
140
HGTD7N60C3S , HGTP7N60C3
典型性能曲线
2000
E
ON
,开启能量损失( μJ )
(续)
3000
E
关闭
,关断能量损失( μJ )
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
1000
V
GE
= 10V
500
V
GE
= 15V
1000
500
V
GE
= 10V或15V
100
40
2
5
8
11
14
17
20
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
100
2
5
8
11
14
17
20
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图11.开启能量损失VS收藏家
发射极电流
200
f
最大
,工作频率(千赫)
100
图12.关断能量损失VS收藏家
发射极电流
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
50
T
J
= 150
o
C,T
C
= 75
o
C
R
G
= 50Ω ,L = 1MH
T
J
= 150
o
C,V
GE
= 15V ,R
G
= 50Ω ,L = 1MH
40
V
GE
= 10V
f
MAX1
= 0.05/(t
D( OFF )I
+ t
D( ON )I
)
f
MAX2
= (P
D
- P
C
)/(E
ON
+ E
关闭
)
V
GE
= 15V
30
10
20
P
D
=允许功耗
P
C
=传导耗散
(占空比= 50%)
R
θJC
= 2.1
o
C / W
1
2
10
20
30
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
10
0
0
100
200
300
400
500
600
V
CE ( PK )
,集电极到发射极电压( V)
图13.操作频率与集电极
发射极电流
图14.最小开关安全工作区
频率= 1MHz的
C
IES
V
CE
,集电极到发射极电压( V)
1200
1000
C,电容(pF )
800
600
400
200
C
水库
0
0
5
10
15
500
400
300
200
V
CE
= 400V
100
0
0
5
10
15
20
25
Q
G
,栅极电荷( NC)
V
CE
= 200V
V
CE
= 600V
12.5
10
7.5
5
2.5
0
30
C
OES
20
25
V
CE
,集电极到发射极电压( V)
图15.电容VS集电极到发射极
电压
图16.门充电波形
5
V
GE
,门到发射极电压( V)
600
I
G( REF )
= 1.044毫安,R
L
= 50, T
C
= 25
o
C
15
性S E M I C 0 N D ü (C T)
HGTD7N60C3,
HGTD7N60C3S , HGTP7N60C3
14A , 600V , UFS系列N沟道IGBT的
包装
JEDEC TO- 220AB
辐射源
集热器
1997年1月
特点
14A , 600V在T
C
= 25
o
C
600V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140ns在T
J
= 150
o
C
短路额定值
低传导损耗
收集器(法兰)
描述
该HGTD7N60C3 , HGTD7N60C3S和HGTP7N60C3是
MOS门控结合高电压开关设备
MOSFET和双极型晶体管的最佳特性。这些
器件具有一个MOSFET的高输入阻抗和
低通态传导损耗的双极晶体管组成。该
低得多的通态压降变化只是适度
25间
o
C和150
o
C.
该IGBT ,非常适合许多高电压开关应用
在中等频率要求低导通工作
损耗是必不可少的,如:交,直流电动机的控制,
电源和驱动电磁阀,继电器和接触器。
包装供货情况
产品型号
HGTD7N60C3
HGTD7N60C3S
HGTP7N60C3
TO-251AA
TO-252AA
TO-220AB
BRAND
G7N60C
G7N60C
G7N60C3
JEDEC TO- 251AA
辐射源
集热器
(法兰)
集热器
JEDEC TO- 252AA
辐射源
集热器
(法兰)
端子图
N沟道增强模式
C
注:订货时,使用整个零件编号。
添加SUF科幻X 9A获得TO- 252AA变种磁带和
卷轴,即HGTD7N60C3S9A 。
以前发育类型TA49115 。
G
E
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
单位
V
A
A
A
V
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
s
s
HGTD7N60C3 , HGTD7N60C3S
HGTP7N60C3
集电极 - 发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 BV
CES
600
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
14
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
在T
C
= 110
7
C110
集电极电流脉冲(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
CM
56
栅极 - 发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
±20
栅极 - 发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
±30
o
C,图14 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA
开关安全工作区在T
J
= 150
40A 480V时
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
功耗总在T
C
= 25
60
D
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
功耗降额牛逼
C
& GT ; 25
0.48
反向电压雪崩能量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
ARV
100
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
-40至150
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
260
短路耐受时间(注2) V
GE
= 15V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
SC
1
短路耐受时间(注2) V
GE
= 10V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
SC
8
注意事项:
1.重复额定值:脉冲宽度有限的最高结温。
2. V
CE ( PK )
= 360V ,T
J
= 125
o
C,R
GE
= 50.
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
4141.2
3-16
HGTD7N60C3 , HGTD7N60C3S , HGTP7N60C3
电气连接特定的阳离子
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
符号
BV
CES
BV
ECS
I
CES
测试条件
I
C
= 250μA ,V
GE
= 0V
I
C
= 3mA电流, V
GE
= 0V
V
CE
= BV
CES
V
CE
= BV
CES
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
I
C
= I
C110
,
V
GE
= 15V
I
C
= 250A,
V
CE
= V
GE
V
GE
=
±25V
T
J
= 150
o
C
R
G
= 50
V
GE
= 15V
L = 1MH
V
CE ( PK )
= 480V
V
CE ( PK )
= 600V
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
600
16
-
-
-
-
3.0
典型值
-
30
-
-
1.6
1.9
5.0
最大
-
-
250
2.0
2.0
2.4
6.0
±250
-
-
单位
V
V
A
mA
V
V
V
栅极 - 发射极阈值电压
V
GE (日)
I
GES
SSOA
栅极 - 发射极漏电流
开关SOA
-
40
6
-
-
-
nA
A
A
栅极 - 射极电压高原
导通状态的栅极电荷
V
GEP
Q
G( ON)的
I
C
= I
C110
, V
CE
= 0.5 BV
CES
I
C
= I
C110
,
V
CE
= 0.5 BV
CES
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
23
30
8.5
11.5
350
140
165
600
-
-
30
38
-
-
400
275
-
-
2.1
V
nC
nC
ns
ns
ns
ns
J
J
o
C / W
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量
关断能量(注3 )
热阻
注意:
t
D( ON )I
t
RI
t
D( OFF )I
t
FI
E
ON
E
关闭
R
θJC
T
J
= 150
o
C
I
CE
= I
C110
V
CE ( PK )
= 0.8 BV
CES
V
GE
= 15V
R
G
= 50
L = 1.0mH
3.开启,关闭能源损耗(E
关闭
)被定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿的积分和
在其中的集电极电流等于零(我的点结束
CE
= 0A ) 。该HGTD7N60C3 , HGTD7N60C3S和HGTP7N60C3分别测试 -
根据JEDEC标准24-1号法编为功率器件关断开关损耗测量。这种测试方法产生真正的
总的开启,关闭的能量损失。导通损耗包括二极管损耗。
哈里斯半导体IGBT产品受以下一项或美国专利更多:
4,364,073
4,587,713
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,417,385
4,598,461
4,644,637
4,801,986
4,883,767
4,430,792
4,605,948
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,443,931
4,618,872
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,466,176
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,516,143
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,532,534
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,567,641
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
3-17
HGTD7N60C3 , HGTD7N60C3S , HGTP7N60C3
典型性能曲线
I
CE
,集电极 - 发射极电流(A )
占空比<0.5 % ,V
CE
= 10V
35脉冲宽度= 250μs的
30
25
20
15
T
C
= -40
o
C
10
5
0
4
6
8
10
12
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
14
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
I
CE
,集电极 - 发射极电流(A )
40
脉冲宽度= 250μs的,占空比<0.5 % ,T
C
= 25
o
C
40
35
30
25
20
15
8.5V
10
5
0
0
2
4
6
8
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
8.0V
7.5V
7.0V
10
10.0V
V
GE
= 15.0V
12.0V
9.0V
图1.传热特性
图2.饱和特性
I
CE
,集电极 - 发射极电流(A )
I
CE
,集电极 - 发射极电流(A )
40
脉冲宽度= 250μs的
35占空比<0.5 % ,V
GE
= 10V
30
25
20
15
10
5
0
0
2
3
4
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
1
5
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= -40
o
C
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
脉冲宽度= 250μs的
占空比<0.5 % ,V
GE
= 15V
T
C
= -40
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
1
2
3
4
5
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
图3.集电极 - 发射极ON - 态电压
图4.集电极 - 发射极ON - 态电压
t
SC
,短路耐受时间(μs )
12
10
I
SC
8
120
9
100
6
6
80
3
4
t
SC
2
10
11
12
13
14
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
60
0
25
50
75
100
125
T
C
,外壳温度(
o
C)
150
40
15
图5.最大直流电集电极电流作为
功能外壳温度
图6.短路耐受时间
3-18
I
SC
峰值短路电流( A)
15
I
CE
, DC集电极电流( A)
V
GE
= 15V
12
V
CE
= 360V ,R
GE
= 50, T
J
= 125
o
C
140
HGTD7N60C3 , HGTD7N60C3S , HGTP7N60C3
典型性能曲线
50
t
D( ON )I
,导通延迟时间(纳秒)
40
30
(续)
500
t
D( OFF )I
,关断延迟时间(纳秒)
450
400
350
V
GE
= 10V或15V
300
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
20
V
GE
= 10V
V
GE
= 15V
10
250
5
2
5
8
11
14
17
20
I
CE
,集电极 - 发射极电流(A )
200
2
8
11
14
17
5
I
CE
,集电极 - 发射极电流(A )
20
图7.导通延迟时间的函数
集电极 - 发射极电流
图8.关断延迟时间的函数
集电极 - 发射极电流
200
t
RI
,导通上升时间( NS )
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
V
GE
= 10V
t
FI
,下降时间( NS )
300
250
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
100
200
V
GE
= 10V或15V
150
V
GE
= 15V
10
5
2
5
8
11
14
17
I
CE
,集电极 - 发射极电流(A )
20
100
2
5
8
11
14
17
I
CE
,集电极 - 发射极电流(A )
20
图9.导通上升时间的函数
集电极 - 发射极电流
图10.关断下降时间的函数
集电极 - 发射极电流
2000
E
ON
,开启能量损失( μJ )
1000
V
GE
= 10V
500
V
GE
= 15V
E
关闭
,关断能量损失( μJ )
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
3000
T
J
= 150
o
C,R
G
= 50Ω , L = 1MH ,V
CE ( PK )
= 480V
1000
500
V
GE
= 10V或15V
100
40
2
5
8
11
14
17
20
I
CE
,集电极 - 发射极电流(A )
100
2
17
8
11
5
14
I
CE
,集电极 - 发射极电流(A )
20
图11.开启能量损失的函数
集电极 - 发射极电流
图12.关断能量损失的函数
集电极 - 发射极电流
3-19
HGTD7N60C3 , HGTD7N60C3S , HGTP7N60C3
典型性能曲线
200
f
最大
,工作频率(千赫)
100
(续)
50
I
CE
,集电极 - 发射极电流(A )
T
J
= 150
o
C,T
C
= 75
o
C
R
G
= 50Ω ,L = 1MH
T
J
= 150
o
C,V
GE
= 15V ,R
G
= 50Ω ,L = 1MH
40
V
GE
= 10V
f
MAX1
= 0.05/(t
D( OFF )I
+ t
D( ON )I
)
f
MAX2
= (P
D
- P
C
)/(E
ON
+ E
关闭
)
V
GE
= 15V
30
10
20
P
D
=允许功耗
P
C
=传导耗散
(占空比= 50%)
R
θJC
= 2.1
o
C / W
1
2
10
I
CE
,集电极 - 发射极电流(A )
20
30
10
0
0
100
200
300
400
500
600
V
CE ( PK )
,集电极 - 发射极电压(V )
图13.操作频率的函数
集电极 - 发射极电流
图14.最小开关安全工作区
1200
1000
C,电容(pF )
800
600
400
200
C
水库
0
0
5
10
15
C
IES
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
I
G
REF = 1.044毫安,R
L
= 50, T
C
= 25
o
C
600
500
400
300
200
V
CE
= 400V
100
0
0
5
10
15
20
25
Q
G
,栅极电荷( NC)
V
CE
= 200V
2.5
0
30
V
CE
= 600V
15
12.5
10
7.5
5
V
GE
,门极 - 发射极电压( V)
频率= 1MHz的
C
OES
20
25
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
图15.电容来集电极的功能
发射极电压
图16.门充电波形
Z
θ
JC
归一化热响应
10
0
0.5
0.2
P
D
0.1
10
-1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
10
-2
10
-5
10
-4
t
2
t
1
DUTY因子,D = T
1
/ t
2
PEAK牛逼
J
= (P
D
X Z
θ
JC
个R
θ
JC
) + T
C
10
-2
10
-1
10
-3
t
1
,矩形脉冲持续时间( S)
10
0
10
1
图17. IGBT归一化瞬态热阻抗,结到管壳
3-20
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联系人:李
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联系人:雷小姐
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