HGTP2N120CND ， HGT1S2N120CNDS
数据表
2000年1月
网络文件编号
4681.2
13A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT的
与反并联二极管超高速
该HGTP2N120CND和HGT1S2N120CNDS是
非穿通
（ NPT ） IGBT的设计。他们是新的
在MOS门控高压开关IGBT的成员
家庭。 IGBT的结合MOSFET的最佳功能和
双极型晶体管。此装置具有高输入阻抗
一个MOSFET和一个低通状态的导通损耗的
双极型晶体管。所使用的IGBT是发展型
TA49313 。所使用的二极管是开发型TA49056
（部件号RHRD4120 ） 。
该IGBT适用于多种高压开关
在中等频率工作的应用中，低
导通损耗是必不可少的，如：交，直流电动机
控制，电源和驱动电磁阀，继电器
和接触。
以前发育类型TA49311 。
特点
13A ， 1200V ，T
C
= 25
o
C
1200V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 360ns在T
J
= 150
o
C
短路额定值
低传导损耗
热阻抗
SPICE模型
温度补偿
SABER 模型
www.intersil.com
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
包装
JEDEC TO- 220AB （候选版本）
E
订购信息
产品型号
HGTP2N120CND
HGT1S2N120CNDS
包
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
2N120CND
2N120CND
集热器
（法兰）
C
G
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，也就是说，
HGT1S2N120CNDS9A.
符号
C
JEDEC TO- 263AB
集热器
（法兰）
G
G
E
E
Intersil公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
SABER 是类比公司的商标。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司2000
HGTP2N120CND ， HGT1S2N120CNDS
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
HGTP2N120CND,
HGT1S2N120CNDS
集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .BV
CES
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= 110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C110
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
开关安全工作区在T
J
= 150
o
C（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
＆ GT ; 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的
信息的案件从10秒0.063in （ 1.6毫米） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，看技术简报334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
短路耐受时间（注2） V
GE
= 15V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
SC
1200
13
7
20
±20
±30
在13A 1200V
104
0.83
-55到150
300
260
8
单位
V
A
A
A
V
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
s
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.脉冲宽度有限的最高结温。
2. V
CE （ PK ）
= 840V ，T
J
= 125
o
C，R
G
= 51.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
CES
I
CES
测试条件
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0V
V
CE
= BV
CES
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 150
o
C
民
1200
-
-
-
-
-
6.4
-
13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
IGBT和二极管在T
J
= 150
o
C,
I
CE
= 2.6A,
V
CE
= 0.8 BV
CES
,
V
GE
= 15V,
R
G
= 51,
L = 5mH
测试电路（图20）
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
100
-
2.05
2.75
6.7
-
-
10.2
30
36
25
11
205
260
425
355
21
11
225
360
800
530
最大
-
100
-
1.0
2.40
3.50
-
±250
-
-
36
43
30
15
220
320
590
390
25
15
240
420
1100
580
单位
V
A
A
mA
V
V
V
nA
A
V
nC
nC
ns
ns
ns
ns
J
J
ns
ns
ns
ns
J
J
集电极到发射极击穿电压
集电极到发射极漏电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
SSOA
V
GEP
Q
G（ ON）的
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON
E
关闭
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON
E
关闭
I
C
= 2.6A,
V
GE
= 15V
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
门到发射极阈值电压
门到发射极漏电流
开关SOA
门到发射极电压高原
导通状态的栅极电荷
I
C
= 45μA ，V
CE
= V
GE
V
GE
=
±20V
T
J
= 150
o
C，R
G
= 51, V
GE
= 15V,
L = 5mH ，V
CE （ PK ）
= 1200V
I
C
= 2.6A ，V
CE
= 0.5 BV
CES
I
C
= 2.6A,
V
CE
= 0.5 BV
CES
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量
关断能量（注3 ）
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量
关断能量（注3 ）
IGBT和二极管在T
J
= 25
o
C,
I
CE
= 2.6A,
V
CE
= 0.8 BV
CES
,
V
GE
= 15V,
R
G
= 51,
L = 5mH
测试电路（图20）
2
HGTP2N120CND ， HGT1S2N120CNDS
电气连接特定的阳离子
参数
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
V
EC
t
rr
R
θJC
测试条件
I
EC
= 2.6A
I
EC
= 1A ， DL
EC
/ DT = 200A / μs的
I
EC
= 2.6A ， DL
EC
/ DT = 200A / μs的
热阻结到外壳
IGBT
二极管
注意：
3.开启，关闭能源损耗（E
关闭
）被定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿的积分和
在其中的集电极电流等于零（我的点结束
CE
= 0A ） 。所有设备都根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试
功率器件的测量关断开关损耗。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。
民
-
-
-
-
-
典型值
1.8
31
47
-
-
最大
2.0
35
52
1.20
2.5
单位
V
ns
ns
o
C / W
o
C / W
典型性能曲线
14
I
CE
， DC集电极电流（ A）
除非另有规定编
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
V
GE
= 15V
12
10
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
T
J
= 150
o
C，R
G
= 51, V
GE
= 15V ，L = 5mH
200
400
600
800
1000
1200
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
1400
图1. DC集电极电流与案例
温度
200
f
最大
，工作频率（千赫）
图2.最小开关安全工作区
t
SC
，短路耐受时间（μs ）
100
V
GE
o
15V
75
75
o
12V
T
C
V
CE
= 840V ，R
G
= 51, T
J
= 125
o
C
40
40
50
30
30
20
I
SC
10
t
SC
20
10
f
MAX1
= 0.05 / (t
D（ OFF ）I
+ t
D（ ON ）I
)
f
MAX2
= (P
D
- P
C
) / (E
ON
+ E
关闭
)
P
C
=传导耗散
T
C
V
GE
（占空比= 50％）
o
15V
110
R
θJC
= 1.2
o
C / W ，见注解
110
o
12V
1
2
3
4
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
5
10
0
10
11
12
13
14
15
0
V
GE
，门到发射极电压（ V）
图3.工作频率与集电极
发射极电流
图4.短路耐受时间
3
I
SC
峰值短路电流（ A）
T
J
= 150
o
C，R
G
= 51, V
GE
= 15V ，L = 5mH
50
50
HGTP2N120CND ， HGT1S2N120CNDS
典型性能曲线
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
10
除非另有规定编
（续）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
10
占空比<0.5 ％ ，V
GE
= 15V
250μs的脉冲测试
8
T
C
= -55
o
C
T
C
= 25
o
C
8
T
C
= 25
o
C
6
T
C
= -55
o
C
4
T
C
= 150
o
C
2
占空比<0.5 ％ ，V
GE
= 12V
250μs的脉冲测试
0
0
1
2
3
4
5
6
6
T
C
= 150
o
C
4
2
0
0
1
2
3
4
5
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图5.集电极到发射极导通电压
图6.集电极到发射极导通电压
900
2000
E
ON
，开启能量损失（ μJ ）
R
G
= 51Ω ， L = 5mH ，V
CE
= 960V
E
关闭
，关断能量损失（ μJ ）
R
G
= 51Ω ， L = 5mH ，V
CE
= 960V
800
700
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 12V或15V
600
500
400
300
200
100
1.0
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V或15V
1500
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 12V, V
GE
= 15V
1000
500
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V, V
GE
= 15V
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图7.开启能量损失VS收藏家
发射极电流
图8. TURN -OFF能量损失VS收藏家
发射极电流
45
t
dI
，导通延迟时间（纳秒）
R
G
= 51Ω ， L = 5mH ，V
CE
= 960V
40
t
rI
，上升时间（ NS ）
35
30
25
20
15
1.0
40
R
G
= 51Ω ， L = 5mH ，V
CE
= 960V
35
30
25
20
15
10
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 12V
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 12V
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9.导通延迟时间与收藏家
发射极电流
图10.导通上升时间与收藏家
发射极电流
4
HGTP2N120CND ， HGT1S2N120CNDS
典型性能曲线
400
t
D（ OFF ）I
，关断延迟时间（纳秒）
R
G
= 51Ω ， L = 5mH ，V
CE
= 960V
350
t
fI
，下降时间（ NS ）
V
GE
= 12V, V
GE
= 15V ，T
J
= 150
o
C
300
250
200
150
V
GE
= 12V, V
GE
= 15V ，T
J
= 25
o
C
100
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
100
1.0
1.5
2.0
600
500
除非另有规定编
（续）
700
R
G
= 51Ω ， L = 5mH ，V
CE
= 960V
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 12V或15V
400
300
200
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V或15V
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11.关断延迟时间与收藏家
发射极电流
图12. FALL时间与集电极到发射极
当前
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
35
30
25
20
15
10
5
0
7
占空比<0.5 ％ ，V
CE
= 20V
250μs的脉冲测试
V
GE
，门到发射极电压（ V）
40
16
14
I
G（ REF ）
= 1毫安，R
L
= 260, T
C
= 25
o
C
V
CE
= 1200V
12
10
8
V
CE
= 400V V
CE
= 800V
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
T
C
= -55
o
C
T
C
= 25
o
C
8
9
T
C
= 150
o
C
10
11
12
13
14
15
V
GE
，门到发射极电压（ V）
Q
G
，栅极电荷（ NC）
图13.传输特性
图14.门充电波形
90
频率= 1MHz的
80
C，电容（ NF）
70
C
IES
60
50
40
30
20
10
C
水库
0
0
5
10
15
20
25
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
C
OES
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
5
占空比<0.5 ％ ，T
C
= 110
o
C
250μs的脉冲测试
4
V
GE
= 15V
3
V
GE
= 10V
2
1
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图15.电容VS集电极到发射极
电压
图16.集电极到发射极导通电压
5
QQ：2881677436 复制
