HGTD2N120CNS ， HGTP2N120CN ，
HGT1S2N120CNS
数据表
2000年1月
网络文件编号
4680.2
13A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT
该HGTD2N120CNS ， HGTP2N120CN和
HGT1S2N120CNS是
非穿通
（ NPT ） IGBT
设计。他们在MOS的新成员门高
电压开关IGBT系列。 IGBT的结合最好
MOSFET和双极型晶体管的特性。该装置
有一个MOSFET和低的高输入阻抗
导通状态的导通损耗的双极型晶体管构成。
该IGBT适用于多种高压开关
在中等频率工作的应用中，低
导通损耗是必不可少的，如：交，直流电动机
控制，电源和驱动电磁阀，继电器
和接触。
以前发育类型TA49313 。
特点
13A ， 1200V ，T
C
= 25
o
C
1200V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 360ns在T
J
= 150
o
C
短路额定值
低传导损耗
额定雪崩
温度补偿
SABER 模型
热阻抗
SPICE模型
www.intersil.com
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
HGTP2N120CN
HGTD2N120CNS
HGT1S2N120CNS
包
TO-220AB
TO-252AA
TO-263AB
BRAND
2N120CN
2N120C
2N120CN
包装
JEDEC TO- 220AB
E
集热器
（法兰）
C
G
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A
获得TO- 263AB和TO- 252AA变种在磁带和卷轴，
例如， HGT1S2N120CNS9A 。
符号
C
JEDEC TO- 252AA
集热器
（法兰）
G
G
E
E
JEDEC TO- 263AB
集热器
（法兰）
G
E
Intersil公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司2000
SABER 是类比公司的商标。
HGTD2N120CNS ， HGTP2N120CN ， HGT1S2N120CNS
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
HGTD2N120CNS
HGTP2N120CN,
HGT1S2N120CNS
集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .BV
CES
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= 110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C110
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
开关安全工作区在T
J
= 150
o
C（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
＆ GT ; 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
正向电压雪崩能量（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AV
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的
信息的案件从10秒0.063in （ 1.6毫米） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，看技术简报334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
短路耐受时间（注3） V
GE
= 15V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
SC
1200
13
7
20
±20
±30
在13A 1200V
104
0.83
18
-55到150
300
260
8
单位
V
A
A
A
V
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
o
C
s
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.脉冲宽度有限的最高结温。
2. I
CE
= 3A ，L = 4mH 。
3. V
CE （ PK ）
= 840V ，T
J
= 125
o
C，R
G
= 51.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
CES
BV
ECS
I
CES
测试条件
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
GE
= 0V
V
CE
= BV
CES
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 150
o
C
民
1200
15
-
-
-
-
-
6.4
-
13
-
-
-
典型值
-
-
-
100
-
2.05
2.75
6.7
-
-
10.2
30
36
最大
-
-
100
-
1.0
2.40
3.50
-
±250
-
-
36
43
单位
V
V
A
A
mA
V
V
V
nA
A
V
nC
nC
集电极到发射极击穿电压
发射极到集电极击穿电压
集电极到发射极漏电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= 2.6A,
V
GE
= 15V
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
门到发射极阈值电压
门到发射极漏电流
开关SOA
门到发射极电压高原
导通状态的栅极电荷
V
GE （日）
I
GES
SSOA
V
GEP
Q
G（ ON）的
I
C
= 45μA ，V
CE
= V
GE
V
GE
=
±20V
T
J
= 150
o
C，R
G
= 51, V
GE
= 15V,
L = 5mH ，V
CE （ PK ）
= 1200V
I
C
= 2.6A ，V
CE
= 0.5 BV
CES
I
C
= 2.6A,
V
CE
= 0.5 BV
CES
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
2
HGTD2N120CNS ， HGTP2N120CN ， HGT1S2N120CNS
电气连接特定的阳离子
参数
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注4 ）
开启能量（注4 ）
关断能量（注5 ）
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注4 ）
开启能量（注4 ）
关断能量（注5 ）
热阻结到外壳
注意事项：
4.值两导通损耗条件显示为电路设计人员提供方便。 ê
ON1
只是IGBT的导通损耗。 ê
ON2
是当一个典型的二极管被用在测试电路中的导通损耗和二极管是在同一
J
作为IGBT 。二极管类型在指定
图18 。
5.开启，关闭能源损耗（E
关闭
）是德音响定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿和结束的积分
的点处的集电极电流等于零（我
CE
= 0A ） 。所有设备都根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试测量
功率器件的关断开关损耗。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
R
θJC
IGBT和二极管在T
J
= 150
o
C,
I
CE
= 2.6A,
V
CE
= 0.8 BV
CES
,
V
GE
= 15V,
R
G
= 51,
L = 5mH ，
测试电路（图18 ）
测试条件
IGBT和二极管在T
J
= 25
o
C
I
CE
= 2.6A
V
CE
= 0.8 BV
CES
V
GE
= 15V
R
G
= 51
L = 5mH
测试电路（图18 ）
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
25
11
205
260
96
425
355
21
11
225
360
96
800
530
-
最大
30
15
220
320
-
590
390
25
15
240
420
-
1100
580
1.20
单位
ns
ns
ns
ns
J
J
J
ns
ns
ns
ns
J
J
J
o
C / W
典型性能曲线
14
I
CE
， DC集电极电流（ A）
除非另有规定编
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
V
GE
= 15V
12
10
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
T
J
= 150
o
C，R
G
= 51, V
GE
= 15V ，L = 5mH
200
400
600
800
1000
1200
1400
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图1. DC集电极电流与案例
温度
图2.最小开关安全工作区
3
HGTD2N120CNS ， HGTP2N120CN ， HGT1S2N120CNS
典型性能曲线
200
f
最大
，工作频率（千赫）
除非另有规定编
（续）
t
SC
，短路耐受时间（μs ）
I
SC
峰值短路电流（ A）
5
5.0
50
V
CE
= 840V ，R
G
= 51, T
J
= 125
o
C
40
40
50
T
J
= 150
o
C，R
G
= 51, V
GE
= 15V ，L = 5mH
T
C
= 75
o
C，V
GE
= 15V
理想二极管
V
GE
o
15V
75
75
o
12V
T
C
100
50
30
30
20
I
SC
10
t
SC
20
10
f
MAX1
= 0.05 / (t
D（ OFF ）I
+ t
D（ ON ）I
)
f
MAX2
= (P
D
- P
C
) / (E
ON2
+ E
关闭
)
P
C
=传导耗散
（占空比= 50％）
R
θJC
= 1.2
o
C / W ，见注解
1
T
C
V
GE
110
o
15V
110
o
12V
5
10
0
10
11
12
13
14
15
V
GE
，门到发射极电压（ V）
0
2
3
4
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图3.工作频率与集电极
发射极电流
图4.短路耐受时间
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
10
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
10
占空比<0.5 ％ ，V
GE
= 15V
250μs的脉冲测试
8
T
C
= -55
o
C
T
C
= 25
o
C
8
T
C
= 25
o
C
6
T
C
= -55
o
C
4
T
C
= 150
o
C
2
占空比<0.5 ％ ，V
GE
= 12V
250μs的脉冲测试
0
0
1
2
3
4
5
6
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
6
T
C
= 150
o
C
4
2
0
0
1
2
3
4
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图5.集电极到发射极导通电压
图6.集电极到发射极导通电压
2000
E
ON2
，开启能量损失（ μJ ）
R
G
= 51Ω ， L = 5mH ，V
CE
= 960V
1500
E
关闭
，关断能量损失（ μJ ）
900
R
G
= 51Ω ， L = 5mH ，V
CE
= 960V
800
700
600
500
400
300
200
100
1.0
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V或15V
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 12V或15V
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 12V, V
GE
= 15V
1000
500
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V, V
GE
= 15V
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图7.开启能量损失VS收藏家
发射极电流
图8. TURN -OFF能量损失VS收藏家
发射极电流
4
HGTD2N120CNS ， HGTP2N120CN ， HGT1S2N120CNS
典型性能曲线
45
t
dI
，导通延迟时间（纳秒）
R
G
= 51Ω ， L = 5mH ，V
CE
= 960V
40
35
30
25
20
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V
15
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
t
rI
，上升时间（ NS ）
30
25
20
15
10
5
0
1.0
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 12V
除非另有规定编
（续）
40
R
G
= 51Ω ， L = 5mH ，V
CE
= 960V
35
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 12V
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9.导通延迟时间与收藏家
发射极电流
图10.导通上升时间与收藏家
发射极电流
400
t
D（ OFF ）I
，关断延迟时间（纳秒）
R
G
= 51Ω ， L = 5mH ，V
CE
= 960V
350
t
fI
，下降时间（ NS ）
V
GE
= 12V, V
GE
= 15V ，T
J
= 150
o
C
300
250
200
150
V
GE
= 12V, V
GE
= 15V ，T
J
= 25
o
C
100
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
700
R
G
= 51Ω ， L = 5mH ，V
CE
= 960V
600
500
400
300
200
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V或15V
100
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 12V或15V
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11.关断延迟时间与收藏家
发射极电流
图12. FALL时间与集电极到发射极
当前
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
35
30
25
20
15
10
5
0
7
占空比<0.5 ％ ，V
CE
= 20V
250μs的脉冲测试
V
GE
，门到发射极电压（ V）
40
16
14
I
G（ REF ）
= 1毫安，R
L
= 260, T
C
= 25
o
C
V
CE
= 1200V
12
10
8
6
4
2
0
V
CE
= 400V V
CE
= 800V
T
C
= -55
o
C
T
C
= 25
o
C
8
9
T
C
= 150
o
C
10
11
12
13
14
15
0
5
10
15
20
25
30
V
GE
，门到发射极电压（ V）
Q
G
，栅极电荷（ NC）
图13.传输特性
图14.门充电波形
5
HGTP2N120CN ， HGT1S2N120CN 13A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT
2005年3月
HGTP2N120CN ， HGT1S2N120CN
13A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT
特点
13A ， 1200V ，T
C
= 25°C
1200V开关SOA能力
典型下降时间360ns在T
J
= 150°C
短路额定值
低传导损耗
额定雪崩
温度补偿SABER 模型
热阻抗SPICE模型
www.fairchildsemi.com
相关文献
TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
描述
该HGTP2N120CN和HGT1S2N120CN都是非穿
通型（NPT ） IGBT的设计。他们的新成员
MOS门控高压开关IGBT系列。 IGBT的结合
MOSFET和双极型晶体管的最佳功能。这
装置具有一MOSFET和低的高输入阻抗
导通状态的导通损耗的双极型晶体管构成。
该IGBT ，非常适合许多高电压开关应用
在中等频率上低传导损耗操作
是必不可少的，如：交直流马达控制，电源支持
层和驱动电磁阀，继电器和接触器。
以前发育类型TA49313
订购信息
产品型号
HGTP2N120CN
HGT1S2N120CN
包
TO-220AB
TO-262
BRAND
2N120CN
2N120CN
注：订货时，使用整个零件编号。添加后缀9A获得TO-
263AB和TO- 252AA变种在磁带和卷轴，例如， HGT1S2N120CNS9A 。
集热器
（法兰）
E
C
C
G
E
C
G
G
TO-262
E
集热器
（法兰）
TO-220
飞兆半导体公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
HGTP2N120CN ， HGT1S2N120CN版本C
HGTP2N120CN ， HGT1S2N120CN 13A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT
绝对最大额定值
符号
BV
CES
I
C25
I
C110
I
CM
V
GES
V
创业板
SSOA
P
D
E
AV
t
J
, T
英镑
T
L
T
PKG
t
SC
T
C
= 25℃ ，除非另有说明
参数
集电极到发射极电压
连续集电极电流
在T
C
= 25°C
在T
C
= 110°C
集电极电流脉冲（注1 ）
门到发射极电压连续
门到发射极电压脉冲
SOA切换操作区在T
J
= 150℃ （图2）
功耗总在T
C
= 25°C
功耗降额牛逼
C
> 25℃
正向电压雪崩能量（注2 ）
工作和存储结温范围
最大无铅焊接温度的
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒
包体为10S ，看技术简报334
短路耐受时间（注3） V
GE
= 15V
HGTP2N120CN
HGT1S2N120CN
1200
13
7
20
±20
±30
在13A 1200V
104
0.83
18
-55到150
300
260
8
单位
V
A
A
A
V
V
W
W / ℃，
mJ
°C
°C
°C
s
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和装置的操作在
这些或任何超出本规范的业务部门所标明的其他条件是不是暗示。
注意事项：
1.脉冲宽度有限的最高结温。
2. I
CE
= 3A ，L = 4mH
3. V
CE （ PK ）
= 840V ，T
J
= 125 ° C，R
G
= 51.
电气特性
符号
BV
CES
BV
ECS
I
CES
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
集电极到发射极击穿电压
发射极到集电极击穿电压
集电极到发射极漏电流
测试条件
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 150°C
分钟。
1200
15
-
-
-
-
-
6.4
-
13
-
-
-
典型值。
-
-
-
100
-
2.05
2.75
6.7
-
-
10.2
30
36
MAX 。单位
-
-
100
-
1.0
2.40
3.50
-
±250
-
-
36
43
V
V
A
A
mA
V
V
V
nA
A
V
nC
nC
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
SSOA
V
GEP
Q
G（ ON）的
集电极到发射极饱和电压
门到发射极阈值电压
门到发射极漏电流
开关SOA
门到发射极电压高原
导通状态的栅极电荷
I
C
= 2.6A,
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
I
C
= 45μA ，V
CE
= V
GE
V
GE
=
±20V
T
J
= 150℃ ，R
G
= 51, V
GE
= 15V
L = 5mH ，V
CE （ PK ）
= 1200V
I
C
= 2.6A ，V
CE
= 600V
I
C
= 2.6A,
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
HGTP2N120CN ， HGT1S2N120CN版本C
2
www.fairchildsemi.com
HGTP2N120CN ， HGT1S2N120CN 13A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT
电气特性
符号
t
D（上）长
t
rl
t
D（ OFF ）长
t
fl
E
ON1
E
ON2
E
关闭
t
D（上）长
t
rl
t
D（ OFF ）长
t
fl
E
ON1
E
ON2
E
关闭
R
θJC
注意事项：
T
C
= 25 ° C除非另有说明
（续）
参数
目前Trun的通延迟时间
电流上升时间
CURENT关闭延迟时间
电流下降时间
开启能量（注4 ）
开启能量（注4 ）
关断能量（注5 ）
CURENT开启延迟时间
电流上升时间
CURENT关闭延迟时间
电流下降时间
开启能量（注4 ）
开启能量（注4 ）
关断能量（注5 ）
热阻结到外壳
测试条件
IGBT和二极管在T
J
= 25°C
I
CE
= 2.6A
V
CE
= 960V
V
GE
= 15V
R
G
= 51
L = 5mH
测试电路（图18 ）
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
25
11
205
260
96
425
355
21
11
225
360
96
800
530
-
MAX 。单位
30
15
220
320
-
590
390
25
15
240
420
-
1100
580
1.20
ns
ns
ns
ns
J
J
J
ns
ns
ns
ns
J
J
J
° C / W
IGBT和二极管在T
J
= 150°C
I
CE
= 2.6A
V
CE
= 960V
V
GE
= 15V
R
G
= 51
L = 5mH
测试电路（图18 ）
-
-
-
-
-
-
-
-
4.值两导通损耗条件显示为电路设计人员提供方便。 ê
ON1
只是IGBT的导通损耗。 ê
ON2
是导通损失时的典型
二极管被用在测试电路和二极管是在同一
J
作为IGBT 。二极管类型被指定在图18中。
5.开启，关闭能源损耗（E
关闭
）被定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿，并在点集结束的积分
电流等于零（我
CE
= 0A ） 。所有器件均根据JEDEC标准24-1号法的功率器件关断开关损耗测量试验。这种测试方法
产生真正的总导通关的能量损失。
HGTP2N120CN ， HGT1S2N120CN版本C
3
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HGTP2N120CN ， HGT1S2N120CN 13A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT
典型性能特性
图1.直流集电极电流与
外壳温度
14
I
CE
， DC集电极电流（ A）
V
GE
= 15V
12
10
8
6
4
2
0
图2.最小开关安全工作
区域
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
T
J
= 150
o
C，R
G
= 51, V
GE
= 15V ，L = 5mH
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图3.工作频率与集电极
发射Currentl
200
f
最大
，工作频率（千赫）
T
J
= 150
o
C，R
G
= 51, V
GE
= 15V ，L = 5mH
T
C
= 75
o
C，V
GE
= 15V
理想二极管
图4.短路耐受时间
t
SC
，短路耐受时间（μs ）
50
V
CE
= 840V ，R
G
= 51, T
J
= 125
o
C
40
40
50
T
C
75
o
C
o
V
GE
100
15V
75℃ 12V
50
30
30
20
I
SC
10
t
SC
20
10
f
MAX1
= 0.05 / (t
D（ OFF ）I
+ t
D（ ON ）I
)
f
MAX2
= (P
D
- P
C
) / (E
ON2
+ E
关闭
)
P
C
=传导耗散
（占空比= 50％）
R
θJC
= 1.2
o
C / W ，见注解
1
T
C
V
GE
110
o
15V
110
o
12V
5
10
2
3
4
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
0
10
11
12
13
14
15
0
V
GE
，门到发射极电压（ V）
图5.集电极到发射极导通电压
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
10
图6.集电极到发射极导通电压
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
10
占空比<0.5 ％ ，V
GE
= 15V
250μs的脉冲测试
8
T
C
= -55
o
C
T
C
= 25
o
C
8
T
C
= 25
o
C
6
T
C
= -55
o
C
4
T
C
= 150 C
2
占空比<0.5 ％ ，V
GE
= 12V
250μs的脉冲测试
0
0
1
2
3
4
5
6
o
6
T
C
= 150
o
C
4
2
0
0
1
2
3
4
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
HGTP2N120CN ， HGT1S2N120CN版本C
4
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I
SC
峰值短路电流（ A）
5
HGTP2N120CN ， HGT1S2N120CN 13A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT
典型性能特性
（续）
图7.开启能量损失VS收藏家
发射极电流
2000
E
ON2
，开启能量损失（ μJ ）
R
G
= 51Ω ， L = 5mH ，V
CE
= 960V
1500
图8. TURN -OFF能量损失VS收藏家
发射极电流
900
E
关闭
，关断能量损失（ μJ ）
800
700
600
500
400
300
200
100
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V或15V
R
G
= 51Ω ， L = 5mH ，V
CE
= 960V
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 12V, V
GE
= 15V
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 12V或15V
1000
500
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V, V
GE
= 15V
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9. Turn_On延迟时间与集电极
发射极电流
45
t
dI
，导通延迟时间（纳秒）
R
G
= 51Ω ， L = 5mH ，V
CE
= 960V
40
35
30
25
20
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V
15
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
图10.导通上升时间与收藏家
发射极电流
40
35
t
rI
，上升时间（ NS ）
30
25
20
15
10
5
0
1.0
1.5
2.0
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V
R
G
= 51Ω ， L = 5mH ，V
CE
= 960V
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 12V
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 12V
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11.关断延迟时间与收藏家
发射极电流
400
t
D（ OFF ）I
，关断延迟时间（纳秒）
R
G
= 51Ω ， L = 5mH ，V
CE
= 960V
350
图12. FALL时间与集电极到发射极
当前
700
R
G
= 51Ω ， L = 5mH ，V
CE
= 960V
600
t
fI
，下降时间（ NS ）
V
GE
= 12V, V
GE
= 15V ，T
J
= 150
o
C
300
250
200
150
V
GE
= 12V, V
GE
= 15V ，T
J
= 25 C
100
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
o
500
400
300
200
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 12V或15V
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V或15V
100
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
HGTP2N120CN ， HGT1S2N120CN版本C
5
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QQ：2880707522 复制
