HGTG20N60A4D
数据表
1999年10月
网络文件编号
4790
600V ，开关电源系列N沟道IGBT具有
反并联二极管超高速
该HGTG20N60A4D是MOS门控高压
开关器件的MOSFET相结合的最佳功能
和双极型晶体管。此装置具有高输入
MOSFET的阻抗和低的导通状态导通
损失一个双极晶体管组成。在低得多的导通电压
降变化只是适度的25
o
C和150
o
C.该
IGBT采用的是开发式TA49339 。二极管
反并联使用的是发展型TA49372 。
这IGBT适用于多种高压开关
在高频率下操作的应用，其中低
导通损耗是必不可少的。
该装置已
高频开关模式电源优化
耗材。
以前发育类型TA49341 。
特点
＆ GT ; 100kHz的工作在390V ， 20A
200kHz的工作在390V ， 12A
600V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55ns在T
J
= 125
o
C
低传导损耗
温度补偿
SABER 模型
www.intersil.com
包装
JEDEC风格-247
E
C
G
订购信息
产品型号
HGTG20N60A4D
包
TO-247
BRAND
20N60A4D
集热器
（法兰）
注：订货时，使用整个零件编号。
符号
C
G
E
Intersil公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
1-888- INTERSIL或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
SABER 是类比公司的商标。
HGTG20N60A4D
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
HGTG20N60A4D
600
70
40
280
±20
±30
100A在600V
290
2.32
-55到150
260
单位
V
A
A
A
V
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .BV
CES
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= 110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C110
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
开关安全工作区在T
J
= 150
o
C（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
＆ GT ; 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.脉冲宽度有限的最高结温。
电气连接特定的阳离子
参数
T
J
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
CES
I
CES
测试条件
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0V
V
CE
= 600V
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
民
600
-
-
-
-
4.5
-
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
IGBT和二极管在T
J
= 125
o
C,
I
CE
= 20A,
V
CE
= 390V, V
GE
= 15V,
R
G
= 3,
L = 500μH ，
测试电路如图24
-
-
-
-
-
-
-
I
EC
= 20A
-
典型值
-
-
-
1.8
1.6
5.5
-
-
8.6
142
182
15
12
73
32
105
280
150
15
13
105
55
115
510
330
2.3
最大
-
250
3.0
2.7
2.0
7.0
±250
-
-
162
210
-
-
-
-
-
350
200
21
18
135
73
-
600
500
-
单位
V
A
mA
V
V
V
nA
A
V
nC
nC
ns
ns
ns
ns
J
J
J
ns
ns
ns
ns
J
J
J
V
集电极到发射极击穿电压
集电极到发射极漏电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= 20A,
V
GE
= 15V
门到发射极阈值电压
门到发射极漏电流
开关SOA
门到发射极电压高原
导通状态的栅极电荷
V
GE （日）
I
GES
SSOA
V
GEP
Q
G（ ON）的
I
C
= 250μA ，V
CE
= 600V
V
GE
=
±20V
T
J
= 150
o
C，R
G
= 3, V
GE
= 15V,
L = 100μH ，V
CE
= 600V
I
C
= 20A ，V
CE
= 300V
I
C
= 20A,
V
CE
= 300V
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注3 ）
开启能量（注3 ）
关断能量（注2 ）
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注3 ）
开启能量（注3 ）
关断能量（注2 ）
二极管的正向电压
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
V
EC
IGBT和二极管在T
J
= 25
o
C,
I
CE
= 20A,
V
CE
= 390V,
V
GE
= 15V,
R
G
= 3,
L = 500μH ，
测试电路如图24
2
HGTG20N60A4D
电气连接特定的阳离子
参数
二极管的反向恢复时间
T
J
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
t
rr
测试条件
I
EC
= 20A ，二
EC
/ DT = 200A / μs的
I
EC
= 1A ，二
EC
/ DT = 200A / μs的
热阻结到外壳
R
θJC
IGBT
二极管
注意：
2.打开，关闭能源损耗（E
关闭
）是德音响定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿和结束的积分
的点处的集电极电流等于零（我
CE
= 0A ） 。所有设备都根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试测量
功率器件的关断开关损耗。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。
3.值两导通损耗条件显示为电路设计人员提供方便。 ê
ON1
只是IGBT的导通损耗。 ê
ON2
是当一个典型的二极管被用在测试电路中的导通损耗和二极管是在同一
J
作为IGBT 。二极管类型在指定
图20 。
民
-
-
-
-
典型值
35
26
-
-
最大
-
-
0.43
1.9
单位
ns
ns
o
C / W
o
C / W
典型性能曲线
100
I
CE
， DC集电极电流（ A）
DIE能力的
80
套餐限制
除非另有规定编
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
120
100
80
60
40
20
0
V
GE
= 15V
T
J
= 150
o
C，R
G
= 3, V
GE
= 15V ， L = 100μH
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
700
T
C
，外壳温度（
o
C)
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图1. DC集电极电流与案例
温度
图2.最小开关安全工作区
f
最大
，工作频率（千赫）
T
C
75
o
C
300
V
GE
15V
V
CE
= 390V ，R
G
= 3, T
J
= 125
o
C
I
SC
12
10
8
6
4
2
0
400
350
300
250
200
150
100
15
f
MAX1
= 0.05 / (t
D（ OFF ）I
+ t
D（ ON ）I
)
100 f
MAX2
= (P
D
- P
C
) / (E
ON2
+ E
关闭
)
P
C
=传导耗散
（占空比= 50％）
R
θJC
= 0.43
o
C / W ，见注解
T
J
= 125
o
C，R
G
= 3Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
40
5
10
20
30
40
50
t
SC
10
11
12
13
14
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
V
GE
，门到发射极电压（ V）
图3.工作频率与集电极
发射极电流
图4.短路耐受时间
3
I
SC
峰值短路电流（ A）
500
t
SC
，短路耐受时间（μs ）
14
450
HGTG20N60A4D ， HGT4E20N60A4DS
数据表
2002年4月
600V ，开关电源系列N沟道IGBT具有
反并联二极管超高速
这家MOS门控高压开关设备
结合了MOSFET和双极性的最佳功能
晶体管。这些器件具有高输入阻抗
一个MOSFET和双极性的低导通状态的导通损耗
晶体管。在低得多的通态压降只有变化
适度的25
o
C和150
o
C.使用的IGBT是
开发类型TA49339 。在反并联使用的二极管
是开发类型TA49372 。
这些IGBT的非常适合许多高电压开关
在高频率下操作的应用，其中低
导通损耗是必不可少的。
这些装置已经
高频开关模式电源优化
耗材。
以前发育类型TA49341 。
特点
＆ GT ; 100kHz的工作在390V ， 20A
200kHz的工作在390V ， 12A
600V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .55ns在T
J
= 125
o
C
低传导损耗
温度补偿
SABER 模型
www.fairchildsemi.com
包装
JEDEC风格-247
E
C
G
订购信息
产品型号
HGTG20N60A4D
HGT4E20N60A4DS
包
TO-247
TO-268
BRAND
20N60A4D
20N60A4DS
TO-268AA
注：订货时，使用整个零件编号。
符号
C
C
G
G
E
E
飞兆半导体公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
2002仙童半导体公司
HGTG20N60A4D ， HGT4E20N60A4DS版本C
HGTG20N60A4D ， HGT4E20N60A4DS
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
HGTG20N60A4D,
HGT4E20N60A4DS
600
70
40
280
±20
±30
100A在600V
290
2.32
-55到150
260
单位
V
A
A
A
V
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .BV
CES
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= 110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C110
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
创业板
开关安全工作区在T
J
= 150
o
C（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
＆ GT ; 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.脉冲宽度有限的最高结温。
电气规格
参数
T
J
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
CES
I
CES
测试条件
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0V
V
CE
= 600V
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
民
600
-
-
-
-
4.5
-
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
IGBT和二极管在T
J
= 125
o
C,
I
CE
= 20A,
V
CE
= 390V, V
GE
= 15V,
R
G
= 3,
L = 500μH ，
测试电路如图24
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
1.8
1.6
5.5
-
-
8.6
142
182
15
12
73
32
105
280
150
15
13
105
55
115
510
330
最大
-
250
3.0
2.7
2.0
7.0
±250
-
-
162
210
-
-
-
-
-
350
200
21
18
135
73
-
600
500
单位
V
A
mA
V
V
V
nA
A
V
nC
nC
ns
ns
ns
ns
J
J
J
ns
ns
ns
ns
J
J
J
集电极到发射极击穿电压
集电极到发射极漏电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= 20A,
V
GE
= 15V
门到发射极阈值电压
门到发射极漏电流
开关SOA
门到发射极电压高原
导通状态的栅极电荷
V
GE （日）
I
GES
SSOA
V
GEP
Q
G（ ON）的
I
C
= 250μA ，V
CE
= 600V
V
GE
=
±20V
T
J
= 150
o
C，R
G
= 3, V
GE
= 15V,
L = 100μH ，V
CE
= 600V
I
C
= 20A ，V
CE
= 300V
I
C
= 20A,
V
CE
= 300V
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注3 ）
开启能量（注3 ）
关断能量（注2 ）
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注3 ）
开启能量（注3 ）
关断能量（注2 ）
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
IGBT和二极管在T
J
= 25
o
C,
I
CE
= 20A,
V
CE
= 390V,
V
GE
= 15V,
R
G
= 3,
L = 500μH ，
测试电路如图24
2002仙童半导体公司
HGTG20N60A4D ， HGT4E20N60A4DS版本C
HGTG20N60A4D ， HGT4E20N60A4DS
电气规格
参数
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
T
J
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
V
EC
t
rr
测试条件
I
EC
= 20A
I
EC
= 20A ，二
EC
/ DT = 200A / μs的
I
EC
= 1A ，二
EC
/ DT = 200A / μs的
热阻结到外壳
R
θJC
IGBT
二极管
注意：
2.打开，关闭能源损耗（E
关闭
）是德音响定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿和结束的积分
的点处的集电极电流等于零（我
CE
= 0A ） 。所有设备都根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试测量
功率器件的关断开关损耗。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。
3.值两导通损耗条件显示为电路设计人员提供方便。 ê
ON1
只是IGBT的导通损耗。 ê
ON2
是当一个典型的二极管被用在测试电路中的导通损耗和二极管是在同一
J
作为IGBT 。二极管类型在指定
图20 。
民
-
-
-
-
-
典型值
2.3
35
26
-
-
最大
-
-
-
0.43
1.9
单位
V
ns
ns
o
C / W
o
C / W
典型性能曲线
100
I
CE
， DC集电极电流（ A）
DIE能力的
80
套餐限制
除非另有说明
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
120
100
80
60
40
20
0
V
GE
= 15V
T
J
= 150
o
C，R
G
= 3, V
GE
= 15V ， L = 100μH
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
700
T
C
，外壳温度（
o
C)
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图1. DC集电极电流与案例
温度
图2.最小开关安全工作区
f
最大
，工作频率（千赫）
T
C
75
o
C
300
V
GE
15V
V
CE
= 390V ，R
G
= 3, T
J
= 125
o
C
I
SC
12
10
8
6
4
2
0
400
350
300
250
200
150
100
15
f
MAX1
= 0.05 / (t
D（ OFF ）I
+ t
D（ ON ）I
)
100 f
MAX2
= (P
D
- P
C
) / (E
ON2
+ E
关闭
)
P
C
=传导耗散
（占空比= 50％）
R
θJC
= 0.43
o
C / W ，见注解
T
J
= 125
o
C，R
G
= 3Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
40
5
10
20
30
40
50
t
SC
10
11
12
13
14
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
V
GE
，门到发射极电压（ V）
图3.工作频率与集电极
发射极电流
图4.短路耐受时间
2002仙童半导体公司
HGTG20N60A4D ， HGT4E20N60A4DS版本C
I
SC
峰值短路电流（ A）
500
t
SC
，短路耐受时间（μs ）
14
450
HGTG20N60A4D ， HGT4E20N60A4DS
典型性能曲线
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
100
占空比< 0.5 ％ ，V
GE
= 12V
脉冲宽度= 250μs的
除非另有说明
（续）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
100
占空比< 0.5 ％ ，V
GE
= 15V
脉冲宽度= 250μs的
80
80
60
60
40
T
J
= 125
o
C
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
40
T
J
= 125
o
C
20
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
20
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图5.集电极到发射极导通电压
图6.集电极到发射极导通电压
1400
E
关闭
，关断能量损失（ μJ ）
E
ON2
，开启能量损失（ μJ ）
R
G
= 3Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
1200
1000
800
600
400
200
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V, V
GE
= 15V
0
5
15
20
25
30
35
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
10
40
T
J
= 125
o
C，V
GE
= 12V, V
GE
= 15V
800
R
G
= 3Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
700
600
500
400
300
200
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V或15V
T
J
= 125
o
C，V
GE
= 12V或15V
图7.开启能量损失VS收藏家
发射极电流
图8. TURN -OFF能量损失VS收藏家
发射极电流
22
t
D（ ON ）I
，导通延迟时间（纳秒）
R
G
= 3Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
20
18
16
14
12
10
8
T
J
= 25
o
C，T
J
= 125
o
C，V
GE
= 15V
36
R
G
= 3Ω L = 500μH ，V
CE
= 390V
,
32
T
J
= 25
o
C，T
J
= 125
o
C，V
GE
= 12V
t
rI
，上升时间（ NS ）
28
24
20
16
12
8
4
5
10
15
20
25
30
35
40
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
5
10
15
T
J
= 25
o
C或T
J
= 125
o
C，V
GE
= 15V
T
J
= 25
o
C，T
J
= 125
o
C，V
GE
= 12V
20
25
30
35
40
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9.导通延迟时间与收藏家
发射极电流
图10.导通上升时间与收藏家
发射极电流
2002仙童半导体公司
HGTG20N60A4D ， HGT4E20N60A4DS版本C
HGTG20N60A4D ， HGT4E20N60A4DS
典型性能曲线
120
t
D（ OFF ）I
，关断延迟时间（纳秒）
R
G
= 3Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
110
100
90
80
V
GE
= 12V, V
GE
= 15V ，T
J
= 25
o
C
70
60
t
fI
，下降时间（ NS ）
V
GE
= 12V, V
GE
= 15V ，T
J
= 125
o
C
72
64
56
48
40
32
24
5
10
15
20
25
30
35
40
16
5
10
15
20
25
30
35
40
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V或15V
T
J
= 125
o
C，V
GE
= 12V或15V
除非另有说明
（续）
80
R
G
= 3Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11.关断延迟时间与收藏家
发射极电流
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图12. FALL时间与集电极到发射极
当前
16
200
160
120
占空比< 0.5 ％ ，V
CE
= 10V
脉冲宽度= 250μs的
V
GE
，门到发射极电压（ V）
240
I
G（ REF ）
= 1毫安，R
L
= 15, T
J
= 25
o
C
I
G（ REF ）
= 1毫安，R
L
= 15, T
J
= 25
o
C
14
12
10
8
6
4
2
0
V
CE
= 200V
V
CE
= 600V
V
CE
= 400V
T
J
= 25
o
C
80
40
0
6
T
J
= 125
o
C
T
J
= -55
o
C
7
8
9
10
11
12
0
20
40
60
80
100
120
140
160
V
GE
，门到发射极电压（ V）
Q
G
，栅极电荷（ NC）
图13.传输特性
E
总
，总交换能量损失（兆焦耳）
E
总
，总交换能量损失（兆焦耳）
图14.门充电波形
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
50
75
100
125
150
I
CE
= 20A
I
CE
= 30A
R
G
= 3Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V, V
GE
= 15V
E
总
= E
ON2
+ E
关闭
T
J
= 125
o
C，L = 500μH ，V
CE
= 390V, V
GE
= 15V
E
总
= E
ON2
+ E
关闭
10
I
CE
= 30A
1
I
CE
= 20A
I
CE
= 10A
I
CE
= 10A
0.1
3
10
100
R
G
，栅极电阻（ Ω ）
1000
T
C
，外壳温度（
o
C)
图15.总开关损耗VS案例
温度
图16.总开关损耗VS栅极电阻
2002仙童半导体公司
HGTG20N60A4D ， HGT4E20N60A4DS版本C
HGTG20N60A4D
数据表
2009年2月
600V ，开关电源系列N沟道IGBT具有
反并联二极管超高速
该HGTG20N60A4D是MOS门控高压开关
设备相结合的MOSFET和双极性的最佳功能
晶体管。本装置具有一个高输入阻抗
MOSFET和双极性的低导通状态的导通损耗
晶体管。在低得多的通态压降只有变化
适度的25
o
C和150
o
C.使用的IGBT是
开发类型TA49339 。在反并联使用的二极管
是开发类型TA49372 。
这IGBT适用于多种高压开关
在高频率下操作的应用，其中低
导通损耗是必不可少的。
该装置已
高频开关模式电源优化
耗材。
以前发育类型TA49341 。
特点
＆ GT ; 100kHz的工作在390V ， 20A
200kHz的工作在390V ， 12A
600V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55ns在T
J
= 125
o
C
低传导损耗
温度补偿
SABER 模型
www.fairchildsemi.com
包装
JEDEC风格-247
订购信息
产品型号
HGTG20N60A4D
包
TO-247
BRAND
20N60A4D
集热器
（法兰）
注：订货时，使用整个零件编号。
符号
C
G
E
飞兆半导体公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
2009仙童半导体公司
HGTG20N60A4D牧师C1
HGTG20N60A4D
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .BV
CES
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= 110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C110
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
连续二极管正向电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
FM110
二极管的最大正向电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
FM
门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
开关安全工作区在T
J
= 150
o
C（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
＆ GT ; 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
HGTG20N60A4D
600
70
40
280
20
80
±20
±30
100A在600V
290
2.32
-55到150
260
单位
V
A
A
A
A
A
V
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注1 ：脉冲宽度有限的最高结温。
电气规格
参数
T
J
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
CES
I
CES
测试条件
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0V
V
CE
= 600V
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
民
600
-
-
-
-
4.5
-
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
IGBT和二极管在T
J
= 125
o
C,
I
CE
= 20A,
V
CE
= 390V, V
GE
= 15V,
R
G
= 3Ω,
L = 500μH ，
测试电路如图24
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
1.8
1.6
5.5
-
-
8.6
142
182
15
12
73
32
105
280
150
15
13
105
55
115
510
330
最大
-
250
3.0
2.7
2.0
7.0
±250
-
-
162
210
-
-
-
-
-
350
200
21
18
135
73
-
600
500
单位
V
μA
mA
V
V
V
nA
A
V
nC
nC
ns
ns
ns
ns
μJ
μJ
μJ
ns
ns
ns
ns
μJ
μJ
μJ
集电极到发射极击穿电压
集电极到发射极漏电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= 20A,
V
GE
= 15V
门到发射极阈值电压
门到发射极漏电流
开关SOA
门到发射极电压高原
导通状态的栅极电荷
V
GE （日）
I
GES
SSOA
V
GEP
Q
G（ ON）的
I
C
= 250μA ，V
CE
= 600V
V
GE
=
±20V
T
J
= 150
o
C，R
G
= 3Ω, V
GE
= 15V,
L = 100μH ，V
CE
= 600V
I
C
= 20A ，V
CE
= 300V
I
C
= 20A,
V
CE
= 300V
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注3 ）
开启能量（注3 ）
关断能量（注2 ）
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注3 ）
开启能量（注3 ）
关断能量（注2 ）
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
IGBT和二极管在T
J
= 25
o
C,
I
CE
= 20A,
V
CE
= 390V,
V
GE
= 15V,
R
G
= 3Ω,
L = 500μH ，
测试电路如图24
2009仙童半导体公司
HGTG20N60A4D牧师C1
HGTG20N60A4D
电气规格
参数
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
T
J
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
V
EC
t
rr
测试条件
I
EC
= 20A
I
EC
= 20A ，二
EC
/ DT = 200A / μs的
I
EC
= 1A ，二
EC
/ DT = 200A / μs的
热阻结到外壳
R
θJC
IGBT
二极管
注意：
1.打开，关闭能源损耗（E
关闭
）是德音响定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿和结束的积分
的点处的集电极电流等于零（我
CE
= 0A ） 。所有设备都根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试测量
功率器件的关断开关损耗。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。
2.价值两导通损耗条件显示为电路设计人员提供方便。 ê
ON1
只是IGBT的导通损耗。 ê
ON2
是当一个典型的二极管被用在测试电路中的导通损耗和二极管是在同一
J
作为IGBT 。二极管类型在指定
图20 。
民
-
-
-
-
-
典型值
2.3
35
26
-
-
最大
-
-
-
0.43
1.9
单位
V
ns
ns
o
C / W
o
C / W
典型性能曲线
100
I
CE
， DC集电极电流（ A）
DIE能力的
80
套餐限制
除非另有说明
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
120
100
80
60
40
20
0
V
GE
= 15V
T
J
= 150
o
C，R
G
= 3Ω, V
GE
= 15V ， L = 100μH
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
700
T
C
，外壳温度（
o
C)
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图1. DC集电极电流与案例
温度
图2.最小开关安全工作区
f
最大
，工作频率（千赫）
T
C
75
o
C
300
V
GE
15V
V
CE
= 390V ，R
G
= 3Ω, T
J
= 125
o
C
I
SC
12
10
8
6
4
2
0
400
350
300
250
200
150
100
15
f
MAX1
= 0.05 / (t
D（ OFF ）I
+ t
D（ ON ）I
)
100 f
MAX2
= (P
D
- P
C
) / (E
ON2
+ E
关闭
)
P
C
=传导耗散
（占空比= 50％）
R
êJC
= 0.43
o
C / W ，看不出有什么
T
J
= 125
o
C，R
G
= 3Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
40
5
10
20
30
40
50
t
SC
10
11
12
13
14
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
V
GE
，门到发射极电压（ V）
图3.工作频率与集电极
发射极电流
图4.短路耐受时间
2009仙童半导体公司
HGTG20N60A4D牧师C1
I
SC
峰值短路电流（ A）
500
t
SC
，短路耐受时间（μs ）
14
450
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