HGTD10N40F1 ， HGTD10N40F1S ，
HGTD10N50F1 ， HGTD10N50F1S
1997年3月
10A ， 400V和500V N沟道IGBT的
套餐
HGTD10N40F1 ， HGTD10N50F1
JEDEC TO- 251AA
辐射源
集热器
门
集热器
（法兰）
特点
10A ， 400V和500V
V
CE （ON）的
2.5V最大。
T
秋天
≤1.4s
低通态电压
快速开关速度
高输入阻抗
应用
电源
电机驱动器
保护电路
集热器
（法兰）
门
辐射源
HGTD10N40F1S ， HGTD10N50F1S
JEDEC TO- 252AA
描述
该HGTD10N40F1 ， HGTD10N40F1S ， HGTD10N50F1和
HGTD10N50F1S是n沟道增强模式insu-
设计用于高电压迟来栅双极晶体管（IGBT）
年龄，低导通损耗的应用，如开关
监管机构和电机驱动器。这些类型的可被操作
直接从低功耗集成电路。
包装供货情况
产品型号
HGTD10N40F1
HGTD10N50F1
HGTD10N40F1S
HGTD10N50F1S
包
TO-251AA
TO-251AA
TO-252AA
TO-252AA
BRAND
G10N40
G10N50
G10N40
G10N50
端子图
N沟道增强模式
C
G
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A至
获得TO- 252AA变种在磁带和卷轴，即HGTD10N40F19A 。
E
绝对最大额定值
T
C
= +25
o
C，除非另有规定编
HGTD10N40F1
HGTD10N40F1S
400
400
±20
12
10
75
0.6
-55到+150
HGTD10N50F1
HGTD10N50F1S
500
500
±20
12
10
75
0.6
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
W/
o
C
o
C
集电极 - 发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CES
集电极 - 栅极电压
GE
= 1MΩ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CGR
栅极 - 发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GE
连续集电极电流在T
C
= +25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= +90
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C90
功耗总在T
C
= +25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
> +25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
Intersil公司IGBT产品受以下一项或美国专利更多：
4,364,073
4,587,713
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,417,385
4,598,461
4,644,637
4,801,986
4,883,767
4,430,792
4,605,948
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,443,931
4,618,872
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,466,176
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,516,143
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,532,534
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,567,641
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
2425.4
3-1
特定网络阳离子HGTD10N40F1 ， HGTD10N40F1S ， HGTD10N50F1 ， HGTD10N50F1S
电气连接特定的阳离子
,
T
C
= +25
o
C，除非另有规定编
范围
HGTD10N40F1
HGTD10N40F1S
HGTD10N50F1
HGTD10N50F1S
民
500
2.0
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
4.5
-
250
100
2.5
2.2
2.5
2.2
单位
V
V
A
A
nA
V
V
V
V
V
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
栅极阈值电压
零门极电压集电极
当前
栅极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极导通电压
符号
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
测试条件
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0V
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1毫安
T
J
= +150
o
C，V
CE
= 400V
T
J
= +150
o
C，V
CE
= 500V
V
GE
=
±20V,
V
CE
= 0V
T
J
= +150
o
C，我
C
= 5A ，V
GE
= 10V
T
J
= +150
o
C，我
C
= 5A ，V
GE
= 15V
T
J
= +25
o
C，我
C
= 5A ，V
GE
= 10V
T
J
= +25
o
C，我
C
= 5A ，V
GE
= 15V
民
400
2.0
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
4.5
250
-
100
2.5
2.2
2.5
2.2
I
GES
V
CE （ON）的
栅极 - 射极电压高原
导通状态的栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断每个周期的能量损失
（关开关损耗= W
关闭
x
频）
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断每个周期的能量损失
（关开关损耗= W
关闭
x
频）
热电阻结点到
案例（ IGBT ）
V
GEP
Q
G（ ON）的
t
D（上）
t
RI
t
D（关闭）
t
FI
W
关闭
I
C
= 5A ，V
CE
= 10V
I
C
= 5A ，V
CE
= 10V
阻性负载，我
C
= 5A,
V
CE
= 400V ，R
L
= 80,
T
J
= +150
o
C，V
GE
= 10V,
R
G
= 25
5.3 （典型值）
13.4 （典型值）
45 （典型值）
35 （典型值）
130 （典型值）
1400 （典型值）
0.64 （典型值）
t
D（关闭）
t
FI
W
关闭
感性负载（见图11 ） ，
I
C
= 5A ，V
CE （ CLP）
= 400V,
R
L
= 80Ω ， L = 50μH ，T
J
= +150
o
C,
V
GE
= 10V ，R
G
= 25
-
-
-
375
1200
1.2
-
-
-
375
1200
1.2
ns
ns
mJ
R
θJC
-
1.67
-
1.67
o
C / W
典型性能曲线
12
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
脉冲测试，V
CE
= 10V
脉冲宽度= 250μs的
占空比< 2 ％
10
V
GE
= 15V
V
GE
= 10V
V
GE
= 6.0V
脉冲宽度= 250μs的
占空比< 0.5 ％
T
C
= +25
o
C
V
GE
= 5.5V
V
GE
= 5.0V
4
V
GE
= 4.5V
V
GE
= 4.0V
0
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
10
8
8
T
C
= -55
o
C
T
C
=
T
C
=
+25
o
C
6
6
+150
o
C
4
2
2
0
图1.典型的传输特性
图2.典型的饱和特性
3-2
HGTD10N40F1 ， HGTD10N40F1S ， HGTD10N50F1 ， HGTD10N50F1S
典型性能曲线
（续）
4
V
CE （ON）的
，饱和电压（V）的
I
CE
， DC集电极电流（ A）
T
J
= +150
o
C
3
V
GE
= 10V
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1
10
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
100
+25
+50
+75
+100
+125
(
o
C)
+150
T
C
，外壳温度
V
GE
= 10V
V
GE
= 15V
2
V
GE
= 15V
1
0
图3.饱和电压与集电极 - 发射极
电流（典型值）
1000
F = 1MHz的
800
C，电容（pF ）
图4.直流集电极电流与案例
温度
0.5
T
J
+150
o
C，V
CE
= 400V
L = 50μH
t
D（ OFF ）I
，关断延时（微秒）
0.4
600
西塞
400
0.3
0.2
V
GE
= 15V ，R
G
= 50
V
GE
= 10V ，R
G
= 50
V
GE
= 15V ，R
G
= 25
V
GE
= 10V ，R
G
= 25
200
科斯
0
0
CRSS
5
10
15
20
25
0.1
0.0
1
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
10
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
图5.电容VS集电极到发射极
电压（典型值）
2
T
J
= +150
o
C，V
GE
= 10V
R
G
= 25Ω ，L = 50μH
t
FI
，下降时间（微秒）
图6.关断延迟VS集电极到发射极
电流（典型值）
10
W
关闭
，关断开关损耗（兆焦耳）
T
J
= +150
o
C，V
GE
= 10V
R
G
= 25Ω ，L = 50μH
V
CE
= 400V
1
V
CE
= 400V
1.0
V
CE
= 200V
0
1
10
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
100
0.1
1
10
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
100
图7.秋季时间与集电极 - 发射极电流
（典型值）
图8.关断开关损耗VS集电极
发射极电流（典型值）
3-3
HGTD10N40F1 ， HGTD10N40F1S ， HGTD10N50F1 ， HGTD10N50F1S
典型性能曲线
（续）
f
OP
，最高工作频率（千赫）
1000
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
T
J
= +150
o
C，T
C
= +100
o
C，V
GE
= 10V
R
G
= 25Ω ， PT = 75W ， L = 50μH
V
CE
= 200V
100
V
CE
= 400V
f
MAX1
= 0.05/t
D（ OFF ）I
f
MAX2
= (P
D
- P
C
)/W
关闭
500
网关
辐射源
电压
V
CC
= BV
CES
R
L
= 100
I
G（ REF ）
= 0.33毫安
V
GE
= 10V
V
CC
= BV
CES
10
V
GE
，门极 - 发射极电压（ V）
375
250
5
10
0.75 BV
CES
125
0.50 BV
CES
0.25 BV
CES
0
I
G（ REF ）
20
I
G（ ACT ）
0.75 BV
CES
0.50 BV
CES
0.25 BV
CES
0
I
G（ REF ）
1
1
10
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
100
集电极 - 发射极电压
注意：
P
D
=允许功耗
时间（μs ）
80
P
C
=传导耗散
I
G（ ACT ）
图9.最高工作频率VS集热器
电流和电压（典型值）
图10.归一化的开关波形AT
恒定的栅极电流
测试电路
R
L
L = 50μH
1/R
G
= 1/R
根
+ 1/R
GE
R
根
= 50
V
CC
400V
+
-
20V
0V
R
GE
= 50
图11.电感式开关测试电路
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的产品仅出售描述。 Intersil公司保留更改电路设计和/或特定网络连接的阳离子在任何时候没有合适的
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美居中心
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3-4
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