HGTP1N120BND ， HGT1S1N120BNDS
数据表
2000年1月
网络文件编号
4650.2
5.3A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT
与反并联二极管超高速
该HGTP1N120BND和HGT1S1N120BNDS是
非穿通
（ NPT ） IGBT的设计。他们是新的
在MOS门控高压开关IGBT的成员
家庭。 IGBT的结合MOSFET的最佳功能和
双极型晶体管。此装置具有高输入阻抗
一个MOSFET和一个低通状态的导通损耗的
双极型晶体管。
该IGBT是发展型号TA49316 。二极管
用在反并联IGBT的是RHRD4120
(TA49056).
该IGBT适用于多种高压开关
在中等频率工作的应用中，低
导通损耗是必不可少的，如：交，直流电动机
控制，电源和驱动电磁阀，继电器
和接触。
以前发育类型TA49314 。
特点
5.3A ， 1200V ，T
C
= 25
o
C
1200V开关SOA能力
典型ê
关闭
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120μJ在T
J
= 150
o
C
短路额定值
低传导损耗
温度补偿
SABER 模型
热阻抗
SPICE模型www.intersil.com/
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
包装
JEDEC TO- 220AB
E
C
G
集热器
订购信息
产品型号
HGTP1N120BND
HGT1S1N120BNDS
包
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
1N120BND
1N120BND
（法兰）
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A
获得TO- 263AB卷带式，即HGT1S1N120BNDS9A 。
JEDEC TO- 263AB
符号
C
G
E
G
集热器
（法兰）
E
Intersil公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司2000
SABER 是类比公司的商标。
HGTP1N120BND ， HGT1S1N120BNDS
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
所有类型
集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 BV
CES
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= 110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C110
平均整流器编正向电流在T
C
= 148
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
F（ AV ）
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
开关安全工作区在T
J
= 150
o
C（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
＆ GT ; 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，看技术简报334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
短路耐受时间（注2） V
GE
= 15V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
SC
短路耐受时间（注2） V
GE
= 13V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
SC
1200
5.3
2.7
4
6
±20
±30
在6A 1200V
60
0.476
-55到150
300
260
8
13
单位
V
A
A
A
A
V
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
s
s
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.单脉冲; V
GE
= 15V ;脉冲宽度有限的最高结温。
2. V
CE （ PK ）
= 840V ，T
J
= 125
o
C，R
G
= 82.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
CES
I
CES
测试条件
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0V
V
CE
= BV
CES
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 150
o
C
民
1200
-
-
-
-
-
6.0
-
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
20
-
2.5
3.8
7.1
-
-
9.2
14
15
15
11
67
226
172
90
最大
-
250
-
1.0
2.9
4.3
-
±250
-
-
20
21
20
14
76
300
187
123
单位
V
A
A
mA
V
V
V
nA
A
V
nC
nC
ns
ns
ns
ns
J
J
集电极到发射极击穿电压
集电极到发射极漏电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
SSOA
V
GEP
Q
G（ ON）的
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON
E
关闭
I
C
= 1.0A
V
GE
= 15V
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
门到发射极阈值电压
门到发射极漏电流
开关SOA
门到发射极电压高原
导通状态的栅极电荷
I
C
= 50μA ，V
CE
= V
GE
V
GE
=
±20V
T
J
= 150
o
C，R
G
= 82, V
GE
= 15V,
L = 2MH ，V
CE （ PK ）
= 1200V
I
C
= 1.0A ，V
CE
= 0.5 BV
CES
I
C
= 1.0A,
V
CE
= 0.5 BV
CES
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量
关断能量（注3 ）
IGBT和二极管在T
J
= 25
o
C
I
CE
= 1.0A
V
CE
= 0.8 BV
CES
V
GE
= 15V
R
G
= 82
L = 4mH
测试电路（图20）
2
HGTP1N120BND ， HGT1S1N120BNDS
电气连接特定的阳离子
参数
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量
关断能量（注3 ）
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
热阻结到外壳
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON
E
关闭
V
EC
t
rr
R
θJC
I
EC
= 1.0A
I
EC
= 1.0A ，二
EC
/ DT = 200A / μs的
IGBT
二极管
注意：
3.开启，关闭能源损耗（E
关闭
）被定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿的积分和
在其中的集电极电流等于零（我的点结束
CE
= 0A ） 。所有设备都根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试
功率器件的测量关断开关损耗。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。导通损耗
包括由于二极管恢复损耗。
测试条件
IGBT和二极管在T
J
= 150
o
C
I
CE
= 1.0A
V
CE
= 0.8 BV
CES
V
GE
= 15V
R
G
= 82
L = 4mH
测试电路（图20）
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
13
11
75
258
385
120
1.3
-
-
-
最大
17
15
88
370
440
175
1.8
50
2.1
3
单位
ns
ns
ns
ns
J
J
V
ns
o
C / W
o
C / W
典型性能曲线
6
I
CE
， DC集电极电流（ A）
5
4
3
2
1
0
25
除非另有规定编
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
7
6
5
4
3
2
1
0
V
GE
= 15V
T
J
= 150
o
C，R
G
= 82, V
GE
= 15V ，L = 2MH
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
T
C
，外壳温度（
o
C)
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图1. DC集电极电流与案例
温度
300
200
100
图2.最小开关安全工作区
t
SC
，短路耐受时间（μs ）
f
最大
，工作频率（千赫）
T
J
= 150
o
C，R
G
= 82Ω ， L = 4mH ，V
CE
= 960V
T
C
75
o
C
75
o
C
110
o
C
110
o
C
V
GE
15V
13V
15V
13V
V
CE
= 840V ，R
G
= 82, T
J
= 125
o
C
18
t
SC
16
18
16
14
I
SC
14
10
f
MAX1
= 0.05 / (t
D（ OFF ）I
+ t
D（ ON ）I
)
f
MAX2
= (P
D
- P
C
) / (E
ON
+ E
关闭
)
P
C
=传导耗散
（占空比= 50％）
R
θJC
= 2.1
o
C / W ，见注解
1.0
2.0
3.0
12
12
5
0.5
10
13
13.5
14
14.5
10
15
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
V
GE
，门到发射极电压（ V）
图3.工作频率与集电极
发射极电流
图4.短路耐受时间
3
I
SC
峰值短路电流（ A）
20
20
HGTP1N120BND ， HGT1S1N120BNDS
典型性能曲线
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
6
5
4
3
2
1
0
T
C
= 25
o
C
除非另有规定编
（续）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
6
5
4
3
2
1
0
T
C
= -55
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= -55
o
C
T
C
= 150
o
C
脉冲宽度= 250μs的
占空比< 0.5 ％ ，V
GE
= 13V
0
2
4
6
8
10
脉冲宽度= 250μs的
占空比< 0.5 ％ ，V
GE
= 15V
0
2
4
6
8
10
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图5.集电极到发射极导通电压
图6.集电极到发射极导通电压
1200
1000
800
600
400
200
0
0.5
E
关闭
，关断能量损失（ μJ ）
E
ON
，开启能量损失（ μJ ）
R
G
= 82Ω ， L = 4mH ，V
CE
= 960V
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 13V
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V
250
R
G
= 82Ω ， L = 4mH ，V
CE
= 960V
200
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 13V或15V
150
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 13V或15V
100
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 13V
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 15V
1
1.5
2
2.5
3
50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图7.开启能量损失VS收藏家
发射极电流
图8. TURN -OFF能量损失VS收藏家
发射极电流
24
28
R
G
= 82Ω ， L = 4mH ，V
CE
= 960V
24
t
rI
，上升时间（ NS ）
t
D（ ON ）I
，导通延迟时间（纳秒）
R
G
= 82Ω ， L = 4mH ，V
CE
= 960V
20
20
16
12
8
4
0.5
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 13V
16
T
J
25
o
C
150
o
C
25
o
C
150
o
C
V
GE
13V
13V
15V
15V
12
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V
8
0
1
1.5
2
2.5
3
1
1.5
2
2.5
3
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9.导通延迟时间与收藏家
发射极电流
图10.导通上升时间与收藏家
发射极电流
4
HGTP1N120BND ， HGT1S1N120BNDS
典型性能曲线
t
D（ OFF ）I
，关断延迟时间（纳秒）
84
80
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V
76
72
68
64
60
56
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 13V
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 15V
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 13V
t
fI
，下降时间（ NS ）
R
G
= 82Ω ， L = 4mH ，V
CE
= 960V
除非另有规定编
（续）
360
320
280
240
200
160
120
0.5
R
G
= 82Ω ， L = 4mH ，V
CE
= 960V
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 13V或15V
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 13V或15V
0.5
1
1.5
2
2.5
3
1
1.5
2
2.5
3
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11.关断延迟时间与收藏家
发射极电流
图12.关断下降时间与收藏家
发射极电流
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
7
V
GE
，门到发射极电压（ V）
占空比< 0.5 ％ ，V
CE
= 20V
脉冲宽度= 250μs的
T
C
= -55
o
C
15
V
CE
= 800V
12
V
CE
= 400V
9
V
CE
= 1200V
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
6
3
I
G（ REF ）
= 1毫安，R
L
= 600, T
C
= 25
o
C
0
0
4
8
12
16
20
8
9
10
11
12
13
14
15
V
GE
，门到发射极电压（ V）
Q
G
，栅极电荷（ NC）
图13.传输特性
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图14.门充电波形
350
频率= 1MHz的
300
C，电容（pF ）
C
IES
250
200
150
100
C
OES
50
C
水库
0
0
5
10
15
20
25
6
5
4
3
V
GE
= 10V
2
1
0
脉冲宽度= 250μs的
占空比< 0.5 ％ ，T
C
= 110
o
C
V
GE
= 15V
V
GE
= 12V
0
2
4
6
8
10
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图15.电容VS集电极到发射极
电压
图16.集电极到发射极导通电压
5
QQ：2881677436 复制
