HGTP12N60A4 ， HGTG12N60A4 ，
HGT1S12N60A4S
数据表
1999年5月
网络文件编号
4656.2
600V ，开关电源系列N沟道IGBT
该HGTP12N60A4 ， HGTG12N60A4和
HGT1S12N60A4S是MOS门控高压开关
器件的MOSFET相结合的最佳功能和
双极型晶体管。这些器件具有高输入
MOSFET的阻抗和低的导通状态导通
损失一个双极晶体管组成。在低得多的导通电压
降变化只是适度的25
o
C和150
o
C.
这IGBT适用于多种高压开关
在高频率下操作的应用，其中低
导通损耗是必不可少的。该装置已
对于高频开关模式电源优化。
以前发育类型TA49335 。
特点
＆ GT ; 100kHz的工作在390V ， 12A
在390V ， 9A 200kHz的操作
600V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为70ns在T
J
= 125
o
C
低传导损耗
温度补偿
SABER模型
http://www.intersil.com
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板
订购信息
产品型号
HGTP12N60A4
HGTG12N60A4
HGT1S12N60A4S
包
TO-220AB
TO-247
TO-263AB
BRAND
12N60A4
12N60A4
12N60A4
包装
JEDEC TO- 220AB替代版本
E
集热器
（法兰）
C
G
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X
9A获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，如：
HGT1S12N60A4S9A
JEDEC TO- 263AB
符号
C
集热器
（法兰）
G
E
G
JEDEC风格-247
E
E
C
G
集热器
（法兰）
Intersil公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,587,713
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,417,385
4,598,461
4,644,637
4,801,986
4,883,767
4,430,792
4,605,948
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,443,931
4,618,872
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,466,176
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,516,143
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,532,534
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,567,641
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
HGTP12N60A4 ， HGTG12N60A4 ， HGT1S12N60A4SSP
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
HGTG12N60A4 ， HGTP12N60A4 ，
HGT1S12N60A4S
600
54
23
96
±20
±30
60A电压为600V
167
1.33
-55到150
300
260
单位
V
A
A
A
V
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 BV
CES
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= 110
o
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .C110
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
开关安全工作区在T
J
= 150
o
C，如图2所示。 。 。 。 。 SSOA
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
＆ GT ; 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储结温范围。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.脉冲宽度有限的最高结温。
电气连接特定的阳离子
参数
T
J
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
CES
BV
ECS
I
CES
测试条件
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
GE
= 0V
V
CE
= 600V
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
民
600
10
-
-
-
-
-
-
60
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
2.0
1.6
5.6
-
-
8
78
97
17
8
96
18
55
160
50
最大
-
-
250
2.0
2.7
2.0
-
±250
-
-
96
120
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
A
mA
V
V
V
nA
A
V
nC
nC
ns
ns
ns
ns
J
J
J
集电极到发射极击穿电压
发射极到集电极击穿电压
集电极到发射极漏电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= 12A,
V
GE
= 15V
门到发射极阈值电压
门到发射极漏电流
开关SOA
门到发射极电压高原
导通状态的栅极电荷
V
GE （日）
I
GES
SSOA
V
GEP
Q
G（ ON）的
I
C
= 250μA ，V
CE
= 600V
V
GE
=
±20V
T
J
= 150
o
C，R
G
= 10, V
GE
= 15V
L = 100μH ，V
CE
= 600V
I
C
= 12A ，V
CE
= 300V
I
C
= 12A,
V
CE
= 300V
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注3 ）
开启能量（注3 ）
关断能量（注2 ）
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
IGBT和二极管在T
J
= 25
o
C
I
CE
= 12A
V
CE
= 390V
V
GE
=15V
R
G
= 10
L = 500μH
测试电路 - （图20 ）
2
HGTP12N60A4 ， HGTG12N60A4 ， HGT1S12N60A4SPD
电气连接特定的阳离子
参数
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注3 ）
开启能量（注3 ）
关断能量（注2 ）
热阻结到外壳
注意事项：
2.打开，关闭能源损耗（E
关闭
）是德音响定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿和结束的积分
的点处的集电极电流等于零（我
CE
= 0A ） 。所有设备都根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试测量
功率器件的关断开关损耗。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。
3.值两导通损耗条件显示为电路设计人员提供方便。 ê
ON1
只是IGBT的导通损耗。 ê
ON2
是当一个典型的二极管被用在测试电路中的导通损耗和二极管是在同一
J
作为IGBT 。二极管类型在指定
图20 。
T
J
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
R
θJC
测试条件
IGBT和二极管在T
J
= 125
o
C
I
CE
= 12A
V
CE
= 390V
V
GE
= 15V
R
G
= 10
L = 500μH
测试电路 - （图20 ）
民
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
17
16
110
70
55
250
175
-
最大
-
-
170
95
-
350
285
0.75
单位
ns
ns
ns
ns
J
J
J
o
C / W
典型性能曲线
60
I
CE
， DC集电极电流（ A）
除非另有规定编
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
70
60
50
40
30
20
10
0
0
100
200
300
400
500
600
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
700
V
GE
= 15V
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
T
J
= 150
o
C，R
G
= 10, V
GE
= 15V ，L = 200μH
图1. DC集电极电流与案例
温度
500
f
最大
，工作频率（千赫）
300
T
C
75
o
C
V
GE
15V
图2.最小开关安全工作区
t
SC
，短路耐受时间（μs ）
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
9
V
CE
= 390V ，R
G
= 10, T
J
= 125
o
C
300
275
250
I
SC
225
200
175
150
t
SC
125
100
75
100
f
MAX1
= 0.05 / (t
D（ OFF ）I
+ t
D（ ON ）I
)
f
MAX2
= (P
D
- P
C
) / (E
ON2
+ E
关闭
)
P
C
=传导耗散
（占空比= 50％）
R
θJC
= 0.75
o
C / W ，见注解
T
J
= 125
o
C，R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
10
1
3
10
20
30
10
11
12
13
14
15
50
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
V
GE
，门到发射极电压（ V）
图3.工作频率与集电极
发射极电流
图4.短路耐受时间
3
I
SC
峰值短路电流（ A）
HGTP12N60A4 ， HGTG12N60A4 ， HGT1S12N60A4S
典型性能曲线
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
24
占空比< 0.5 ％ ，V
GE
= 12V
脉冲宽度= 250μs的
20
16
T
J
= 150
o
C
12
T
J
= 125
o
C
8
T
J
= 25
o
C
4
0
除非另有规定编
（续）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
24
20
16
12
8
4
0
占空比< 0.5 ％ ，V
GE
= 15V
脉冲宽度= 250μs的
T
J
= 150
o
C
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
0
1.5
2
0.5
1.0
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
2.5
0
0.5
1.0
1.5
2
2.5
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图5.集电极到发射极导通电压
图6.集电极到发射极导通电压
700
E
ON2
，开启能量损失（ μJ ）
600
500
400
300
200
100
0
E
关闭
，关断能量损失（ μJ ）
R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
400
R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
350
300
250
200
150
100
50
0
2
4
6
8
10
12
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V或15V
14
16
18
20
22
24
T
J
= 125
o
C，V
GE
= 12V或15V
T
J
= 125
o
C，V
GE
= 12V, V
GE
= 15V
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V, V
GE
= 15V
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
24
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图7.开启能量损失VS收藏家
发射极电流
图8. TURN -OFF能量损失VS
集电极到发射极电流
18
t
D（ ON ）I
，导通延迟时间（纳秒）
17
R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
32
R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
28
t
rI
，上升时间（ NS ）
24
20
16
12
8
T
J
= 25
o
C或T
J
= 125
o
C，V
GE
= 15V
T
J
= 125
o
C，或T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V
16
15
14
13
12
11
10
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
T
J
= 25
o
C，T
J
= 125
o
C，V
GE
= 15V
T
J
= 25
o
C，T
J
= 125
o
C，V
GE
= 12V
4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9.导通延迟时间与收藏家
发射极电流
图10.导通上升时间与收藏家
发射极电流
4
HGTP12N60A4 ， HGTG12N60A4 ， HGT1S12N60A4S
典型性能曲线
t
D（ OFF ）I
，关断延迟时间（纳秒）
115
R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
110
105
100
95
V
GE
= 12V, V
GE
= 15V ，T
J
= 25
o
C
90
20
85
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
10
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
t
fI
，下降时间（ NS ）
V
GE
= 12V, V
GE
= 15V ，T
J
= 125
o
C
80
70
60
50
40
30
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V或15V
T
J
= 125
o
C，V
GE
= 12V或15V
除非另有规定编
（续）
90
R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11.关断延迟时间与收藏家
发射极电流
图12. FALL时间与集电极到发射极
当前
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
250
V
GE
，门到发射极电压（ V）
占空比< 0.5 ％ ，V
CE
= 10V
脉冲宽度= 250μs的
200
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
T
J
= 125
o
C
100
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
I
G（ REF ）
= 1毫安，R
L
= 25, T
C
= 25
o
C
V
CE
= 600V
V
CE
= 400V
150
V
CE
= 200V
50
0
6
7
8
11
14
9
10
12
13
V
GE
，门到发射极电压（ V）
15
16
10
20
30
40
50
60
Q
G
，栅极电荷（ NC）
70
80
图13.传输特性
E
总
，总交换能量损失（兆焦耳）
图14.门充电波形
R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V, V
GE
= 15V
E
总
= E
ON2
+ E
关闭
E
总
，总交换能量损失（兆焦耳）
1.2
1.0
0.8
10
T
J
= 125
o
C，L = 500μH ，V
CE
= 390V, V
GE
= 15V
E
总
= E
ON2
+ E
关闭
I
CE
= 24A
0.6
0.4
I
CE
= 12A
0.2
I
CE
= 6A
0
25
50
75
100
125
150
I
CE
= 24A
1
I
CE
= 12A
I
CE
= 6A
0.1
5
10
100
R
G
，栅极电阻（ Ω ）
1000
T
C
，外壳温度（
o
C)
图15.总开关损耗VS案例
温度
图16.总开关损耗VS栅极电阻
5
HGTP12N60A4 ， HGTG12N60A4 ，
HGT1S12N60A4S9A
数据表
2003年8月
600V ，开关电源系列N沟道IGBT的
该HGTP12N60A4 ， HGTG12N60A4和
HGT1S12N60A4S9A是MOS门控高压开关
器件的MOSFET相结合的最佳功能和
双极型晶体管。这些器件具有高输入
MOSFET的阻抗和低的导通状态导通
损失一个双极晶体管组成。在低得多的导通电压
降变化只是适度的25
o
C和150
o
C.
这IGBT适用于多种高压开关
在高频率下操作的应用，其中低
导通损耗是必不可少的。该装置已
对于高频开关模式电源优化。
以前发育类型TA49335 。
特点
＆ GT ; 100kHz的工作在390V ， 12A
在390V ， 9A 200kHz的操作
600V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为70ns在T
J
= 125
o
C
低传导损耗
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板
包装
JEDEC TO- 220AB替代版本
BRAND
订购信息
产品型号
HGTP12N60A4
HGTG12N60A4
HGT1S12N60A4S9A
包
TO-220AB
TO-247
TO-263AB
12N60A4
12N60A4
12N60A4
集热器
（法兰）
E
C
G
注：订货时，使用整个零件编号。
符号
C
JEDEC TO- 263AB
G
G
E
集热器
（法兰）
JEDEC风格-247
E
E
C
G
集热器
（底面金属）
飞兆半导体公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
2003仙童半导体公司
HGTP12N60A4 ， HGTG12N60A4 ， HGT1S12N60A4S9A牧师B2
HGTP12N60A4 ， HGTG12N60A4 ， HGT1S12N60A4S9A
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
HGTG12N60A4 ， HGTP12N60A4 ，
HGT1S12N60A4S9A
集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .BV
CES
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= 110
o
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .C110
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
创业板
开关安全工作区在T
J
= 150
o
C，如图2所示。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
＆ GT ; 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，请参见技术简介334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
54
23
96
±20
±30
60A电压为600V
167
1.33
-55到150
300
260
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
单位
V
A
A
A
V
V
600
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.脉冲宽度有限的最高结温。
电气规格
参数
T
J
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
CES
BV
ECS
I
CES
测试条件
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0V
I
C
= -10mA ，V
GE
= 0V
V
CE
= 600V
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
民
600
20
-
-
-
-
-
-
60
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
2.0
1.6
5.6
-
-
8
78
97
17
8
96
18
55
160
50
最大
-
-
250
2.0
2.7
2.0
-
±250
-
-
96
120
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
A
mA
V
V
V
nA
A
V
nC
nC
ns
ns
ns
ns
J
J
J
集电极到发射极击穿电压
发射极到集电极击穿电压
集电极到发射极漏电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= 12A,
V
GE
= 15V
门到发射极阈值电压
门到发射极漏电流
开关SOA
门到发射极电压高原
导通状态的栅极电荷
V
GE （日）
I
GES
SSOA
V
GEP
Q
G（ ON）的
I
C
= 250μA ，V
CE
= 600V
V
GE
=
±20V
T
J
= 150
o
C，R
G
= 10, V
GE
= 15V
L = 100μH ，V
CE
= 600V
I
C
= 12A ，V
CE
= 300V
I
C
= 12A,
V
CE
= 300V
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注3 ）
开启能量（注3 ）
关断能量（注2 ）
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
IGBT和二极管在T
J
= 25
o
C
I
CE
= 12A
V
CE
= 390V
V
GE
=15V
R
G
= 10
L = 500μH
测试电路（图20）
2003仙童半导体公司
HGTP12N60A4 ， HGTG12N60A4 ， HGT1S12N60A4S9A牧师B2
HGTP12N60A4 ， HGTG12N60A4 ， HGT1S12N60A4S9A
电气规格
参数
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注3 ）
开启能量（注3 ）
关断能量（注2 ）
热阻结到外壳
注意事项：
2.打开，关闭能源损耗（E
关闭
）是德音响定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿和结束的积分
的点处的集电极电流等于零（我
CE
= 0A ） 。所有设备都根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试测量
功率器件的关断开关损耗。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。
3.值两导通损耗条件显示为电路设计人员提供方便。 ê
ON1
只是IGBT的导通损耗。 ê
ON2
是当一个典型的二极管被用在测试电路中的导通损耗和二极管是在同一
J
作为IGBT 。二极管类型在指定
图20 。
T
J
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
R
θJC
测试条件
IGBT和二极管在T
J
= 125
o
C
I
CE
= 12A
V
CE
= 390V
V
GE
= 15V
R
G
= 10
L = 500μH
测试电路（图20）
民
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
17
16
110
70
55
250
175
-
最大
-
-
170
95
-
350
285
0.75
单位
ns
ns
ns
ns
J
J
J
o
C / W
典型性能曲线
60
I
CE
， DC集电极电流（ A）
除非另有说明
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
70
60
50
40
30
20
10
0
0
100
200
300
400
500
600
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
700
V
GE
= 15V
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
T
J
= 150
o
C，R
G
= 10, V
GE
= 15V ，L = 200μH
图1. DC集电极电流与案例
温度
500
f
最大
，工作频率（千赫）
300
T
C
75
o
C
V
GE
15V
图2.最小开关安全工作区
t
SC
，短路耐受时间（μs ）
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
9
V
CE
= 390V ，R
G
= 10, T
J
= 125
o
C
300
275
250
I
SC
225
200
175
150
t
SC
125
100
75
100
f
MAX1
= 0.05 / (t
D（ OFF ）I
+ t
D（ ON ）I
)
f
MAX2
= (P
D
- P
C
) / (E
ON2
+ E
关闭
)
P
C
=传导耗散
（占空比= 50％）
R
θJC
= 0.75
o
C / W ，见注解
T
J
= 125
o
C，R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
10
1
3
10
20
30
10
11
12
13
14
15
50
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
V
GE
，门到发射极电压（ V）
图3.工作频率与集电极
发射极电流
图4.短路耐受时间
2003仙童半导体公司
HGTP12N60A4 ， HGTG12N60A4 ， HGT1S12N60A4S9A牧师B2
I
SC
峰值短路电流（ A）
HGTP12N60A4 ， HGTG12N60A4 ， HGT1S12N60A4S9A
典型性能曲线
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
24
占空比< 0.5 ％ ，V
GE
= 12V
脉冲宽度= 250μs的
20
16
T
J
= 150
o
C
12
T
J
= 125
o
C
8
T
J
= 25
o
C
4
0
除非另有说明
（续）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
24
20
16
12
8
4
0
占空比< 0.5 ％ ，V
GE
= 15V
脉冲宽度= 250μs的
T
J
= 150
o
C
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
0
0.5
1.0
1.5
2
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
2.5
0
0.5
1.0
1.5
2
2.5
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图5.集电极到发射极导通电压
图6.集电极到发射极导通电压
700
E
ON2
，开启能量损失（ μJ ）
600
500
400
300
200
100
0
E
关闭
，关断能量损失（ μJ ）
R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
400
R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
350
300
250
200
150
100
50
0
2
4
6
8
10
12
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V或15V
14
16
18
20
22
24
T
J
= 125
o
C，V
GE
= 12V或15V
T
J
= 125
o
C，V
GE
= 12V, V
GE
= 15V
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V, V
GE
= 15V
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
24
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图7.开启能量损失VS收藏家
发射极电流
图8. TURN -OFF能量损失VS
集电极到发射极电流
18
t
D（ ON ）I
，导通延迟时间（纳秒）
17
R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
32
R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
28
t
rI
，上升时间（ NS ）
24
20
16
12
8
T
J
= 125
o
C，或T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V
16
15
14
13
12
11
10
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
T
J
= 25
o
C，T
J
= 125
o
C，V
GE
= 15V
T
J
= 25
o
C，T
J
= 125
o
C，V
GE
= 12V
4
0
2
4
6
8
T
J
= 25
o
C或T
J
= 125
o
C，V
GE
= 15V
10
12
14
16
18
20
22
24
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9.导通延迟时间与收藏家
发射极电流
图10.导通上升时间与收藏家
发射极电流
2003仙童半导体公司
HGTP12N60A4 ， HGTG12N60A4 ， HGT1S12N60A4S9A牧师B2
HGTP12N60A4 ， HGTG12N60A4 ， HGT1S12N60A4S9A
典型性能曲线
t
D（ OFF ）I
，关断延迟时间（纳秒）
115
R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
110
105
100
95
V
GE
= 12V, V
GE
= 15V ，T
J
= 25
o
C
90
20
85
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
10
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
t
fI
，下降时间（ NS ）
V
GE
= 12V, V
GE
= 15V ，T
J
= 125
o
C
80
70
60
50
40
30
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V或15V
T
J
= 125
o
C，V
GE
= 12V或15V
除非另有说明
（续）
90
R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
图11.关断延迟时间与收藏家
发射极电流
图12. FALL时间与集电极到发射极
当前
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
250
V
GE
，门到发射极电压（ V）
占空比< 0.5 ％ ，V
CE
= 10V
脉冲宽度= 250μs的
200
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
T
J
= 125
o
C
100
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
I
G（ REF ）
= 1毫安，R
L
= 25, T
C
= 25
o
C
V
CE
= 600V
V
CE
= 400V
150
V
CE
= 200V
50
0
6
7
8
11
14
9
10
12
13
V
GE
，门到发射极电压（ V）
15
16
10
20
30
40
50
60
Q
G
，栅极电荷（ NC）
70
80
图13.传输特性
E
总
，总交换能量损失（兆焦耳）
图14.门充电波形
R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V, V
GE
= 15V
E
总
= E
ON2
+ E
关闭
E
总
，总交换能量损失（兆焦耳）
1.2
1.0
0.8
10
T
J
= 125
o
C，L = 500μH ，V
CE
= 390V, V
GE
= 15V
E
总
= E
ON2
+ E
关闭
I
CE
= 24A
0.6
0.4
I
CE
= 12A
0.2
I
CE
= 6A
0
25
50
75
100
125
150
I
CE
= 24A
1
I
CE
= 12A
I
CE
= 6A
0.1
5
10
100
R
G
，栅极电阻（ Ω ）
1000
T
C
，外壳温度（
o
C)
图15.总开关损耗VS案例
温度
图16.总开关损耗VS栅极电阻
2003仙童半导体公司
HGTP12N60A4 ， HGTG12N60A4 ， HGT1S12N60A4S9A牧师B2
QQ：2880707522 复制
