HGTH20N40C1D ， HGTH20N40E1D ，
HGTH20N50C1D ， HGTH20N50E1D
1995年4月
20A ， 400V和500V N沟道IGBT的
与反并联二极管超快
包
JEDEC TO- 218AC
集热器
（法兰）
辐射源
集热器
门
特点
20A ， 400V和500V
V
CE （ON）的
2.5V最大。
T
秋天
1s, 0.5s
低通态电压
快速开关速度
高输入阻抗
反并联二极管
端子图
应用
电源
电机驱动器
保护电路
G
N沟道增强模式
C
描述
该HGTH20N40C1D ， HGTH20N40E1D ， HGTH20N50C1D ，
和HGTH20N50E1D是n沟道增强型
设计用于高绝缘栅双极晶体管（IGBT）
电压，低导通损耗的应用，如开关
监管机构和电机驱动器。房间内设有独立的反
并联二极管旁路周围的IGBT中的电流
没有引入载流子相反的方向
耗尽区。这些类型可以直接从被操作
低功耗集成电路。
E
包装供货情况
产品型号
HGTH20N40C1D
HGTH20N40E1D
HGTH20N50C1D
HGTH20N50E1D
包
TO-218AC
TO-218AC
TO-218AC
TO-218AC
BRAND
G20N40C1D
G20N40E1D
G20N50C1D
G20N50E1D
注：订货时，使用整个零件编号。
T
C
= +25
o
C，除非另有规定编
HGTH20N40C1D
HGTH20N40E1D
400
400
±20
20
35
35
20
100
0.8
-55到+150
HGTH20N50C1D
HGTH20N50E1D
500
500
±20
20
35
35
20
100
0.8
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
W/
o
C
o
C
绝对最大额定值
集电极 - 发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CES
集电极 - 栅极电压
GE
= 1MΩ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CGR
栅极 - 发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GE
连续集电极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C
集电极电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
CM
二极管的正向电流连续在T
C
= +25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
F25
在T
J
= +90
o
C. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
F90
功耗总在T
C
= +25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
> +25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
Intersil公司IGBT产品受以下一项或美国专利更多：
4,364,073
4,587,713
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,417,385
4,598,461
4,644,637
4,801,986
4,883,767
4,430,792
4,605,948
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,443,931
4,618,872
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,466,176
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,516,143
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,532,534
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,567,641
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
2271.4
3-76
特定网络阳离子HGTH20N40C1D ， HGTH20N40E1D ， HGTH20N50C1D ， HGTH20N50E1D
电气连接特定的阳离子
T
C
= +25
o
C，除非另有规定编
范围
HGTH20N40C1D,
HGTH20N40E1D
参数
集电极 - 发射极击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压集电极电流
符号
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
测试条件
I
C
= 1mA时， V
GE
= 0
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1毫安
V
CE
= 400V ，T
C
= +25
o
C
V
CE
= 500V ，T
C
= +25
o
C
V
CE
= 400V ，T
C
= +125
o
C
V
CE
= 500V ，T
C
= +125
o
C
栅极 - 发射极漏电流
电压集电极 - 发射极
I
GES
V
CE （ON）的
V
GE
=
±20V,
V
CE
= 0
I
C
= 20A ，V
GE
= 10V
I
C
= 35A ，V
GE
= 20V
栅极 - 射极电压高原
导通状态的栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
40E1D ， 50E1D
V
GEP
Q
G（ ON）的
t
D（ ON ）I
t
RI
t
D（ OFF ）I
t
FI
680
（典型值）
400
（典型值）
W
关闭
I
C
= 20A ，V
CE （ CLP）
= 300V,
L = 25μH ，T
J
= +100
o
C,
V
GE
= 10V ，R
G
= 25
1810 （典型值）
1070 （典型值）
R
θJC
V
EC
t
RR
I
EC
= 20A
I
EC
= 20A ，二
EC
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
1.25
2
100
-
-
-
1.25
2
100
J
J
o
C / W
HGTH20N50C1D,
HGTH20N50E1D
民
500
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
4.5
-
250
-
1000
100
2.5
3.2
6 （典型值）
33 （典型值）
50
50
400
单位
V
V
A
A
A
A
nA
V
V
V
nC
ns
ns
ns
民
400
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
4.5
250
-
1000
-
100
2.5
3.2
6 （典型值）
33 （典型值）
50
50
400
I
C
= 10A ，V
CE
= 10V
I
C
= 10A ，V
CE
= 10V
I
C
= 20A ，V
CE （ CLP）
= 300V,
L = 25μH ，T
J
= +100
o
C,
V
GE
= 10V ，R
G
= 25
1000
680
（典型值）
400
（典型值）
1000
ns
40C1D ， 50C1D
500
500
ns
关断每个周期的能量损失
（关开关损耗= W
关闭
x
频）
40E1D ， 50E1D
40C1D ， 50C1D
热阻结到外壳
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
V
ns
3-77
HGTH20N40C1D ， HGTH20N40E1D ， HGTH20N50C1D ， HGTH20N50E1D
典型性能曲线
40
V
GE
= 10V ，R
根
= R
GS
= 50
额定功率耗散（ ％ ）
35
I
CE
，集电极电流（ A）
30
25
20
15
10
5
0
-75
100
80
60
40
20
-50
-25
0
+25
+50 +75 +100 +125 +150 +175
0
+25
+50
+75
+100
+125
+150
T
J
，结温（
o
C)
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1. MAX 。切换目前的水平。
G
= 50,
V
GE
= 0V ARE THE MIN 。允许值
归一化栅极阈值电压（ V）
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1毫安
图2：功耗与温度
降额曲线
35
V
CE
= 10V ，脉冲试验
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
I
CE
，集电极电流（ A）
1.3
30
25
20
15
10
5
+25
o
C
+125
o
C
-40
o
C
-50
0
+50
+100
+150
TJ ，结温（ ℃）
0
2.5
5.0
7.5
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
10
图3.典型的归一化栅极阈值电压
AGE VS结温
图4.典型的传输特性
35
V
GE
= 20V
I
CE
，集电极电流（ A）
30
25
20
15
10
5
V
GE
= 10V
V
GE
= 8V
V
GE
= 7V
V
GE
= 6V
V
GE
= 5V
V
GE
= 4V
T
C
= +25
o
C
I
CE
，集电极电流（ A）
35
30
25
20
15
10
5
0
1
2
3
4
5
0
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
= 10V ，脉冲试验
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
+25
o
C
1
2
3
V
CE （ON）的
，集电极 - 发射极电压（ V）
4
图5.典型的饱和特性
图6.典型的集电极 - 发射极导通电压
VS集电极电流
3-78
HGTH20N40C1D ， HGTH20N40E1D ， HGTH20N50C1D ， HGTH20N50E1D
典型性能曲线
（续）
V
CE （ON）的
，集电极 - 发射极电压（ V）
2700
F =为0.1MHz
2250
C，电容（pF ）
3.00
2.75
I
C
= 20A ，V
GE
= 10V
1800
2.50
I
C
= 20A ，V
GE
= 15V
2.25
1350
西塞
900
科斯
450
CRSS
0
10
20
30
40
50
2.00
I
C
= 10A ，V
GE
= 10V
1.75
I
C
= 10A ，V
GE
= 15V
+50
+75
+100
+125
o
1.50
+25
+150
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
T
J
，结温（ C）
图7.电容VS集电极到发射极
电压
400
I
C
= 20A ，V
GE
= 10V, V
CE （ CLP）
= 300V
L = 25μH ，R
G
= 25
t
D（ OFF ）I
，关闭延迟时间（纳秒）
300
图8.典型的V
CE （ON）的
与温度
W
关闭
=
∫
I
C
*
V
CE
dt
V
GE
I
C
V
CE
200
100
0
+25
+50
+75
+100
+125
(
o
C)
+150
T
J
，结温
图9.典型关断延迟时间
800
700
600
t
FI
，下降时间（ NS ）
500
400
40C1D/50C1D
300
200
100
0
+25
I
C
= 10A ，V
GE
= 10V, V
CE （ CLP）
= 300V
L = 25μH ，R
G
= 25
40E1D/50E1D
图10.典型的电感式开关波形
800
700
600
t
FI
，下降时间（ NS ）
500
400
40C1D/50C1D
300
200
100
0
+25
40E1D/50E1D
I
C
= 20A ，V
GE
= 10V, V
CE （ CLP）
= 300V
L = 25μH ，R
G
= 25
+50
+75
+100
+125
(
o
C)
+150
+50
+75
+100
+125
(
o
C)
+150
T
J
，结温
T
J
，结温
图11.典型下降时间（我
C
= 10A)
图12.典型下降时间（我
C
= 20A)
3-79
HGTH20N40C1D ， HGTH20N40E1D ， HGTH20N50C1D ， HGTH20N50E1D
典型性能曲线
（续）
900
800
700
20A ， 40E1D / 50E1D
600
500
400
300
200
100
0
+25
+50
+75
+100
+125
+150
T
J
，结温（
o
C)
10A ， 40E1D / 50E1D
20A ， 40C1D / 50C1D
V
GE
，门极 - 发射极电压（ V）
20
V
GE
= 10V, V
CE （ CLP）
= 300V
L = 25μH ，R
G
= 25
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
1000
W
关闭
，关断能量损失（ μJ ）
500
V
CC
= BV
CES
375
门
辐射源
电压
10
8
6
250
V
CC
= 0.25 BV
CES
R
L
= 25
I
G
（ REF ） = 0.76毫安
V
GE
= 10V
集电极 - 发射极电压
0
20
0
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
时间（μs ）
80
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
4
125
2
10A ， 40C1D / 50C1D
注：对于超出为3mA关断栅极电流。 V
CE
打开-O FF
不准确通过这个归一化表示。
图14.归一化的开关波形AT CON-
恒定的栅极电流（参见应用
注AN7254和AN7260 ）
典型的反向恢复时间
t
RR
，反向恢复时间（纳秒）
图13.典型钳位感性TURN -OFF
切换损耗/周期
100
I
EC
极，发射极集电极电流（ A）
60
50
40
30
20
10
dI
EC
/ DT
≥
100A/s
V
R
= 30V ，T
J
= +25
o
C
10
T
J
= +150
o
C
T
J
= +100
o
C
1.0
T
J
=
+25
o
C
T
J
= -50
o
C
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V
EC
，发射极 - 集电极电压（V）的
I
EC
，发射极 - 集电极电流（A）
图15.典型的二极管发射极 - 集电极
电压 - 电流
图16.典型二极管的反向恢复时间
测试电路
R
L
= 4
L = 25μH
V
CC
V
CE （ CLP）
=
300V
1/R
G
= 1/R
根
+ 1/R
GE
R
根
= 50
100V
20V
0V
R
GE
= 50
图17.电感式开关测试电路
3-80
QQ：2881677436 复制
