HGTD3N60B3S ， HGT1S3N60B3S ， HGTP3N60B3
数据表
2000年1月
网络文件编号
4368.1
7A ， 600V ， UFS系列N沟道IGBT的
该HGTD3N60B3S ， HGT1S3N60B3S和HGTP3N60B3
是MOS门控相结合的高压开关设备
MOSFET和双极型晶体管的最佳功能。
这些器件具有MOSFET的高输入阻抗
和一个双极型晶体管的低导通状态的导通损耗。
在低得多的通态压降只有变化
适度的25
o
C和150
o
C.
该IGBT适用于多种高压开关
在中等频率工作的应用中，低
导通损耗是必不可少的，如：交，直流电动机
控制，电源和驱动电磁阀，继电器
和接触。
以前发育类型TA49192 。
特点
7A ， 600V ，T
C
= 25
o
C
600V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 115ns在T
J
= 150
o
C
短路额定值
低传导损耗
包装
JEDEC TO- 220AB
E
集热器
（法兰）
C
G
订购信息
产品型号
HGTD3N60B3S
HGT1S3N60B3S
HGTP3N60B3
包
TO-252AA
TO-263AB
TO-220AB
BRAND
G3N60B
G3N60B3
G3N60B3
集热器
（法兰）
G
E
JEDEC TO- 263AB
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A
获得TO- 252AA和TO- 263AB变种在磁带和卷轴，如
HGTD3N60B3S9A.
符号
JEDEC TO- 252AA
C
集热器
（法兰）
G
E
G
E
Intersil公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司2000
HGTD3N60B3S ， HGT1S3N60B3S ， HGTP3N60B3
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
HGTD3N60B3S ， HGT1S3N60B3S
HGTP3N60B3
集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .BV
CES
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= 110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C110
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
开关安全工作区在T
J
= 150
o
C（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
＆ GT ; 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
反向电压雪崩能量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
ARV
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
短路耐受时间（注2） V
GE
= 12V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
SC
短路耐受时间（注2） V
GE
= 10V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
SC
600
7.0
3.5
20
±20
±30
18A电压为600V
33.3
0.27
100
-55到150
260
5
10
单位
V
A
A
A
V
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
s
s
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.脉冲宽度有限的最高结温。
2. V
CE （ PK ）
= 360V ，T
J
= 125
o
C，R
G
= 82.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
CES
BV
ECS
I
CES
测试条件
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
GE
= 0V
V
CE
= BV
CES
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
民
600
20
-
-
-
-
4.5
-
V
CE
= 600V
18
典型值
-
28
-
-
1.8
2.1
5.4
-
-
最大
-
-
250
2.0
2.1
2.5
6.0
±250
-
单位
V
V
A
mA
V
V
V
nA
A
集电极到发射极击穿电压
发射极到集电极击穿电压
集电极到发射极漏电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= I
C110
,
V
GE
= 15V
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
门到发射极阈值电压
门到发射极漏电流
开关SOA
V
GE （日）
I
GES
SSOA
I
C
= 250μA ，V
CE
= V
GE
V
GE
=
±20V
T
J
= 150
o
C
R
G
= 82
V
GE
= 15V
L = 500μH
门到发射极电压高原
导通状态的栅极电荷
V
GEP
Q
G（ ON）的
I
C
= I
C110
, V
CE
= 0.5 BV
CES
I
C
= I
C110
,
V
CE
= 0.5 BV
CES
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7.9
18
21
18
16
105
70
66
88
-
22
25
-
-
-
-
75
160
V
nC
nC
ns
ns
ns
ns
J
J
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量
关断能量（注3 ）
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON
E
关闭
IGBT和二极管在T
J
= 25
o
C
I
CE
= I
C110
V
CE
= 0.8 BV
CES
V
GE
= 15V
R
G
= 82
L = 1MH
测试电路（图17）
2
HGTD3N60B3S ， HGT1S3N60B3S ， HGTP3N60B3
电气连接特定的阳离子
参数
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量
关断能量（注3 ）
热阻结到外壳
注意：
3.开启 - 关的能量损失（ EOFF ）被定义为瞬时功率损耗的积分起始于输入脉冲的后沿和结束
的点处的集电极电流等于零（我
CE
= 0A ） 。所有设备都根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试测量
功率器件的关断开关损耗。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。导通损失包括因损失
到二极管恢复。
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON
E
关闭
R
θJC
测试条件
IGBT和二极管在T
J
= 150
o
C
I
CE
= I
C110
V
CE
= 0.8 BV
CES
V
GE
= 15V
R
G
= 82
L = 1MH
测试电路（图17）
民
-
-
-
-
-
-
-
典型值
16
18
220
115
130
210
-
最大
-
-
295
175
140
325
3.75
单位
ns
ns
ns
ns
J
J
o
C / W
典型性能曲线
7
I
CE
， DC集电极电流（ A）
除非另有规定编
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
100
200
300
400
500
600
700
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
V
GE
= 15V
6
5
4
3
2
1
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
T
J
= 150
o
C，R
G
= 82, V
GE
= 15V ，L = 500μH
图1. DC集电极电流与案例
温度
200
f
最大
，工作频率（千赫）
100
图2.最小开关安全工作区
t
SC
，短路耐受时间（μs ）
T
J
= 150
o
C，R
G
= 82Ω ， L = 1MH ，V
CE
= 480V
T
C
75
o
C
75
o
C
110
o
C
110
o
C
V
GE
15V
10V
15V
10V
V
CE
= 360V ，R
G
= 82, T
J
= 125
o
C
14
I
SC
12
10
8
t
SC
6
4
10
11
12
13
14
V
GE
，门到发射极电压（ V）
20
15
15
40
35
30
25
10
f
MAX1
= 0.05/(t
D（ OFF ）I
+ t
D（ ON ）I
)
f
MAX2
= (P
D
- P
C
)/(E
ON
+ E
关闭
)
P
C
=传导耗散
（占空比= 50％）
R
θJC
= 3.75
o
C / W ，见注解
1
2
3
4
5
6
7
8
1
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图3.工作频率与集电极
发射极电流
图4.短路耐受时间
3
I
SC
峰值短路电流（ A）
16
45
HGTD3N60B3S ， HGT1S3N60B3S ， HGTP3N60B3
典型性能曲线
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
14
12
10
T
C
= 150
o
C
8
6
T
C
= 25
o
C
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
占空比<0.5 ％ ，V
GE
= 10V
脉冲宽度= 250μs的
除非另有规定编
（续）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
30
占空比<0.5 ％ ，V
GE
= 15V
脉冲宽度= 250μs的
25
20
15
10
T
C
= 25
o
C
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
T
C
= 150
o
C
T
C
= -55
o
C
T
C
= -55
o
C
图5.集电极到发射极导通电压
图6.集电极到发射极导通电压
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
E
关闭
，关断能量损失（兆焦耳）
E
ON
，开启能量损失（兆焦耳）
R
G
= 82Ω ， L = 1MH ，V
CE
= 480V
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 10V
0.6
R
G
= 82Ω ， L = 1MH ，V
CE
= 480V
0.5
T
J
= 150
o
℃; V
GE
= 10V或15V
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
T
J
= 25
o
℃; V
GE
= 10V或15V
图7.开启能量损失VS收藏家
发射极电流
图8. TURN -OFF能量损失VS收藏家
发射极电流
80
45
R
G
= 82Ω ， L = 1MH ，V
CE
= 480V
t
dI
，导通延迟时间（纳秒）
40
35
30
25
20
15
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V
10
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 10V
t
rI
，上升时间（ NS ）
R
G
= 82Ω ， L = 1MH ，V
CE
= 480V
70
60
50
40
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V
30
20
10
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 10V
1
2
3
4
5
6
7
8
1
2
3
4
5
6
7
8
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9.导通延迟时间与收藏家
发射极电流
图10.导通上升时间与收藏家
发射极电流
4
HGTD3N60B3S ， HGT1S3N60B3S ， HGTP3N60B3
典型性能曲线
250
t
D（ OFF ）I
，关断延迟时间（纳秒）
R
G
= 82Ω ， L = 1MH ，V
CE
= 480V
225
200
175
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 10V
150
125
100
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 10V
75
60
1
2
3
4
5
6
7
8
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
1
2
3
4
5
6
7
8
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 15V
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V
t
fI
，下降时间（ NS ）
除非另有规定编
（续）
140
R
G
= 82Ω ， L = 1MH ，V
CE
= 480V
120
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 10V或15V
100
80
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 10V或15V
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11.关断延迟时间与收藏家
发射极电流
图12. FALL时间与集电极到发射极
当前
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
30
脉冲宽度= 250μs的
25
T
C
= -55
o
C
20
15
10
5
0
5
6
7
8
9
10
11
V
GE
，门到发射极电压（ V）
T
C
= 25
o
C
15
I
G（ REF ）
= 1毫安，R
L
= 171, T
C
= 25
o
C
12
9
T
C
= 150
o
C
6
V
CE
= 200V
V
CE
= 400V
V
CE
= 600V
3
0
12
13
14
15
0
5
10
15
20
25
V
GE
，门到发射极电压（ V）
Q
g
，栅极电荷（ NC）
图13.传输特性
图14.栅极充电波形
500
频率= 1MHz的
400
C，电容（pF ）
C
IES
300
200
C
OES
100
C
水库
0
0
5
10
15
20
25
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图15.电容VS集电极到发射极电压
5
QQ：2881677436 复制
