HGT1S14N41G3VLS ， HGTP14N41G3VL
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
HGT1S14N41G3VLS,
HGTP14N41G3VL
集电极到发射极击穿电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 BV
CER
集电极到发射极击穿电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 BV
CES
发射极到集电极击穿电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 BV
ECS
连续集电极电流在V
GE
= 5V ，T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在V
GE
= 5V ，T
C
= 110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C110
门到发射极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
感应式开关电流为L = 3 mH的，T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
SCIS
在L = 3 mH的，T
C
= 150
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
SCIS
集电极到发射极雪崩能量L = 3 mH的，T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
＆ GT ; 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
英镑
工作结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
静电放电电压HBM在250pF ， 1500Ω所有的引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 ESD
静电放电电压MM在200pF的， 0Ω所有的引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ESD
最大无铅焊接温度的
信息的案件从10秒0.063in （ 1.6毫米） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
430
445
24
25
18
±10
15
11.5
340
136
0.91
-55至175
-55至175
5
2
300
260
单位
V
V
V
A
A
V
A
A
mJ
W
W/
o
C
o
C
o
C
kV
kV
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.可如果我被超越
创业板
被限制至10mA 。
电气规格
参数
T
J
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
CER
BV
CES
V
GEP
Q
G（ ON）的
BV
CE （CL）的
BV
ECS
I
CES
测试条件
I
C
= 10毫安，R
G
= 1kΩ的，V
GE
= 0V,
T
J
= -40
o
C至150
o
C（图17 ）
I
C
= 10毫安，V
GE
= 0V ，T
J
= -40
o
C至150
o
C
I
C
= 10A ，V
CE
= 12V
I
C
= 10A ，V
CE
= 12V, V
GE
= 5V （图16）
I
C
= 15A ，R
G
= 1k
I
C
= 10毫安
V
CE
= 350V,
V
GE
= 0V （图13）
V
CE
= 15V, V
GE
= 0V
I
ECS
V
GE （日）
V
CE （ON）的
V
CE （ON）的
V
EC
= 24V, V
GE
= 0V
（图13）
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
T
J
= -40
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 175
o
C
民
380
395
-
-
380
24
-
-
-
-
-
-
1.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
典型值
410
425
3
26
410
28
-
-
-
-
-
-
1.8
1.6
1.7
1.3
1.25
1.45
1.55
1.65
1.8
80
18
最大
430
445
-
-
430
-
40
200
10
50
1
40
2.2
2.65
2.75
1.7
1.6
1.7
1.8
2.0
2.3
-
26
单位
V
V
V
nC
V
V
A
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
k
集电极到发射极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
门到发射极电压高原
栅极电荷
集电极到发射极击穿钳位电压
发射极到集电极击穿电压
集电极到发射极漏电流
发射极到集电极的泄漏电流
门到发射极阈值电压
集电极到发射极通态电压
集电极到发射极通态电压
I
C
= 1mA时， V
CE
= V
GE
（图12）
I
C
= 10A ，V
GE
= 3.7V
（图3至图9）
I
C
= 6A ，V
GE
= 4.0V
（图3至图9）
I
C
= 10A ，V
GE
= 4.5V
（图3至图9）
I
C
= 14A ，V
GE
= 5V
（图3至图9）
门串联电阻
门到发射极电阻
2001仙童半导体公司
R
1
R
2
HGT1S14N41G3VLS ， HGTP14N41G3VL版本B
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