HGTG40N60C3
数据表
2001年12月
75A ， 600V ， UFS系列N沟道IGBT
该HGTG40N60C3是MOS门控高压开关
器件结合了MOSFET和最好的功能
双极型晶体管。这些器件具有高输入
MOSFET的阻抗和低的导通状态导通
损失一个双极晶体管组成。在低得多的导通电压
降变化只是适度的25
o
C和150
o
C.
该IGBT适用于多种高压开关
在中等频率工作的应用中，低
导通损耗是必不可少的，如：交，直流电动机
控制，电源和驱动电磁阀，继电器和
接触器。
以前发育类型TA49273 。
特点
75A ， 600V ，T
C
= 25
o
C
600V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100ns在T
J
= 150
o
C
短路额定值
低传导损耗
包装
JEDEC风格-247
E
C
G
订购信息
产品型号
HGTG40N60C3
包
TO-247
PKG 。号
G40N60C3
注：订货时，使用整个零件编号。
符号
C
G
E
飞兆半导体公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
2001仙童半导体公司
HGTG40N60C3版本B
HGTG40N60C3
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
HGTG40N60C3
600
75
40
300
±
20
±
30
40A电压为600V
291
2.33
100
-55到150
260
5
10
单位
V
A
A
A
V
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
s
s
集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .BV
CES
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= 110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C110
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
创业板
开关安全工作区在T
J
= 150
o
C（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
＆ GT ; 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
反向电压雪崩能量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
ARV
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
短路耐受时间（注2） V
GE
= 12V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
SC
短路耐受时间（注2） V
GE
= 10V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
SC
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.脉冲宽度有限的最高结温。
2. V
CE （ PK ）
= 360V ，T
J
= 125
o
C，R
G
= 3
.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
CES
BV
ECS
I
CES
测试条件
I
C
= 250
A，V
GE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
GE
= 0V
V
CE
= BV
CES
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
民
600
15
-
-
-
-
3.1
-
V
CE
= 480V
V
CE
= 600V
200
40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
25
-
-
1.3
1.4
4.5
-
-
-
7.2
275
360
47
30
185
60
850
1.0
1.0
最大
-
-
250
4.0
1.8
2.0
6.0
±
250
-
-
-
302
395
-
-
-
-
-
1.2
1.8
单位
V
V
A
mA
V
V
V
nA
A
A
V
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
集电极到发射极击穿电压
发射极到集电极击穿电压
集电极到发射极漏电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= I
C110
,
V
GE
= 15V
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
门到发射极阈值电压
门到发射极漏电流
开关SOA
V
GE （日）
I
GES
SSOA
I
C
= 250
A，V
CE
= V
GE
V
GE
=
±
20V
T
J
= 150
o
C，R
G
=
3
,
V
GE
= 15V,
L = 400
H
门到发射极电压高原
导通状态的栅极电荷
V
GEP
Q
G（ ON）的
I
C
= I
C110
, V
CE
= 0.5 BV
CES
I
C
= I
C110
,
V
CE
= 0.5 BV
CES
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注3 ）
开启能量（注3 ）
关断能量（注4 ）
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
IGBT和二极管在T
J
= 25
o
C
I
CE
= I
C110
V
CE
= 0.8 BV
CES
V
GE
= 15V
R
G
= 3
L = 1MH
测试电路（图17）
2001仙童半导体公司
HGTG40N60C3版本B
HGTG40N60C3
电气连接特定的阳离子
参数
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注3 ）
开启能量（注3 ）
关断能量（注4 ）
热阻结到外壳
注意事项：
3.值两导通损耗条件显示为电路设计人员提供方便。 ê
ON1
只是IGBT的导通损耗。 ê
ON2
是当一个典型的二极管被用在测试电路中的导通损耗和二极管是在同一
J
作为IGBT 。二极管类型在指定
图17 。
4.开启，关闭能源损耗（E
关闭
）是德音响定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿和结束的积分
的点处的集电极电流等于零（我
CE
= 0A ） 。所有设备都根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试测量
功率器件的关断开关损耗。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
R
θJC
测试条件
IGBT和二极管在T
J
= 150
o
C
I
CE
= I
C110
V
CE
= 0.8 BV
CES
V
GE
= 15V
R
G
= 3
L = 1MH
测试电路（图17）
民
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
41
30
360
100
860
2.0
2.5
-
最大
-
-
450
210
-
2.4
4
0.43
单位
ns
ns
ns
ns
J
mJ
mJ
o
C / W
典型性能曲线
80
I
CE
， DC集电极电流（ A）
70
60
50
40
30
20
10
0
25
包
极限
除非另有规定编
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
V
GE
= 15V
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
100
200
300
400
500
600
700
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
T
J
= 150
o
C，R
G
= 3, V
GE
= 15V ， L = 100μH
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1. DC集电极电流与案例
温度
T
J
= 150
o
C，R
G
= 3Ω ， L = 1MH ，V
CE
= 480V
100
T
C
75
o
C
75
o
C
110
o
C
110
o
C
V
GE
15V
10V
15V
10V
图2.最小开关安全工作区
t
SC
，短路耐受时间（μs ）
V
CE
= 360V ，R
G
= 3, T
J
= 125
o
C
I
SC
16
625
10
12
500
f
MAX1
= 0.05 / (t
D（ OFF ）I
+ t
D（ ON ）I
)
f
MAX2
= (P
D
- P
C
) / (E
ON2
+ E
关闭
)
P
C
=传导耗散
（占空比= 50％）
R
θJC
= 0.43
o
C / W ，见注解
1
2
5
10
40
80
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
8
t
SC
4
10
11
12
13
14
V
GE
，门到发射极电压（ V）
375
250
15
图3.工作频率与集电极
发射极电流
2001仙童半导体公司
图4.短路耐受时间
HGTG40N60C3版本B
I
SC
峰值短路电流（ A）
f
最大
，工作频率（千赫）
20
750
HGTG40N60C3
数据表
2000年1月
网络文件编号
4472.2
75A ， 600V ， UFS系列N沟道IGBT
该HGTG40N60C3是MOS门控高压开关
器件结合了MOSFET和最好的功能
双极型晶体管。这些器件具有高输入
MOSFET的阻抗和低的导通状态导通
损失一个双极晶体管组成。在低得多的导通电压
降变化只是适度的25
o
C和150
o
C.
该IGBT适用于多种高压开关
在中等频率工作的应用中，低
导通损耗是必不可少的，如：交，直流电动机
控制，电源和驱动电磁阀，继电器
和接触。
以前发育类型TA49273 。
特点
75A ， 600V ，T
C
= 25
o
C
600V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100ns在T
J
= 150
o
C
短路额定值
低传导损耗
包装
JEDEC风格-247
E
C
G
订购信息
产品型号
HGTG40N60C3
包
TO-247
PKG 。号
G40N60C3
注：订货时，使用整个零件编号。
符号
C
G
E
Intersil公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司2000
HGTG40N60C3
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
HGTG40N60C3
集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .BV
CES
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= 110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C110
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
开关安全工作区在T
J
= 150
o
C（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
＆ GT ; 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
反向电压雪崩能量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
ARV
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
短路耐受时间（注2） V
GE
= 12V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
SC
短路耐受时间（注2） V
GE
= 10V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
SC
600
75
40
300
±20
±30
40A电压为600V
291
2.33
100
-55到150
260
5
10
单位
V
A
A
A
V
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
s
s
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.脉冲宽度有限的最高结温。
2. V
CE （ PK ）
= 360V ，T
J
= 125
o
C，R
G
= 3.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
CES
BV
ECS
I
CES
测试条件
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
GE
= 0V
V
CE
= BV
CES
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
民
600
15
-
-
-
-
3.1
-
V
CE
= 480V
V
CE
= 600V
200
40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
25
-
-
1.3
1.4
4.5
-
-
-
7.2
275
360
47
30
185
60
850
1.0
1.0
最大
-
-
250
4.0
1.8
2.0
6.0
±250
-
-
-
302
395
-
-
-
-
-
1.2
1.8
单位
V
V
A
mA
V
V
V
nA
A
A
V
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
集电极到发射极击穿电压
发射极到集电极击穿电压
集电极到发射极漏电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= I
C110
,
V
GE
= 15V
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
门到发射极阈值电压
门到发射极漏电流
开关SOA
V
GE （日）
I
GES
SSOA
I
C
= 250μA ，V
CE
= V
GE
V
GE
=
±20V
T
J
= 150
o
C，R
G
=
3, V
GE
= 15V,
L = 400μH
门到发射极电压高原
导通状态的栅极电荷
V
GEP
Q
G（ ON）的
I
C
= I
C110
, V
CE
= 0.5 BV
CES
I
C
= I
C110
,
V
CE
= 0.5 BV
CES
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注3 ）
开启能量（注3 ）
关断能量（注4 ）
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
IGBT和二极管在T
J
= 25
o
C
I
CE
= I
C110
V
CE
= 0.8 BV
CES
V
GE
= 15V
R
G
= 3
L = 1MH
测试电路（图17）
2
HGTG40N60C3
电气连接特定的阳离子
参数
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注3 ）
开启能量（注3 ）
关断能量（注4 ）
热阻结到外壳
注意事项：
3.值两导通损耗条件显示为电路设计人员提供方便。 ê
ON1
只是IGBT的导通损耗。 ê
ON2
是当一个典型的二极管被用在测试电路中的导通损耗和二极管是在同一
J
作为IGBT 。二极管类型在指定
图17 。
4.开启，关闭能源损耗（E
关闭
）是德音响定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿和结束的积分
的点处的集电极电流等于零（我
CE
= 0A ） 。所有设备都根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试测量
功率器件的关断开关损耗。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
R
θJC
测试条件
IGBT和二极管在T
J
= 150
o
C
I
CE
= I
C110
V
CE
= 0.8 BV
CES
V
GE
= 15V
R
G
= 3
L = 1MH
测试电路（图17）
民
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
41
30
360
100
860
2.0
2.5
-
最大
-
-
450
210
-
2.4
4
0.43
单位
ns
ns
ns
ns
J
mJ
mJ
o
C / W
典型性能曲线
80
I
CE
， DC集电极电流（ A）
70
60
50
40
30
20
10
0
25
包
极限
除非另有规定编
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
V
GE
= 15V
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
100
200
300
400
500
600
700
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
T
J
= 150
o
C，R
G
= 3, V
GE
= 15V ， L = 100μH
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1. DC集电极电流与案例
温度
f
最大
，工作频率（千赫）
T
J
= 150
o
C，R
G
= 3Ω ， L = 1MH ，V
CE
= 480V
100
T
C
75
o
C
75
o
C
110
o
C
110
o
C
V
GE
15V
10V
15V
10V
图2.最小开关安全工作区
t
SC
，短路耐受时间（μs ）
20
V
CE
= 360V ，R
G
= 3, T
J
= 125
o
C
I
SC
750
16
625
10
12
500
f
MAX1
= 0.05 / (t
D（ OFF ）I
+ t
D（ ON ）I
)
f
MAX2
= (P
D
- P
C
) / (E
ON2
+ E
关闭
)
P
C
=传导耗散
（占空比= 50％）
R
θJC
= 0.43
o
C / W ，见注解
1
2
5
10
40
80
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
8
t
SC
4
10
11
12
13
14
V
GE
，门到发射极电压（ V）
375
250
15
图3.工作频率与集电极
发射极电流
图4.短路耐受时间
3
I
SC
峰值短路电流（ A）
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