HGTG20N120CND
数据表
2001年12月
63A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT
与反并联二极管超高速
该HGTG20N120CND是
N
导通
P
UNCH
T
hrough （ NPT ）
IGBT的设计。这是MOS门控高的新成员
电压开关IGBT系列。 IGBT的结合最好
MOSFET和双极型晶体管的特性。该装置
具有MOSFET的高输入阻抗和低的导通
态传导损耗双极晶体管。
该IGBT适用于多种高压开关
在中等频率工作的应用中，低
导通损耗是必不可少的，如：交，直流电动机
控制，电源和驱动电磁阀，继电器
和接触。
以前发育类型TA49305 。
特点
63A ， 1200V ，T
C
= 25
o
C
1200V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 340ns在T
J
= 150
o
C
短路额定值
低传导损耗
包装
JEDEC风格-247
E
C
G
订购信息
产品型号
HGTG20N120CND
包
TO-247
BRAND
20N120CND
注：订货时，使用整个零件编号。
符号
G
E
飞兆半导体公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
2001仙童半导体公司
HGTG20N120CND版本B
HGTG20N120CND
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
HGTG20N120CND
1200
63
30
160
±
20
±
30
在100A 1200V
390
3.12
-55到150
260
8
15
单位
V
A
A
A
V
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 BV
CES
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= 110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
C110
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
开关安全工作区在T
J
= 150
o
C（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
功耗降额牛逼
C
＆ GT ; 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
短路耐受时间（注2） V
GE
= 15V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
SC
短路耐受时间（注2） V
GE
= 12V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
SC
s
s
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.脉冲宽度有限的最高结温。
2. V
CE （ PK ）
= 960V ，T
J
= 125
o
C，R
G
= 3
.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
CES
BV
ECS
I
CES
测试条件
I
C
= 250
A，V
GE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 150
o
C
民
1200
15
-
-
-
-
-
6.0
-
100
-
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
450
-
2.1
2.9
6.9
-
-
10.2
155
200
23
17
200
220
2.0
2.8
最大
-
-
250
-
6
2.4
3.5
-
±
250
-
-
200
250
28
22
240
270
2.5
3.3
单位
V
V
A
A
mA
V
V
V
nA
A
V
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
集电极到发射极击穿电压
发射极到集电极击穿电压
集电极到发射极漏电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= 20A,
V
GE
= 15V
I
C
= 150
A，V
CE
= V
GE
V
GE
=
±
20V
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
门到发射极阈值电压
门到发射极漏电流
开关SOA
门到发射极电压高原
导通状态的栅极电荷
V
GE （日）
I
GES
SSOA
V
GEP
Q
G（ ON）的
T
J
= 150
o
C，R
G
= 3
,
V
GE
= 15V,
L = 200
H，V
CE （ PK ）
= 1200V
I
C
= 20A ，V
CE
= 600V
I
C
= 20A,
V
CE
= 600V
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量
关断能量（注3 ）
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON
E
关闭
IGBT和二极管在T
J
= 25
o
C
I
CE
= 20A
V
CE
= 960V
V
GE
= 15V
R
G
= 3
L = 1MH
测试电路（图20）
2001仙童半导体公司
HGTG20N120CND版本B
HGTG20N120CND
电气连接特定的阳离子
参数
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量
关断能量（注3 ）
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON
E
关闭
V
EC
t
rr
I
EC
= 20A
I
EC
= 20A ，二
EC
/ DT = 200A /
s
I
EC
= 2A ，二
EC
/ DT = 200A / μs的
热阻结到外壳
R
θJC
IGBT
二极管
注意：
3.开启，关闭能源损耗（E
关闭
）是德音响定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿和结束的积分
的点处的集电极电流等于零（我
CE
= 0A ） 。所有设备都根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试测量
功率器件的关断开关损耗。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。
测试条件
IGBT和二极管在T
J
= 150
o
C
I
CE
= 20A
V
CE
= 960V
V
GE
= 15V
R
G
= 3
L = 1MH
测试电路（图20）
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
21
17
225
340
3.8
4.6
2.6
62
44
-
-
最大
26
22
270
400
5.0
5.3
3.2
75
55
0.32
0.75
单位
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
V
ns
ns
o
C / W
o
C / W
典型性能曲线
70
I
CE
， DC集电极电流（ A）
除非另有规定编
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
V
GE
= 15V
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
120
100
80
60
40
20
0
T
J
= 150
o
C，R
G
= 3, V
GE
= 15V ，L = 200μH
0
200
400
600
800
1000
1200
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
1400
图1. DC集电极电流与案例
温度
图2.最小开关安全工作区
2001仙童半导体公司
HGTG20N120CND版本B
HGTG20N120CND
数据表
2000年1月
网络文件编号
4535.2
63A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT
与反并联二极管超高速
该HGTG20N120CND是
非穿通
（ NPT ）
IGBT的设计。这是MOS门控高的新成员
电压开关IGBT系列。 IGBT的结合最好
MOSFET和双极型晶体管的特性。该装置
具有MOSFET的高输入阻抗和低的导通
态传导损耗双极晶体管。
该IGBT适用于多种高压开关
在中等频率工作的应用中，低
导通损耗是必不可少的，如：交，直流电动机
控制，电源和驱动电磁阀，继电器
和接触。
以前发育类型TA49305 。
特点
63A ， 1200V ，T
C
= 25
o
C
1200V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 340ns在T
J
= 150
o
C
短路额定值
低传导损耗
包装
JEDEC风格-247
E
C
G
订购信息
产品型号
HGTG20N120CND
包
TO-247
BRAND
20N120CND
注：订货时，使用整个零件编号。
符号
G
E
Intersil公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司2000
HGTG20N120CND
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
HGTG20N120CND
集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 BV
CES
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= 110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C110
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
开关安全工作区在T
J
= 150
o
C（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
＆ GT ; 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
短路耐受时间（注2） V
GE
= 15V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
SC
短路耐受时间（注2） V
GE
= 12V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
SC
1200
63
30
160
±20
±30
在100A 1200V
390
3.12
-55到150
260
8
15
单位
V
A
A
A
V
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
s
s
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.脉冲宽度有限的最高结温。
2. V
CE （ PK ）
= 960V ，T
J
= 125
o
C，R
G
= 3.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
CES
BV
ECS
I
CES
测试条件
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
GE
= 0V
V
CE
= BV
CES
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 150
o
C
民
1200
15
-
-
-
-
-
6.0
-
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
450
-
2.1
2.9
6.9
-
-
10.2
155
200
23
17
200
220
2.0
2.8
最大
-
-
250
-
6
2.4
3.5
-
±250
-
-
200
250
28
22
240
270
2.5
3.3
单位
V
V
A
A
mA
V
V
V
nA
A
V
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
集电极到发射极击穿电压
发射极到集电极击穿电压
集电极到发射极漏电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= 20A,
V
GE
= 15V
I
C
= 150μA ，V
CE
= V
GE
V
GE
=
±20V
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
门到发射极阈值电压
门到发射极漏电流
开关SOA
门到发射极电压高原
导通状态的栅极电荷
V
GE （日）
I
GES
SSOA
V
GEP
Q
G（ ON）的
T
J
= 150
o
C，R
G
= 3, V
GE
= 15V,
L = 200μH ，V
CE （ PK ）
= 1200V
I
C
= 20A ，V
CE
= 0.5 BV
CES
I
C
= 20A,
V
CE
= 0.5 BV
CES
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量
关断能量（注3 ）
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON
E
关闭
IGBT和二极管在T
J
= 25
o
C
I
CE
= 20A
V
CE
= 0.8 BV
CES
V
GE
= 15V
R
G
= 3
L = 1MH
测试电路（图20）
2
HGTG20N120CND
电气连接特定的阳离子
参数
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量
关断能量（注3 ）
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON
E
关闭
V
EC
t
rr
I
EC
= 20A
I
EC
= 20A ，二
EC
/ DT = 200A / μs的
I
EC
= 2A ，二
EC
/ DT = 200A / μs的
热阻结到外壳
R
θJC
IGBT
二极管
注意：
3.开启，关闭能源损耗（E
关闭
）是德音响定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿和结束的积分
的点处的集电极电流等于零（我
CE
= 0A ） 。所有设备都根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试测量
功率器件的关断开关损耗。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。
测试条件
IGBT和二极管在T
J
= 150
o
C
I
CE
= 20A
V
CE
= 0.8 BV
CES
V
GE
= 15V
R
G
= 3
L = 1MH
测试电路（图20）
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
21
17
225
340
3.8
4.6
2.6
62
44
-
-
最大
26
22
270
400
5.0
5.3
3.2
75
55
0.32
0.75
单位
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
V
ns
ns
o
C / W
o
C / W
典型性能曲线
70
I
CE
， DC集电极电流（ A）
除非另有规定编
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
V
GE
= 15V
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
120
100
80
60
40
20
0
T
J
= 150
o
C，R
G
= 3, V
GE
= 15V ，L = 200μH
0
200
400
600
800
1000
1200
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
1400
图1. DC集电极电流与案例
温度
图2.最小开关安全工作区
3
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