【HGTG5N120CND ， HGTP5N120CND ，HGT1S5N120CNDS数据表2000】,IC型号HGT1S5N120CNDS9A,HGT1S5N120CNDS9A PDF资料,HGT1S5N120CNDS9A经销商,ic,电子元器件-51电子网

HGTG5N120CND ， HGTP5N120CND ，

HGT1S5N120CNDS

数据表

2000年1月

网络文件编号

4598.2

25A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT

与反并联二极管超高速

该HGTG5N120CND ， HGTP5N120CND和

HGT1S5N120CNDS是

非穿通

（ NPT ） IGBT

设计。他们在MOS的新成员门高

电压开关IGBT系列。 IGBT的结合最好

MOSFET和双极型晶体管的特性。该装置

有一个MOSFET和低的高输入阻抗

导通状态的导通损耗的双极型晶体管构成。在IGBT

采用的是发育类型TA49309 。中所用的二极管

反并联的发育类型TA49058 。

该IGBT适用于多种高压开关

在中等频率工作的应用中，低

导通损耗是必不可少的，如AC和DC电机

控制，电源和驱动电磁阀，继电器

和接触。

以前发育类型TA49307 。

特点

25A ， 1200V ，T

C

= 25

o

C

1200V开关SOA能力

典型的下降时间。。。。。。。。。。。。。。。。 350ns在T

J

= 150

o

C

短路额定值

低传导损耗

温度补偿

SABER 模型

热阻抗

SPICE模型

www.intersil.com

相关文献

- TB334 “指南焊锡表面贴装

组件到PC板“

包装

JEDEC TO- 220AB替代版本

E

C

订购信息

产品型号

HGTG5N120CND

HGTP5N120CND

HGT1S5N120CNDS

包

TO-247

TO-220AB

TO-263AB

BRAND

5N120CND

G

集热器

（法兰）

JEDEC TO- 263AB

注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A

获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，也就是说，

HGT1S5N120CNDS9A.

G

集热器

（法兰）

E

符号

C

JEDEC风格-247

E

C

G

E

集热器

（法兰）

Intersil公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权

4,364,073

4,598,461

4,682,195

4,803,533

4,888,627

4,417,385

4,605,948

4,684,413

4,809,045

4,890,143

4,430,792

4,620,211

4,694,313

4,809,047

4,901,127

4,443,931

4,631,564

4,717,679

4,810,665

4,904,609

4,466,176

4,639,754

4,743,952

4,823,176

4,933,740

4,516,143

4,639,762

4,783,690

4,837,606

4,963,951

4,532,534

4,641,162

4,794,432

4,860,080

4,969,027

4,587,713

4,644,637

4,801,986

4,883,767

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。

1-888- INTERSIL或321-724-7143

|

版权

Intersil公司2000

SABER 是类比公司的商标。

1

HGTG5N120CND ， HGTP5N120CND ， HGT1S5N120CNDS

绝对最大额定值

T

C

= 25

o

C，除非另有规定编

HGTG5N120CND

HGTP5N120CND

HGT1S5N120CNDS

集电极到发射极电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .BV

CES

连续集电极电流

在T

C

= 25

o

温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。我

C25

在T

C

= 110

o

温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。我

C110

集电极电流脉冲（注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。我

CM

门到发射极电压连续。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

GES

门到发射极电压脉冲。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

创业板

开关安全工作区在T

J

= 150

o

C，如图2所示。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 SSOA

功耗总在T

C

= 25

o

温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 P

D

功耗降额牛逼

C

＆ GT ; 25

o

C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

工作和存储结温范围。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。牛逼

J

, T

英镑

最大无铅焊接温度的

信息的案件从10秒0.063in （ 1.6毫米）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。牛逼

L

包体为10S ，看技术简报334 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .T

PKG

短路耐受时间（注2） V

GE

= 15V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .T

SC

短路耐受时间（注2） V

GE

= 12V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .T

SC

25

12

40

±20

±30

在30A 1200V

167

1.33

-55到150

300

260

8

15

A

V

W

W/

o

C

o

C

o

C

o

C

单位

V

1200

s

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

注意事项：

1.脉冲宽度有限的最高结温。

2. V

CE （ PK ）

= 840V ，T

J

= 125

o

C，R

G

= 25

.

电气连接特定的阳离子

参数

T

C

= 25

o

C，除非另有规定编

符号

BV

CES

I

CES

测试条件

I

C

= 250μA ，V

GE

= 0V

V

CE

= BV

CES

T

C

= 25

o

C

T

C

= 125

o

C

T

C

= 150

o

C

民

1200

-

6.0

-

25

-

典型值

-

100

-

2.1

2.9

7.0

-

10.6

45

60

22

12

180

280

400

640

最大

-

250

-

2

2.4

3.5

-

±250

-

55

75

30

16

250

350

500

700

单位

V

A

mA

V

nA

A

V

nC

ns

J

集电极到发射极击穿电压

集电极到发射极漏电流

集电极到发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

I

C

= 5.5A,

V

GE

= 15V

T

C

= 25

o

C

T

C

= 150

o

C

门到发射极阈值电压

门到发射极漏电流

开关SOA

门到发射极电压高原

导通状态的栅极电荷

V

GE （日）

I

GES

SSOA

V

GEP

Q

G（ ON）的

I

C

= 45μA ，V

CE

= V

GE

V

GE

=

±20V

T

J

= 150

o

C，R

G

= 25, V

GE

= 15V,

L = 200μH ，V

CE （ PK ）

= 1200V

I

C

= 5.5A ，V

CE

= 0.5 BV

CES

I

C

= 5.5A,

V

CE

= 0.5 BV

CES

V

GE

= 15V

V

GE

= 20V

电流导通延迟时间

电流上升时间

电流关断延迟时间

电流下降时间

开启能量

关断能量（注3 ）

t

D（ ON ）I

t

rI

t

D（ OFF ）I

t

fI

E

ON

E

关闭

IGBT和二极管在T

J

= 25

o

C

I

CE

= 5.5A

V

CE

= 0.8 BV

CES

V

GE

= 15V

R

G

= 25

L = 5mH

测试电路（图20）

2

HGTG5N120CND ， HGTP5N120CND ， HGT1S5N120CNDS

电气连接特定的阳离子

参数

电流导通延迟时间

电流上升时间

电流关断延迟时间

电流下降时间

开启能量

关断能量（注3 ）

二极管的正向电压

二极管的反向恢复时间

T

C

= 25

o

C，除非另有规定编

（续）

符号

t

D（ ON ）I

t

rI

t

D（ OFF ）I

t

fI

E

ON

E

关闭

V

EC

t

rr

I

EC

= 5.5A

I

EC

= 5.5A ，二

EC

/ DT = 200A / μs的

I

EC

= 1A ，二

EC

/ DT = 200A / μs的

热阻结到外壳

R

θJC

IGBT

二极管

注意：

3.开启，关闭能源损耗（E

关闭

）是德音响定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿和结束的积分

的点处的集电极电流等于零（我

CE

= 0A ）。所有设备都根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试测量

功率器件的关断开关损耗。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。

测试条件

IGBT和二极管在T

J

= 150

o

C

I

CE

= 5.5A

V

CE

= 0.8 BV

CES

V

GE

= 15V

R

G

= 25

L = 5mH

测试电路（图20）

民

-

典型值

20

12

225

350

1

2.4

48

30

-

最大

25

16

300

400

1.2

1.1

3.3

60

40

0.75

1.9

单位

ns

mJ

V

ns

o

C / W

o

C / W

典型性能曲线

25

I

CE

， DC集电极电流（ A）

除非另有规定编

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

35

30

25

20

15

10

5

0

V

GE

= 15V

T

J

= 150

o

C，R

G

= 25, V

GE

= 15V ，L = 200μH

20

15

10

5

0

25

50

75

100

125

o

C)

T

C

，外壳温度（

150

0

200

400

600

800

1000

1200

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

1400

图1. DC集电极电流与案例

温度

图2.最小开关安全工作区

3

HGTG5N120CND ， HGTP5N120CND ， HGT1S5N120CNDS

典型性能曲线

200

f

最大

，工作频率（千赫）

除非另有规定编

（续）

t

SC

，短路耐受时间（μs ）

T

J

= 150

o

C，R

G

= 25Ω ， L = 5mH ，V

CE

= 960V

T

C

75

o

C

75

o

C

110

o

C

110

o

C

V

GE

15V

12V

15V

12V

V

CE

= 840V ，R

G

= 25, T

J

= 125

o

C

100

30

60

I

SC

50

25

50

T

C

= 75

o

C，V

GE

= 5V

理想二极管

f

MAX1

= 0.05 / (t

D（ OFF ）I

+ t

D（ ON ）I

)

20

40

20

10

f

MAX2

= (P

D

- P

C

) / (E

ON

+ E

关闭

)

P

C

=传导耗散

（占空比= 50％）

R

θJC

= 0.75

o

C / W ，见注解

1

15

t

SC

10

30

2

3

5

10

20

11

12

13

14

15

V

GE

，门到发射极电压（ V）

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图3.工作频率与集电极

发射极电流

图4.短路耐受时间

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

35

30

25

T

C

= -55

o

C

20

15

T

C

= 25

o

C

10

5

0

占空比< 0.5 ％，V

GE

= 12V

250μs的脉冲测试

0

1

6

8

2

3

4

5

7

9

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

10

T

C

= 150

o

C

80

70

60

50

40

30

20

10

0

占空比< 0.5 ％，V

GE

= 15V

250μs的脉冲测试

T

C

= -55

o

C

T

C

= 150

o

C

T

C

= 25

o

C

2

4

6

8

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

图5.集电极到发射极导通电压

图6.集电极到发射极导通电压

3000

E

ON

，开启能量损失（兆焦耳）

2500

E

关闭

，关断能量损失（ μJ ）

R

G

= 25Ω ， L = 5mH ，V

CE

= 960V

T

J

= 150

o

C，V

GE

= 15V, V

GE

= 12V

1750

R

G

= 25Ω ， L = 5mH ，V

CE

= 960V

1500

T

J

= 150

o

C，V

GE

= 12V或15V

1250

1000

750

500

250

0

2000

1500

1000

500

T

J

= 25

o

C，V

GE

= 15V, V

GE

= 12V

0

2

3

4

5

6

7

8

9

10

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

T

J

= 25

o

C，V

GE

= 12V或15V

1

2

3

4

5

6

7

8

9

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图7.开启能量损失VS收藏家

发射极电流

图8. TURN -OFF能量损失VS收藏家

发射极电流

4

I

SC

峰值短路电流（ A）

10

35

70

HGTG5N120CND ， HGTP5N120CND ， HGT1S5N120CNDS

典型性能曲线

40

R

G

= 25Ω ， L = 5mH ，V

CE

= 960V

t

dI

，导通延迟时间（纳秒）

35

t

rI

，上升时间（ NS ）

30

T

J

= 25

o

C，T

J

= 150

o

C，V

GE

= 12V

25

20

15

10

0

除非另有规定编

（续）

40

R

G

= 25Ω ， L = 5mH ，V

CE

= 960V

30

T

J

= 25

o

C，T

J

= 150

o

C，V

GE

= 12V

25

20

T

J

= 25

o

C，T

J

= 150

o

C，V

GE

= 15V

15

2

3

4

5

6

7

8

9

T

J

= 25

o

C，T

J

= 150

o

C，V

GE

= 15V

2

3

4

5

6

7

8

9

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

10

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图9.导通延迟时间与收藏家

发射极电流

图10.导通上升时间与收藏家

发射极电流

600

t

D（ OFF ）I

，关断延迟时间（纳秒）

500

400

300

200

100

0

R

G

= 25Ω ， L = 5mH ，V

CE

= 960V

900

800

t

fI

，下降时间（ NS ）

700

600

500

400

300

R

G

= 25Ω ， L = 5mH ，V

CE

= 960V

T

J

= 150

o

C，V

GE

= 12V, V

GE

= 15V

T

J

= 150

o

C，V

GE

= 12V和15V

T

J

= 25

o

C，V

GE

= 12V和15V

T

J

= 25

o

C，V

GE

= 12V, V

GE

= 15V

1

2

3

4

5

6

7

8

9

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

10

200

100

1

2

3

5

4

6

7

8

9

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

10

图11.关断延迟时间与收藏家

发射极电流

图12. FALL时间与集电极到发射极

当前

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

6

占空比< 0.5 ％，V

CE

= 20V

250μs的脉冲测试

T

C

= 25

o

C

V

GE

，门到发射极电压（ V）

100

16

14

V

CE

= 1200V

12

10

8

6

4

2

0

7

13

14

8

9

11

12

10

V

GE

，门到发射极电压（ V）

15

16

0

10

20

I

G（ REF ）

= 1毫安，R

L

= 120, T

C

= 25

o

C

30

40

50

60

V

CE

= 400V

V

CE

= 800V

T

C

= -55

o

C

T

C

= 150

o

C

Q

G

，栅极电荷（ NC）

图13.传输特性

图14.门充电波形

5