HGTP20N35G3VL,
HGT1S20N35G3VL,
HGT1S20N35G3VLS
1995年4月
20A ， 350V N沟道，
逻辑电平，电压钳位的IGBT
套餐
JEDEC TO- 220AB
辐射源
集热器
门
集热器
（法兰）
特点
逻辑电平栅极驱动器
内部电压钳位
ESD防护门
T
J
= 175
o
C
点火能量有能力
描述
这N沟道IGBT是MOS门控，逻辑电平器件
其目的是用作在自动点火线圈驱动器
动机点火电路。独特的功能还包括一个活跃
集电极和其亲栅极之间的电压钳
志愿组织自钳位电感开关在（ SCIS ）的能力
点火电路。内部二极管提供ESD保护
逻辑电平门。这两个串联电阻和并联电阻
器是在所述栅极电路中提供。
包装供货情况
产品型号
HGTP20N35G3VL
HGT1S20N35G3VL
HGT1S20N35G3VLS
包
T0-220AB
T0-262AA
T0-263AB
BRAND
20N35GVL
20N35GVL
20N35GVL
集热器
（法兰）
JEDEC TO- 262AA
辐射源
集热器
门
JEDEC TO- 263AB
M
A
A
集热器
（法兰）
A
门
辐射源
端子图
N沟道增强模式
集热器
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，也就是说，
HGT1S20N35G3VLS9A.
此设备的开发型号为TA49076 。
R
1
门
R
2
辐射源
绝对最大额定值
T
C
= +25
o
C，除非另有规定编
HGTP20N35G3VL
HGT1S20N35G3VL
HGT1S20N35G3VLS
375
24
20
20
±10
26
18
775
150
1.0
-40到+175
260
6
集电极 - 发射极电压Bkdn在10mA ，R
GE
= 1kΩ的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 BV
CER
发射极 - 集电极Bkdn电压可达10mA 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 BV
ECS
连续集电极电流在V
GE
= 5.0V ，T
C
= +25
o
C，如图7所示。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在V
GE
= 5.0V ，T
C
= +100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
C100
栅极 - 发射极电压（注） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
电感式开关电流在L = 2.3mH ，T
C
= +25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
SCIS
在L = 2.3mH ，T
C
= +175
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
SCIS
集电极到发射极雪崩能量L = 2.3mH ，T
C
= +25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗总在T
C
= +25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
> +25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
L
静电电压为100pF的， 1500Ω 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ESD
注：可以，如果我超过
创业板
被限制至10mA 。
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
单位
V
V
A
A
V
A
A
mJ
W
W/
o
C
o
C
o
C
KV
网络文件编号
4006
3-66
特定网络阳离子HGTP20N35G3VL ， HGT1S20N35G3VL ， HGT1S20N35G3VLS
电气连接特定的阳离子
T
C
= +25
o
C，除非另有规定编
范围
参数
集电极 - 发射极击穿电压
符号
BV
CES
测试条件
I
C
= 10毫安，
V
GE
= 0V
T
C
= +175
o
C
T
C
= +25
o
C
T
C
= -40
o
C
集电极 - 发射极击穿电压
BV
CER
I
C
= 10毫安
V
GE
= 0V
R
GE
= 1k
T
C
= +175
o
C
T
C
= +25
o
C
T
C
= -40
o
C
栅极 - 射极电压高原
V
GEP
I
C
= 10A
V
CE
= 12V
I
C
= 10A
V
GE
= 5V
V
CE
= 12V
I
C
= 10A
R
G
= 0
I
C
= 10毫安
V
CE
= 250V
V
CE
= 250V
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= 10A
V
GE
= 4.5V
T
C
= +25
o
C
T
C
= +25
o
C
民
310
320
320
300
315
315
-
典型值
345
350
355
340
345
350
3.7
最大
380
380
390
375
375
390
-
单位
V
V
V
V
V
V
V
栅极电荷
Q
G（ ON）的
-
28.7
-
nC
集电极 - 发射极钳位Bkdn 。电压
BV
CE （CL）的
T
C
= +175
o
C
T
C
= +25
o
C
T
C
= +25
o
C
T
C
= +175
o
C
T
C
= +25
o
C
T
C
= +175
o
C
T
C
= +25
o
C
T
C
= +175
o
C
T
C
= +25
o
C
T
C
= +25
o
C
T
C
= +25
o
C
325
360
395
V
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
BV
ECS
I
CES
20
-
-
-
-
-
-
1.3
32
-
-
1.3
1.25
1.6
1.9
1.8
-
5
250
1.6
1.5
2.8
3.5
2.3
V
A
A
V
V
V
V
V
I
C
= 20A
V
GE
= 5.0V
栅极 - 发射极阈值电压
V
GE （日）
I
C
= 1毫安
V
CE
= V
GE
门串联电阻
栅射极电阻
栅极 - 发射极漏电流
极 - 发射极击穿电压
电流关断时，电感负载
R
1
R
2
I
GES
BV
GES
t
D（ OFF ）I
+
t
F（ OFF）予
V
GE
=
±10V
I
GES
=
±2mA
-
10
±400
±12
-
1.0
17
±590
±14
15
-
25
±1000
-
30
k
k
A
V
s
I
C
= 10A ，R
G
= 25,
L = 550 H，R
L
= 26.4, V
GE
= 5V,
V
CL
= 300V ，T
C
= +175
o
C
L = 2.3mH ，
V
G
= 5V,
R
G
= 0
T
C
= +175
o
C
T
C
= +25
o
C
电感的使用测试
I
SCIS
18
26
-
-
-
-
-
-
1.0
A
A
o
C / W
热阻
R
θJC
3-67
HGTP20N35G3VL ， HGT1S20N35G3VL ， HGT1S20N35G3VLS
典型性能曲线
脉冲宽度= 250μs的，占空比<0.5 ％ ，V
CE
= 10V
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
50
100
V
GE
=10V
80
7V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
60
4.5V
40
4.0V
3.5V
20
3.0V
2.5V
0
0
2
4
6
8
10
脉冲宽度= 250μs的，占空比<0.5 ％ ，T
C
= +25
o
C
40
30
T
C
= +175
o
C
20
T
C
= +25
o
C
T
C
=
10
-40
o
C
0
1
2
3
4
5
6
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
图1.传热特性
图2.饱和特性
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A）
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A）
40
T
C
= +175
o
C
V
GE
= 5.0V
50
V
GE
= 4.5V
40
-40
o
C
+25
o
C
30
V
GE
= 4.5V
30
+175
o
C
20
V
GE
= 4.0V
10
20
10
0
0
0
1
2
3
4
5
V
CE （ SAT ）
，饱和电压（V）的
0
2
3
V
CE （ SAT ）
，饱和电压（V）的
1
4
图3.集电极 - 发射极电流为一个函数
饱和电压
图4.集电极 - 发射极电流为一个函数
饱和电压
1.4
V
CE （ SAT ）
，饱和电压（V）的
V
CE （ SAT ）
，饱和电压（V）的
I
CE
= 10A
V
GE
= 4.0V
2.2
I
CE
= 20A
2.1
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
V
GE
= 4.5V
5.0V
V
GE
= 4.5V
V
GE
= 4.0V
1.3
V
GE
= 4.5V
1.2
V
GE
= 5.0V
1.1
-25
+25
+75
+125
(
o
C)
+175
T
J
，结温
-25
+25
+75
+125
(
o
C)
+175
T
J
，结温
图5.饱和电压的函数
结温
图6.饱和电压的函数
结温
3-68
HGTP20N35G3VL ， HGT1S20N35G3VL ， HGT1S20N35G3VLS
典型性能曲线
（续）
V
TH
， NORMAILZED阈值电压
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
25
V
GE
= 5.0V
20
包装有限公司
15
1.2
I
CE
= 1毫安
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
-25
+25
+75
+125
(
o
C)
+175
T
J
，结温
10
5
0
+25
+50
+75
+100
+125
o
+150
+175
T
C
，外壳温度（ C）
图7.集电极 - 发射极电流为一个函数
外壳温度
图8.归一化阈值电压作为
结温度的函数
10
5
10
4
漏电流（ A）
10
3
10
2
10
1
V
CES
= 250V
10
0
10
-1
+25
+50
+75
+100
+125
+150
+175
T
J
，结温（
o
C)
V
ECS
= 20V
18
V
CL
= 300V ，R
GE
= 25, V
GE
= 5V ， L = 550 ^ h
t
（OFF）状态余
，关断时间（S ）
16
I
CE
= 6A ，R
L
= 50
14
I
CE
= 10A ，R
L
= 30
12
I
CE
= 15A ，R
L
= 20
10
+25
+50
+75
+100
+125
+150
+175
T
J
，结温（
o
C)
图9.漏电流的函数
结温
45
40
35
30
25
20
15
+175
o
C
10
5
0
2
4
6
8
10
+25
o
C
图10.关断时间的一个函数
结温
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
V
GE
= 5V
1200
V
GE
= 5V
1000
E
AS
，能源（兆焦耳）
+25
o
C
800
600
400
+175
o
C
200
0
2
4
6
8
10
电感（mH ）
电感（mH ）
图11.自钳位感性开关
电流电感的函数
图12.自固支电感开关
能源作为电感的函数
3-69
HGTP20N35G3VL ， HGT1S20N35G3VL ， HGT1S20N35G3VLS
典型性能曲线
（续）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
1600
频率= 1MHz的
1400
C，电容（pF ）
1200
1000
800
600
400
200
C
水库
0
20
10
15
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
5
25
C
OES
C
IES
I
G
REF = 1.022毫安，R
L
= 1.2, T
C
= +25
o
C
12
10
V
CE
= 12V
8
6
V
CE
= 4V
4
2
1
0
0
10
20
Q
G
，栅极电荷（ NC）
30
40
4
3
6
5
V
GE
，门极 - 发射极电压（ V）
V
CE
= 8V
2
0
图13.电容来集电极的功能
发射极电压
图14.门充电波形
Z
θJC
归一化热响应
10
0
0.5
0.2
P
D
10
-1
0.1
0.05
0.02
0.01
DUTY因子，D = T
1
/ t
2
PEAK牛逼
J
= (P
D
X Z
θJC
个R
θJC
) + T
C
t
2
t
1
BV
CER
，集电极 - 发射极
BKDN电压（V）的
350
I
CER
= 10毫安
345
T
C
= +25
o
C和175
o
C
340
10
-2
10
-5
单脉冲
335
10
-3
10
-1
10
1
0
2000
4000
6000
8000
10000
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
R
GE
，栅极 - 发射极电阻（V）的
图15.归瞬态热
阻抗，结到管壳
图16.击穿电压的函数
GATE - 发射极电阻
测试电路
R
L
2.3mH
V
DD
C
1/R
G
= 1/R
根
+ 1/R
GE
R
根
= 50
10V
E
R
GE
= 50
E
G
DUT
+
V
CC
300V
L = 550μH
C
R
根
= 25
5V
R
G
DUT
G
-
图17.使用测试电路
图18.电感式开关测试电路
3-70
HGTP20N35G3VL,
HGT1S20N35G3VL,
HGT1S20N35G3VLS
2001年12月
20A ， 350V N沟道，
逻辑电平，电压钳位的IGBT
套餐
JEDEC TO- 220AB
辐射源
集热器
门
集热器
（法兰）
特点
逻辑电平栅极驱动器
内部电压钳位
ESD防护门
T
J
= 175
o
C
点火能量有能力
描述
这N沟道IGBT是MOS门控，逻辑电平器件
其目的是用作在自动点火线圈驱动器
动机点火电路。独特的功能还包括一个活跃
集电极和其亲栅极之间的电压钳
志愿组织自钳位电感开关在（ SCIS ）的能力
点火电路。内部二极管提供ESD保护
逻辑电平门。这两个串联电阻和并联电阻
器是在所述栅极电路中提供。
包装供货情况
产品型号
HGTP20N35G3VL
HGT1S20N35G3VL
HGT1S20N35G3VLS
包
T0-220AB
T0-262AA
T0-263AB
BRAND
20N35GVL
20N35GVL
20N35GVL
集热器
（法兰）
JEDEC TO- 262AA
辐射源
集热器
门
JEDEC TO- 263AB
集热器
（法兰）
门
辐射源
端子图
N沟道增强模式
集热器
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，也就是说，
HGT1S20N35G3VLS9A.
此设备的开发型号为TA49076 。
R
1
门
R
2
辐射源
绝对最大额定值
T
C
= +25
o
C，除非另有规定编
HGTP20N35G3VL
HGT1S20N35G3VL
HGT1S20N35G3VLS
375
24
20
20
±10
26
18
775
150
1.0
-40到+175
260
6
集电极 - 发射极电压Bkdn在10mA ，R
GE
= 1kΩ的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 BV
CER
发射极 - 集电极Bkdn电压可达10mA 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 BV
ECS
连续集电极电流在V
GE
= 5.0V ，T
C
= +25
o
C，如图7所示。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在V
GE
= 5.0V ，T
C
= +100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C100
栅极 - 发射极电压（注） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
电感式开关电流在L = 2.3mH ，T
C
= +25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
SCIS
o
在L = 2.3mH ，T
C
= 175以下。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
SCIS
集电极到发射极雪崩能量L = 2.3mH ，T
C
= +25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗总在T
C
= +25
o
C. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
> +25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
静电电压为100pF的， 1500Ω 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ESD
注：可以，如果我超过
创业板
被限制至10mA 。
2001仙童半导体公司
单位
V
V
A
A
V
A
A
mJ
W
W/
o
C
o
C
o
C
KV
HGTP20N35G3VL ， HGT1S20N35G3VL ， HGT1S20N35G3VLS版本B
规格HGTP20N35G3VL ， HGT1S20N35G3VL ， HGT1S20N35G3VLS
电气规格
T
C
= +25
o
C，除非另有规定编
范围
参数
集电极 - 发射极击穿电压
符号
BV
CES
测试条件
I
C
= 10毫安，
V
GE
= 0V
T
C
= +175
o
C
T
C
= +25
o
C
T
C
= -40
o
C
集电极 - 发射极击穿电压
BV
CER
I
C
= 10毫安
V
GE
= 0V
R
GE
= 1k
T
C
= +175
o
C
T
C
= +25
o
C
T
C
= -40
o
C
栅极 - 射极电压高原
V
GEP
I
C
= 10A
V
CE
= 12V
I
C
= 10A
V
GE
= 5V
V
CE
= 12V
I
C
= 10A
R
G
= 0
I
C
= 10毫安
V
CE
= 250V
V
CE
= 250V
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= 10A
V
GE
= 4.5V
T
C
= +25
o
C
T
C
= +25
o
C
民
310
320
320
300
315
315
-
典型值
345
350
355
340
345
350
3.7
最大
380
380
390
375
375
390
-
单位
V
V
V
V
V
V
V
栅极电荷
Q
G（ ON）的
-
28.7
-
nC
集电极 - 发射极钳位Bkdn 。电压
BV
CE （CL）的
T
C
= +175
o
C
T
C
= +25
o
C
T
C
= +25
o
C
T
C
= +175
o
C
T
C
= +25
o
C
T
C
= +175
o
C
T
C
= +25
o
C
T
C
= +175
o
C
T
C
= +25
o
C
T
C
= +25
o
C
T
C
= +25
o
C
325
360
395
V
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
BV
ECS
I
CES
20
-
-
-
-
-
-
1.3
32
-
-
1.3
1.25
1.6
1.9
1.8
-
5
250
1.6
1.5
2.8
3.5
2.3
V
A
A
V
V
V
V
V
I
C
= 20A
V
GE
= 5.0V
栅极 - 发射极阈值电压
V
GE （日）
I
C
= 1毫安
V
CE
= V
GE
门串联电阻
栅射极电阻
栅极 - 发射极漏电流
极 - 发射极击穿电压
电流关断时，电感负载
R
1
R
2
I
GES
BV
GES
t
D（ OFF ）I
+
t
F（ OFF）予
V
GE
=
±10V
I
GES
=
±2mA
-
10
±400
±12
-
1.0
17
±590
±14
15
-
25
±1000
-
30
k
k
A
V
s
I
C
= 10A ，R
G
= 25,
L = 550μH ，R
L
= 26.4, V
GE
= 5V,
V
CL
= 300V ，T
C
= +175
o
C
L = 2.3mH ，
V
G
= 5V,
R
G
= 0
T
C
= +175
o
C
T
C
= +25
o
C
电感的使用测试
I
SCIS
18
26
-
-
-
-
-
-
1.0
o
A
A
C / W
热阻
R
θJC
2001仙童半导体公司
HGTP20N35G3VL ， HGT1S20N35G3VL ， HGT1S20N35G3VLS版本B
HGTP20N35G3VL ， HGT1S20N35G3VL ， HGT1S20N35G3VLS
典型性能曲线
脉冲宽度= 250μs的，占空比<0.5 ％ ，V
CE
= 10V
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
50
100
V
GE
=10V
80
7V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
60
4.5V
40
4.0V
3.5V
20
3.0V
2.5V
0
0
2
4
6
8
10
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
脉冲宽度= 250μs的，占空比<0.5 ％ ，T
C
= +25
o
C
40
30
T
C
= +175
o
C
20
T
C
= +25
o
C
T
C
= -40 C
10
o
0
1
2
3
4
5
6
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图1.传热特性
图2.饱和特性
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A）
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A）
40
T
C
= +175
o
C
V
GE
= 5.0V
50
V
GE
= 4.5V
40
-40
o
C
+25
o
C
30
V
GE
= 4.5V
30
+175
o
C
20
V
GE
= 4.0V
10
20
10
0
0
0
1
2
3
4
5
V
CE （ SAT ）
，饱和电压（V）的
0
2
3
V
CE （ SAT ）
，饱和电压（V）的
1
4
图3.集电极 - 发射极电流为一个函数
饱和电压
图4.集电极 - 发射极电流为一个函数
饱和电压
2001仙童半导体公司
HGTP20N35G3VL ， HGT1S20N35G3VL ， HGT1S20N35G3VLS版本B
HGTP20N35G3VL ， HGT1S20N35G3VL ， HGT1S20N35G3VLS
典型性能曲线
（续）
1.4
V
CE （ SAT ）
，饱和电压（V）的
2.2
V
CE （ SAT ）
，饱和电压（V）的
I
CE
= 20A
2.1
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
-25
+25
+75
+125
+175
-25
+25
+75
+125
o
I
CE
= 10A
V
GE
= 4.0V
V
GE
= 4.0V
1.3
V
GE
= 4.5V
V
GE
= 4.5V
1.2
V
GE
= 5.0V
V
GE
= 4.5V
5.0V
1.1
T
J
，结温（
o
C)
+175
T
J
，结温（ C）
图5.饱和电压的函数
结温
25
V
GE
= 5.0V
20
包装有限公司
15
图6.饱和电压的函数
结温
1.2
I
CE
= 1毫安
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
-25
+25
+75
+125
(
o
C)
+175
T
J
，结温
10
5
0
+25
+50
+75
+100
+125
+150
+175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图7.集电极 - 发射极电流为一个函数
外壳温度
图8.归一化阈值电压作为
结温度的函数
2001仙童半导体公司
V
TH
， NORMAILZED阈值电压
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
HGTP20N35G3VL ， HGT1S20N35G3VL ， HGT1S20N35G3VLS版本B
HGTP20N35G3VL ， HGT1S20N35G3VL ， HGT1S20N35G3VLS
典型性能曲线
（续）
10
5
t
（OFF）状态余
，关闭时间（μs ）
10
4
10
3
10
2
10
1
V
CES
= 250V
10
0
10
-1
+25
+50
+75
+100
+125
+150
(
o
C)
+175
T
J
，结温
V
ECS
= 20V
18
V
CL
= 300V ，R
GE
= 25, V
GE
= 5V ， L = 550μH
漏电流（ μA ）
16
I
CE
= 6A ，R
L
= 50
14
I
CE
= 10A ，R
L
= 30
12
I
CE
= 15A ，R
L
= 20
10
+25
+50
+75
+100
+125
o
+150
+175
T
J
，结温（ C）
图9.漏电流的函数
结温
45
40
35
30
25
20
15
+175
o
C
10
5
0
2
4
6
8
10
+25
o
C
图10.关断时间的一个函数
结温
I
CE
，集电极 - 发射极电流（A ）
V
GE
= 5V
1200
V
GE
= 5V
1000
E
AS
，能源（兆焦耳）
+25
o
C
800
600
400
+175
o
C
200
0
2
4
6
8
10
电感（mH ）
电感（mH ）
图11.自钳位感性开关
电流电感的函数
图12.自固支电感开关
能源作为电感的函数
2001仙童半导体公司
HGTP20N35G3VL ， HGT1S20N35G3VL ， HGT1S20N35G3VLS版本B
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