HGTG12N60A4D ， HGTP12N60A4D ，

HGT1S12N60A4DS

数据表

1999年11月

网络文件编号

4697.3

600V ，开关电源系列N沟道IGBT具有

反并联二极管超高速

该HGTG12N60A4D ， HGTP12N60A4D和

HGT1S12N60A4DS是MOS门控高压开关

器件的MOSFET相结合的最佳功能和

双极型晶体管。这些器件具有高输入

MOSFET的阻抗和低的导通状态导通

损失一个双极晶体管组成。在低得多的导通电压

降变化只是适度的25

o

C和150

o

C.该

IGBT采用的是开发式TA49335 。二极管

反并联使用的是发展型TA49371 。

这IGBT适用于多种高压开关

在高频率下操作的应用，其中低

导通损耗是必不可少的。该装置已

对于高频开关模式电源优化。

以前发育类型TA49337 。

特点

>100kHz操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 390V ，12A

200kHz的操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 390V ，9A

600V开关SOA能力

典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为70ns在T

J

= 125

o

C

低传导损耗

温度补偿

SABER 模型

www.intersil.com

相关文献

- TB334 “指南焊锡表面贴装

组件到PC板

包装

JEDEC TO- 220AB替代版本

E

C

订购信息

产品型号

HGTG12N60A4D

HGTP12N60A4D

HGT1S12N60A4DS

包

TO-247

TO-220AB

TO-263AB

BRAND

12N60A4D

12N60A4D

12N60A4D

G

集热器

（法兰）

注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A

获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，如

HGT1S12N60A4DS9A.

JEDEC TO- 263AB

符号

C

集热器

（法兰）

G

E

JEDEC风格-247

G

E

C

G

E

集热器

（法兰）

Intersil公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权

4,364,073

4,598,461

4,682,195

4,803,533

4,888,627

4,417,385

4,605,948

4,684,413

4,809,045

4,890,143

4,430,792

4,620,211

4,694,313

4,809,047

4,901,127

4,443,931

4,631,564

4,717,679

4,810,665

4,904,609

4,466,176

4,639,754

4,743,952

4,823,176

4,933,740

4,516,143

4,639,762

4,783,690

4,837,606

4,963,951

4,532,534

4,641,162

4,794,432

4,860,080

4,969,027

4,587,713

4,644,637

4,801,986

4,883,767

2-1

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。

SABER 是类比公司的商标。

1-888- INTERSIL或407-727-9207

|

版权

Intersil公司1999

HGTG12N60A4D ， HGTP12N60A4D ， HGT1S12N60A4DS

绝对最大额定值

T

C

= 25

o

C，除非另有规定编

HGTG12N60A4D,

HGTP12N60A4D,

HGT1S12N60A4DS

600

54

23

96

±20

±30

60A电压为600V

167

1.33

-55到150

300

260

集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .BV

CES

连续集电极电流

在T

C

= 25

o

温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我

C25

在T

C

= 110

o

温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我

C110

集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我

CM

门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V

GES

门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V

创业板

开关安全工作区在T

J

= 150

o

C，如图2所示。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA

功耗总在T

C

= 25

o

温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P

D

功耗降额牛逼

C

＆ GT ; 25

o

C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼

J

, T

英镑

最高温度焊接

信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼

L

包体为10S ，看技术简报334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T

PKG

单位

V

A

A

A

V

V

W

W/

o

C

o

C

o

C

o

C

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

注意：

1.脉冲宽度有限的最高结温。

电气连接特定的阳离子

参数

T

J

= 25

o

C，除非另有规定编

符号

BV

CES

I

CES

V

CE （ SAT ）

V

GE （日）

I

GES

SSOA

V

GEP

Q

G（ ON）的

t

D（ ON ）I

t

rI

t

D（ OFF ）I

t

fI

E

ON1

E

ON2

E

关闭

t

D（ ON ）I

t

rI

t

D（ OFF ）I

t

fI

E

ON1

E

ON2

E

关闭

IGBT和二极管在T

J

= 125

o

C,

I

CE

= 12A,

V

CE

= 390V, V

GE

= 15V,

R

G

= 10,

L = 500μH ，

测试电路（图24）

测试条件

I

C

= 250μA ，V

GE

= 0V

V

CE

= 600V

I

C

= 12A,

V

GE

= 15V

T

J

= 25

o

C

T

J

= 125

o

C

T

J

= 25

o

C

T

J

= 125

o

C

民

600

-

-

-

-

-

-

60

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值

-

-

-

2.0

1.6

5.6

-

-

8

78

97

17

8

96

18

55

160

50

17

16

110

70

55

250

175

最大

-

250

2.0

2.7

2.0

-

±250

-

-

96

120

-

-

-

-

-

-

-

-

-

170

95

-

350

285

单位

V

A

mA

V

V

V

nA

A

V

nC

nC

ns

ns

ns

ns

J

J

J

ns

ns

ns

ns

J

J

J

集电极到发射极击穿电压

集电极到发射极漏电流

集电极到发射极饱和电压

门到发射极阈值电压

门到发射极漏电流

开关SOA

门到发射极电压高原

导通状态的栅极电荷

I

C

= 250μA ，V

CE

= 600V

V

GE

=

±20V

T

J

= 150

o

C，R

G

= 10, V

GE

= 15V,

L = 100μH ，V

CE

= 600V

I

C

= 12A ，V

CE

= 300V

I

C

= 12A,

V

CE

= 300V

V

GE

= 15V

V

GE

= 20V

电流导通延迟时间

电流上升时间

电流关断延迟时间

电流下降时间

开启能量（注3 ）

开启能量（注3 ）

关断能量（注2 ）

电流导通延迟时间

电流上升时间

电流关断延迟时间

电流下降时间

开启能量（注3 ）

开启能量（注3 ）

关断能量（注2 ）

IGBT和二极管在T

J

= 25

o

C,

I

CE

= 12A,

V

CE

= 390V,

V

GE

= 15V,

R

G

= 10,

L = 500μH ，

测试电路（图24）

2-2

HGTG12N60A4D ， HGTP12N60A4D ， HGT1S12N60A4DS

电气连接特定的阳离子

参数

二极管的正向电压

二极管的反向恢复时间

T

J

= 25

o

C，除非另有规定编

（续）

符号

V

EC

t

rr

R

θJC

测试条件

I

EC

= 12A

I

EC

= 12A ，二

EC

/ DT = 200A / μs的

I

EC

= 1A ，二

EC

/ DT = 200A / μs的

热阻结到外壳

IGBT

二极管

注意事项：

2.打开，关闭能源损耗（E

关闭

）是德音响定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿和结束的积分

的点处的集电极电流等于零（我

CE

= 0A ） 。所有设备都根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试测量

功率器件的关断开关损耗。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。

3.值两导通损耗条件显示为电路设计人员提供方便。 ê

ON1

只是IGBT的导通损耗。 ê

ON2

是当一个典型的二极管被用在测试电路中的导通损耗和二极管是在同一

J

作为IGBT 。二极管类型在指定

图24 。

民

-

-

-

-

-

典型值

2.2

30

18

-

-

最大

-

-

-

0.75

2.0

单位

V

ns

ns

o

C / W

o

C / W

典型性能曲线

60

I

CE

， DC集电极电流（ A）

除非另有规定编

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

70

60

50

40

30

20

10

0

0

V

GE

= 15V,

50

40

30

20

10

0

T

J

= 150

o

C，R

G

= 10, V

GE

= 15V ，L = 200μH

25

50

75

100

125

150

100

200

300

400

500

600

700

T

C

，外壳温度（

o

C)

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

图1. DC集电极电流与案例

温度

图2.最小开关安全工作区

t

SC

，短路耐受时间（μs ）

20

18

16

14

12

10

8

6

4

2

0

9

f

最大

，工作频率（千赫）

300

T

C

75

o

C

V

GE

15V

V

CE

= 390V ，R

G

= 10, T

J

= 125

o

C

300

275

250

I

SC

225

200

175

150

t

SC

125

100

75

100

f

MAX1

= 0.05 / (t

D（ OFF ）I

+ t

D（ ON ）I

)

f

MAX2

= (P

D

- P

C

) / (E

ON2

+ E

关闭

)

P

C

=传导耗散

（占空比= 50％）

R

θJC

= 0.75

o

C / W ，见注解

T

J

= 125

o

C，R

G

= 10Ω ， L = 500μH ，V

CE

= 390V

10

1

3

10

20

30

10

11

12

13

14

15

50

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

V

GE

，门到发射极电压（ V）

图3.工作频率与集电极

发射极电流

图4.短路耐受时间

2-3

I

SC

峰值短路电流（ A）

500

HGTG12N60A4D ， HGTP12N60A4D ， HGT1S12N60A4DS

典型性能曲线

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

除非另有规定编

（续）

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

24

20

16

T

J

= 150

o

C

12

T

J

= 125

o

C

8

4

0

占空比< 0.5 ％ ，V

GE

= 12V

脉冲宽度= 250

s

24

占空比< 0.5 ％ ，V

GE

= 15V

脉冲宽度= 250μs的

20

16

12

8

4

0

T

J

= 25

o

C

T

J

= 150

o

C

T

J

= 125

o

C

T

J

= 25

o

C

0

0.5

1.0

1.5

2

2.5

0

0.5

1.0

1.5

2

2.5

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

图5.集电极到发射极导通电压

图6.集电极到发射极导通电压

700

E

ON2

，开启能量损失（ μJ ）

E

关闭

，关断能量损失（ μJ ）

R

G

= 10Ω ， L = 500μH ，V

CE

= 390V

600

500

400

300

200

100

0

T

J

= 25

o

C，V

GE

= 12V, V

GE

= 15V

T

J

= 125

o

C，V

GE

= 12V, V

GE

= 15V

400

R

G

= 10Ω ， L = 500μH ，V

CE

= 390V

350

300

250

200

150

100

50

0

2

4

6

8

10

12

T

J

= 25

o

C，V

GE

= 12V或15V

14

16

18

20

22

24

T

J

= 125

o

C，V

GE

= 12V或15V

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

22

24

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图7.开启能量损失VS收藏家

发射极电流

图8. TURN -OFF能量损失VS收藏家

发射极电流

18

t

D（ ON ）I

，导通延迟时间（纳秒）

R

G

= 10Ω ， L = 500μH ，V

CE

= 390V

17

t

rI

，上升时间（ NS ）

16

15

14

13

12

11

10

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

22

24

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

T

J

= 25

o

C，T

J

= 125

o

C，V

GE

= 15V

T

J

= 25

o

C，T

J

= 125

o

C，V

GE

= 12V

32

28

24

20

16

12

8

4

0

2

R

G

= 10Ω ， L = 500μH ，V

CE

= 390V

T

J

= 125

o

C或T

J

= 25

o

C，V

GE

= 12V

T

J

= 25

o

C或T

J

= 125

o

C，V

GE

= 15V

4

6

8

10

12

14

16

18

20

22

24

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图9.导通延迟时间与收藏家

发射极电流

图10.导通上升时间与收藏家

发射极电流

2-4

HGTG12N60A4D ， HGTP12N60A4D ， HGT1S12N60A4DS

典型性能曲线

115

t

D（ OFF ）I

，关断延迟时间（纳秒）

R

G

= 10Ω ， L = 500μH ，V

CE

= 390V

110

105

100

95

V

GE

= 12V, V

GE

= 15V ，T

J

= 25

o

C

90

85

t

fI

，下降时间（ NS ）

V

GE

= 12V, V

GE

= 15V ，T

J

= 125

o

C

80

70

60

50

40

30

20

10

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

22

24

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

22

24

T

J

= 25

o

C，V

GE

= 12V或15V

T

J

= 125

o

C，V

GE

= 12V或15V

除非另有规定编

（续）

90

R

G

= 10Ω ， L = 500μH ，V

CE

= 390V

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图11.关断延迟时间与收藏家

发射极电流

图12. FALL时间与集电极到发射极

当前

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

250

V

GE

，门到发射极电压（ V）

占空比< 0.5 ％ ，V

CE

= 10V

脉冲宽度= 250μs的

T

J

= 25

o

C

T

J

= -55

o

C

T

J

= 125

o

C

16

14

12

10

8

6

4

2

0

0

I

G（ REF ）

= 1毫安，R

L

= 25, T

C

= 25

o

C

200

V

CE

= 600V

150

V

CE

= 400V

100

V

CE

= 200V

50

0

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

10

20

30

40

50

60

70

80

V

GE

，门到发射极电压（ V）

Q

G

，栅极电荷（ NC）

图13.传输特性

图14.门充电波形

1.2

1.0

E

总

，总交换

能量损失（兆焦耳）

0.8

R

G

= 10Ω ， L = 500μH ，V

CE

= 390V, V

GE

= 15V

E

总

= E

ON2

+ E

关闭

10

I

CE

= 24A

0.6

0.4

I

CE

= 12A

0.2

I

CE

= 6A

0

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度（

o

C)

E

总

，总交换

能量损失（兆焦耳）

T

J

= 125

o

C，L = 500μH ，

V

CE

= 390V, V

GE

= 15V

E

总

= E

ON2

+ E

关闭

I

CE

= 24A

1

I

CE

= 12A

I

CE

= 6A

0.1

5

10

100

R

G

，栅极电阻（ Ω ）

1000

图15.总开关损耗VS案例

温度

图16.总开关损耗VS栅极电阻

2-5