HGTG5N120CND ， HGTP5N120CND ，
HGT1S5N120CNDS
数据表
2000年1月
网络文件编号
4598.2
25A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT
与反并联二极管超高速
该HGTG5N120CND ， HGTP5N120CND和
HGT1S5N120CNDS是
非穿通
（ NPT ） IGBT
设计。他们在MOS的新成员门高
电压开关IGBT系列。 IGBT的结合最好
MOSFET和双极型晶体管的特性。该装置
有一个MOSFET和低的高输入阻抗
导通状态的导通损耗的双极型晶体管构成。在IGBT
采用的是发育类型TA49309 。中所用的二极管
反并联的发育类型TA49058 。
该IGBT适用于多种高压开关
在中等频率工作的应用中，低
导通损耗是必不可少的，如AC和DC电机
控制，电源和驱动电磁阀，继电器
和接触。
以前发育类型TA49307 。
特点
25A ， 1200V ，T
C
= 25
o
C
1200V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350ns在T
J
= 150
o
C
短路额定值
低传导损耗
温度补偿
SABER 模型
热阻抗
SPICE模型
www.intersil.com
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
包装
JEDEC TO- 220AB替代版本
E
C
订购信息
产品型号
HGTG5N120CND
HGTP5N120CND
HGT1S5N120CNDS
包
TO-247
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
5N120CND
5N120CND
5N120CND
G
集热器
（法兰）
JEDEC TO- 263AB
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，也就是说，
HGT1S5N120CNDS9A.
G
集热器
（法兰）
E
符号
C
JEDEC风格-247
E
C
G
G
E
集热器
（法兰）
Intersil公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司2000
SABER 是类比公司的商标。
HGTG5N120CND ， HGTP5N120CND ， HGT1S5N120CNDS
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
HGTG5N120CND
HGTP5N120CND
HGT1S5N120CNDS
集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .BV
CES
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= 110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C110
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
开关安全工作区在T
J
= 150
o
C，如图2所示。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
＆ GT ; 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的
信息的案件从10秒0.063in （ 1.6毫米） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，看技术简报334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
短路耐受时间（注2） V
GE
= 15V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
SC
短路耐受时间（注2） V
GE
= 12V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
SC
25
12
40
±20
±30
在30A 1200V
167
1.33
-55到150
300
260
8
15
A
A
A
V
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
单位
V
1200
s
s
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.脉冲宽度有限的最高结温。
2. V
CE （ PK ）
= 840V ，T
J
= 125
o
C，R
G
= 25
.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
CES
I
CES
测试条件
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0V
V
CE
= BV
CES
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 150
o
C
民
1200
-
-
-
-
-
6.0
-
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
100
-
2.1
2.9
7.0
-
-
10.6
45
60
22
12
180
280
400
640
最大
-
250
-
2
2.4
3.5
-
±250
-
-
55
75
30
16
250
350
500
700
单位
V
A
A
mA
V
V
V
nA
A
V
nC
nC
ns
ns
ns
ns
J
J
集电极到发射极击穿电压
集电极到发射极漏电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= 5.5A,
V
GE
= 15V
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
门到发射极阈值电压
门到发射极漏电流
开关SOA
门到发射极电压高原
导通状态的栅极电荷
V
GE （日）
I
GES
SSOA
V
GEP
Q
G（ ON）的
I
C
= 45μA ，V
CE
= V
GE
V
GE
=
±20V
T
J
= 150
o
C，R
G
= 25, V
GE
= 15V,
L = 200μH ，V
CE （ PK ）
= 1200V
I
C
= 5.5A ，V
CE
= 0.5 BV
CES
I
C
= 5.5A,
V
CE
= 0.5 BV
CES
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量
关断能量（注3 ）
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON
E
关闭
IGBT和二极管在T
J
= 25
o
C
I
CE
= 5.5A
V
CE
= 0.8 BV
CES
V
GE
= 15V
R
G
= 25
L = 5mH
测试电路（图20）
2
HGTG5N120CND ， HGTP5N120CND ， HGT1S5N120CNDS
电气连接特定的阳离子
参数
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量
关断能量（注3 ）
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON
E
关闭
V
EC
t
rr
I
EC
= 5.5A
I
EC
= 5.5A ，二
EC
/ DT = 200A / μs的
I
EC
= 1A ，二
EC
/ DT = 200A / μs的
热阻结到外壳
R
θJC
IGBT
二极管
注意：
3.开启，关闭能源损耗（E
关闭
）是德音响定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿和结束的积分
的点处的集电极电流等于零（我
CE
= 0A ） 。所有设备都根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试测量
功率器件的关断开关损耗。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。
测试条件
IGBT和二极管在T
J
= 150
o
C
I
CE
= 5.5A
V
CE
= 0.8 BV
CES
V
GE
= 15V
R
G
= 25
L = 5mH
测试电路（图20）
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
20
12
225
350
1
1
2.4
48
30
-
-
最大
25
16
300
400
1.2
1.1
3.3
60
40
0.75
1.9
单位
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
V
ns
ns
o
C / W
o
C / W
典型性能曲线
25
I
CE
， DC集电极电流（ A）
除非另有规定编
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
35
30
25
20
15
10
5
0
V
GE
= 15V
T
J
= 150
o
C，R
G
= 25, V
GE
= 15V ，L = 200μH
20
15
10
5
0
25
50
75
100
125
o
C)
T
C
，外壳温度（
150
0
200
400
600
800
1000
1200
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
1400
图1. DC集电极电流与案例
温度
图2.最小开关安全工作区
3
HGTG5N120CND ， HGTP5N120CND ， HGT1S5N120CNDS
典型性能曲线
200
f
最大
，工作频率（千赫）
除非另有规定编
（续）
t
SC
，短路耐受时间（μs ）
T
J
= 150
o
C，R
G
= 25Ω ， L = 5mH ，V
CE
= 960V
T
C
75
o
C
75
o
C
110
o
C
110
o
C
V
GE
15V
12V
15V
12V
V
CE
= 840V ，R
G
= 25, T
J
= 125
o
C
100
30
60
I
SC
50
25
50
T
C
= 75
o
C，V
GE
= 5V
理想二极管
f
MAX1
= 0.05 / (t
D（ OFF ）I
+ t
D（ ON ）I
)
20
40
20
10
f
MAX2
= (P
D
- P
C
) / (E
ON
+ E
关闭
)
P
C
=传导耗散
（占空比= 50％）
R
θJC
= 0.75
o
C / W ，见注解
1
15
t
SC
10
10
30
2
3
5
10
20
11
12
13
14
15
V
GE
，门到发射极电压（ V）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图3.工作频率与集电极
发射极电流
图4.短路耐受时间
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
35
30
25
T
C
= -55
o
C
20
15
T
C
= 25
o
C
10
5
0
占空比< 0.5 ％ ，V
GE
= 12V
250μs的脉冲测试
0
1
6
8
2
3
4
5
7
9
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
10
T
C
= 150
o
C
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
占空比< 0.5 ％ ，V
GE
= 15V
250μs的脉冲测试
T
C
= -55
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
2
4
6
8
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图5.集电极到发射极导通电压
图6.集电极到发射极导通电压
3000
E
ON
，开启能量损失（兆焦耳）
2500
E
关闭
，关断能量损失（ μJ ）
R
G
= 25Ω ， L = 5mH ，V
CE
= 960V
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V, V
GE
= 12V
1750
R
G
= 25Ω ， L = 5mH ，V
CE
= 960V
1500
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 12V或15V
1250
1000
750
500
250
0
2000
1500
1000
500
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 15V, V
GE
= 12V
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V或15V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图7.开启能量损失VS收藏家
发射极电流
图8. TURN -OFF能量损失VS收藏家
发射极电流
4
I
SC
峰值短路电流（ A）
10
10
35
70
HGTG5N120CND ， HGTP5N120CND ， HGT1S5N120CNDS
典型性能曲线
40
R
G
= 25Ω ， L = 5mH ，V
CE
= 960V
t
dI
，导通延迟时间（纳秒）
35
35
t
rI
，上升时间（ NS ）
30
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 12V
25
20
15
10
10
0
除非另有规定编
（续）
40
R
G
= 25Ω ， L = 5mH ，V
CE
= 960V
30
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 12V
25
20
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V
15
2
3
4
5
6
7
8
9
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V
2
3
4
5
6
7
8
9
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
10
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9.导通延迟时间与收藏家
发射极电流
图10.导通上升时间与收藏家
发射极电流
600
t
D（ OFF ）I
，关断延迟时间（纳秒）
500
400
300
200
100
0
R
G
= 25Ω ， L = 5mH ，V
CE
= 960V
900
800
t
fI
，下降时间（ NS ）
700
600
500
400
300
R
G
= 25Ω ， L = 5mH ，V
CE
= 960V
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 12V, V
GE
= 15V
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 12V和15V
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V和15V
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V, V
GE
= 15V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
10
200
100
1
2
3
5
4
6
7
8
9
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
10
图11.关断延迟时间与收藏家
发射极电流
图12. FALL时间与集电极到发射极
当前
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
6
占空比< 0.5 ％ ，V
CE
= 20V
250μs的脉冲测试
T
C
= 25
o
C
V
GE
，门到发射极电压（ V）
100
16
14
V
CE
= 1200V
12
10
8
6
4
2
0
7
13
14
8
9
11
12
10
V
GE
，门到发射极电压（ V）
15
16
0
10
20
I
G（ REF ）
= 1毫安，R
L
= 120, T
C
= 25
o
C
30
40
50
60
V
CE
= 400V
V
CE
= 800V
T
C
= -55
o
C
T
C
= 150
o
C
Q
G
，栅极电荷（ NC）
图13.传输特性
图14.门充电波形
5
QQ：2880707522 复制
