HGTG7N60A4D ， HGTP7N60A4D ，

HGT1S7N60A4DS

数据表

2005年1月

600V ，开关电源系列N沟道IGBT具有

反并联二极管超高速

该HGTG7N60A4D ， HGTP7N60A4D和

HGT1S7N60A4DS是MOS门控高压开关

器件的MOSFET相结合的最佳功能和

双极型晶体管。这些器件具有高输入

MOSFET的阻抗和低的导通状态导通

损失一个双极晶体管组成。在低得多的导通电压

降变化只是适度的25

o

C和150

o

C.该

IGBT采用的是开发式TA49331 。二极管

反并联使用的是发展型TA49370 。

这IGBT适用于多种高压开关

在高频率下操作的应用，其中低

导通损耗是必不可少的。

该装置已

高频开关模式电源优化

耗材。

以前发育类型TA49333 。

特点

＆ GT ; 100kHz的工作在390V ， 7A

200kHz的工作在390V ， 5A

600V开关SOA能力

典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75ns在T

J

= 125

o

C

低传导损耗

温度补偿

SABER 模型

www.fairchildsemi.com

包装

JEDEC风格-247

E

C

G

订购信息

产品型号

HGTG7N60A4D

HGTP7N60A4D

HGT1S7N60A4DS

包

TO-247

TO-220AB

TO-263AB

BRAND

G7N60A4D

G7N60A4D

G7N60A4D

集热器

（法兰）

JEDEC TO- 220AB

E

C

注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A

获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，例如，

HGT1S7N60A4DS9A.

G

符号

C

集热器

（法兰）

G

JEDEC TO- 263AB

E

G

E

集热器

（法兰）

飞兆半导体公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权

4,364,073

4,598,461

4,682,195

4,803,533

4,888,627

4,417,385

4,605,948

4,684,413

4,809,045

4,890,143

4,430,792

4,620,211

4,694,313

4,809,047

4,901,127

4,443,931

4,631,564

4,717,679

4,810,665

4,904,609

4,466,176

4,639,754

4,743,952

4,823,176

4,933,740

4,516,143

4,639,762

4,783,690

4,837,606

4,963,951

4,532,534

4,641,162

4,794,432

4,860,080

4,969,027

4,587,713

4,644,637

4,801,986

4,883,767

2005仙童半导体公司

HGTG7N60A4D ， HGTP7N60A4D ， HGT1S7N60A4DS牧师B1

HGTG7N60A4D ， HGTP7N60A4D ， HGT1S7N60A4DS

绝对最大额定值

T

C

= 25

o

C，除非另有规定编

所有类型

集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 BV

CES

连续集电极电流

在T

C

= 25

o

温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我

C25

在T

C

= 110

o

温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我

C110

集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我

CM

门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V

GES

门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V

创业板

开关安全工作区在T

J

= 150

o

C，如图2所示。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA

功耗总在T

C

= 25

o

温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P

D

功耗降额牛逼

C

＆ GT ; 25

o

C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼

J

, T

英镑

最大无铅焊接温度的

信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼

L

包体为10S ，请参见技术简介334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼

PKG

34

14

56

±20

±30

35A电压为600V

125

1.0

-55到150

300

260

W

W/

o

C

o

C

o

C

o

C

单位

V

A

A

A

V

V

600

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

注意：

1.脉冲宽度有限的最高结温。

电气规格

参数

T

J

= 25

o

C，除非另有规定编

符号

BV

CES

I

CES

测试条件

I

C

= 250μA ，V

GE

= 0V

V

CE

= 600V

T

J

= 25

o

C

T

J

= 125

o

C

T

J

= 25

o

C

T

J

= 125

o

C

民

600

-

-

-

-

4.5

-

35

-

V

GE

= 15V

V

GE

= 20V

-

-

-

-

-

-

-

-

-

IGBT和二极管在T

J

= 125

o

C,

I

CE

= 7A,

V

CE

= 390V, V

GE

= 15V,

R

G

= 25,

L = 1MH ，

测试电路（图24）

-

-

-

-

-

-

-

典型值

-

-

-

1.9

1.6

5.9

-

-

9

37

48

11

11

100

45

55

120

60

10

7

130

75

50

200

125

最大

-

250

2

2.7

2.2

7

±250

-

-

45

60

-

-

-

-

-

150

75

-

-

150

85

-

215

170

单位

V

A

mA

V

V

V

nA

A

V

nC

nC

ns

ns

ns

ns

J

J

J

ns

ns

ns

ns

J

J

J

集电极到发射极击穿电压

集电极到发射极漏电流

集电极到发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

I

C

= 7A,

V

GE

= 15V

门到发射极阈值电压

门到发射极漏电流

开关SOA

门到发射极电压高原

导通状态的栅极电荷

V

GE （日）

I

GES

SSOA

V

GEP

Q

G（ ON）的

I

C

= 250μA ，V

CE

= 600V

V

GE

=

±20V

T

J

= 150

o

C，R

G

= 25, V

GE

= 15V,

L = 100μH ，V

CE

= 600V

I

C

= 7A ，V

CE

= 300V

I

C

= 7A,

V

CE

= 300V

电流导通延迟时间

电流上升时间

电流关断延迟时间

电流下降时间

开启能量

开启能量

关断能量（注2 ）

电流导通延迟时间

电流上升时间

电流关断延迟时间

电流下降时间

开启能量（注2 ）

开启能量（注2 ）

关断能量（注3 ）

t

D（ ON ）I

t

rI

t

D（ OFF ）I

t

fI

E

ON1

E

ON2

E

关闭

t

D（ ON ）I

t

rI

t

D（ OFF ）I

t

fI

E

ON1

E

ON2

E

关闭

IGBT和二极管在T

J

= 25

o

C,

I

CE

= 7A,

V

CE

= 390V,

V

GE

= 15V,

R

G

= 25,

L = 1MH ，

测试电路（图24）

2005仙童半导体公司

HGTG7N60A4D ， HGTP7N60A4D ， HGT1S7N60A4DS牧师B1

HGTG7N60A4D ， HGTP7N60A4D ， HGT1S7N60A4DS

电气规格

参数

二极管的正向电压

二极管的反向恢复时间

T

J

= 25

o

C，除非另有规定编

（续）

符号

V

EC

t

rr

I

EC

= 7A

I

EC

= 7A ，二

EC

/ DT = 200A / μs的

I

EC

= 1A ，二

EC

/ DT = 200A / μs的

热阻结到外壳

R

θJC

IGBT

二极管

注意事项：

2.价值两导通损耗条件显示为电路设计人员提供方便。 ê

ON1

只是IGBT的导通损耗。 ê

ON2

是当一个典型的二极管被用在测试电路中的导通损耗和二极管是在同一

J

作为IGBT 。二极管类型在指定

图24 。

3.开启，关闭能源损耗（E

关闭

）是德音响定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿和结束的积分

的点处的集电极电流等于零（我

CE

= 0A ） 。所有设备都根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试测量

功率器件的关断开关损耗。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。

测试条件

民

-

-

-

-

-

典型值

2.4

34

22

-

-

最大

-

-

-

1.0

2.2

单位

V

ns

ns

o

C / W

o

C / W

典型性能曲线

35

I

CE

， DC集电极电流（ A）

30

25

20

15

10

5

0

25

50

75

100

除非另有说明

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

40

V

GE

= 15V

T

J

= 150

o

C，R

G

= 25, V

GE

= 15V ， L = 100μH

30

20

10

125

150

0

0

100

200

300

400

500

600

700

T

C

，外壳温度（

o

C)

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

图1. DC集电极电流与案例

温度

图2.最小开关安全工作区

t

SC

，短路耐受时间（μs ）

f

最大

，工作频率（千赫）

T

C

V

GE

V

CE

= 390V ，R

G

= 25, T

J

= 125

o

C

75

o

15V

14

12

10

8

6

4

10

11

12

13

14

15

V

GE

，门到发射极电压（ V）

t

SC

I

SC

120

100

80

60

40

20

200

100 f

MAX1

= 0.05 / (t

D（ OFF ）I

+ t

D（ ON ）I

)

f

MAX2

= (P

D

- P

C

) / (E

ON2

+ E

关闭

)

P

C

=传导耗散

（占空比= 50％）

R

θJC

= 1.0

o

C / W ，见注解

T

J

= 125

o

C，R

G

= 25Ω ， L = 1MH ，V

CE

= 390V

30

1

5

10

20

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图3.工作频率与集电极

发射极电流

图4.短路耐受时间

2005仙童半导体公司

HGTG7N60A4D ， HGTP7N60A4D ， HGT1S7N60A4DS牧师B1

I

SC

峰值短路电流（ A）

500

16

140

HGTG7N60A4D ， HGTP7N60A4D ， HGT1S7N60A4DS

典型性能曲线

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

30

25

T

J

= 125

o

C

20

15

10

T

J

= 25

o

C

5

0

T

J

= 150

o

C

0

0.5

2.5

1.0

1.5

2.0

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

3.0

占空比< 0.5 ％ ，V

GE

= 12V

脉冲宽度= 250μs的

除非另有说明

（续）

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

30

25

20

15

10

5

T

J

= 150

o

C

0

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

3.0

T

J

= 25

o

C

占空比< 0.5 ％ ，V

GE

= 15V

脉冲宽度= 250μs的

T

J

= 125

o

C

图5.集电极到发射极导通电压

图6.集电极到发射极导通电压

500

E

ON2

，开启能量损失（ μJ ）

350

E

关闭

，关断能量损失（ μJ ）

R

G

= 25Ω ， L = 1MH ，V

CE

= 390V

R

G

= 25Ω ， L = 1MH ，V

CE

= 390V

300

250

200

T

J

= 125

o

C，V

GE

= 12V或15V

150

100

50

0

400

T

J

= 125

o

C，V

GE

= 12V, V

GE

= 15V

300

200

100

T

J

= 25

o

C，V

GE

= 12V, V

GE

= 15V

0

0

4

6

8

10

12

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

2

14

T

J

= 25

o

C，V

GE

= 12V或15V

0

2

4

6

8

10

12

14

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图7.开启能量损失VS收藏家

发射极电流

图8. TURN -OFF能量损失VS收藏家

发射极电流

16

t

D（ ON ）I

，导通延迟时间（纳秒）

R

G

= 25Ω ， L = 1MH ，V

CE

= 390V

T

J

= 25

o

C，V

GE

= 12V

t

rI

，上升时间（ NS ）

40

R

G

= 25Ω ， L = 1MH ，V

CE

= 390V

T

J

= 25

o

C，V

GE

= 12V, V

GE

= 15V

14

T

J

= 125

o

C，V

GE

= 12V

30

12

T

J

= 25

o

C，V

GE

= 15V

20

10

T

J

= 125

o

C，V

GE

= 15V

10

T

J

= 125

o

C，V

GE

= 12V, V

GE

= 15V

8

0

2

4

6

8

10

12

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

14

0

0

2

4

6

8

10

12

14

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图9.导通延迟时间与收藏家

发射极电流

图10.导通上升时间与收藏家

发射极电流

2005仙童半导体公司

HGTG7N60A4D ， HGTP7N60A4D ， HGT1S7N60A4DS牧师B1

HGTG7N60A4D ， HGTP7N60A4D ， HGT1S7N60A4DS

典型性能曲线

180

t

D（ OFF ）I

，关断延迟时间（纳秒）

R

G

= 25Ω ， L = 1MH ，V

CE

= 390V

160

140

120

V

GE

= 12V ，T

J

= 125

o

C

100

80

V

GE

= 12V ，T

J

= 25

o

C

60

20

0

2

4

6

8

10

12

14

0

2

4

6

8

10

12

14

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

V

GE

= 15V ，T

J

= 25

o

C

V

GE

= 15V ，T

J

= 125

o

C

t

fI

，下降时间（ NS ）

80

70

T

J

= 125

o

C，V

GE

= 12V或15V

60

50

40

30

T

J

= 25

o

C，V

GE

= 12V或15V

除非另有说明

（续）

90

R

G

= 25Ω ， L = 1MH ，V

CE

= 390V

图11.关断延迟时间与收藏家

发射极电流

图12. FALL时间与集电极到发射极

当前

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

120

100

80

60

40

20

0

T

J

= 125

o

C

T

J

= -55

o

C

V

GE

，门到发射极电压（ V）

占空比< 0.5 ％ ，V

CE

= 10V

脉冲宽度= 250μs的

T

J

= 25

o

C

15

I

G（ REF ）

= 1毫安，R

L

= 43, T

J

= 25

o

C

V

CE

= 600V

V

CE

= 400V

12

9

V

CE

= 200V

6

3

7

8

9

10

11

12

13

14

15

0

0

5

10

15

20

25

30

35

40

V

GE

，门到发射极电压（ V）

Q

G

，栅极电荷（ NC）

图13.传输特性

图14.门充电波形

E

总

，总交换能量损失（ μJ ）

800

E

总

，总交换能量损失（兆焦耳）

R

G

= 25Ω ， L = 1MH ，V

CE

= 390V, V

GE

= 15V

E

总

= E

ON2

+ E

关闭

10

T

J

= 125

o

C，L = 1MH ，V

CE

= 390V, V

GE

= 15V

E

总

= E

ON2

+ E

关闭

600

I

CE

= 14A

400

I

CE

= 7A

200

I

CE

= 3.5A

1

I

CE

= 14A

I

CE

= 7A

I

CE

= 3.5A

0.1

10

100

R

G

，栅极电阻（ Ω ）

1000

0

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度（

o

C)

图15.总开关损耗VS案例

温度

图16.总开关损耗VS栅极电阻

2005仙童半导体公司

HGTG7N60A4D ， HGTP7N60A4D ， HGT1S7N60A4DS牧师B1