【HFD2N60 / HFU2N602005年7月BVDSS= 600 VHFD2N60 / HFU2】,IC型号HFU2N60,HFU2N60 PDF资料,HFU2N60经销商,ic,电子元器件-51电子网

HFD2N60 / HFU2N60

2005年7月

BV

DSS

= 600 V

HFD2N60 / HFU2N60

600V N沟道MOSFET

特点

有创意的新设计

高级雪崩坚固的技术

强劲的栅极氧化层技术

非常低的固有电容

优良的开关特性

无与伦比的闸电荷： 9.0 NC （典型值）。

扩展安全工作区

低

DS （ ON）

： 4.0 Ω （典型值） @V

GS

=10V

100％的雪崩测试

R

DS （ ON）（典型值）

= 4.0 Ω

I

D

= 1.8 A

D- PAK

2

1

3

2

3

I- PAK

HFD2N60

HFU2N60

1.Gate 2.排水3.源

绝对最大额定值

符号

V

DSS

I

D

I

DM

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

P

D

漏源电压

漏电流

栅源电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功率耗散（T

A

=25

°C)

*

T

C

= 25 ℃除非另有规定

参数

价值

600

单位

V

A

V

mJ

A

mJ

V / ns的

W

W/℃

℃

- 连续（T

C

= 25℃)

- 连续（T

C

= 100℃)

- 脉冲

（注1 ）

1.8

1.1

7.2

±30

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

150

1.8

4.4

5.5

2.5

44

0.35

-55到+150

300

功率耗散（T

C

= 25℃)

-

减免上述25 °

T

J

, T

英镑

T

L

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

1/8 ？从案例5秒

热阻特性

符号

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到环境*

结到环境

参数

典型值。

--

马克斯。

2.87

50

110

℃/W

单位

*当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）

◎

SEMIHOW REV.A0 ， 2005年7月

HFD2N60 / HFU2N60

电气特性

T

C

=25

°C

符号

参数

除非另有说明

测试条件

民

典型值

最大

单位

基本特征

V

GS

R

DS （ ON）

栅极阈值电压

静态漏源

导通电阻

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

V

GS

= 10 V，I

D

= 0.9 A

2.5

--

4.0

4.5

5.0

V

开关特性

BV

DSS

漏源击穿电压

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

I

D

= 250

，引用to25 ℃

V

DS

= 600 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 480 V ，T

C

= 125℃

V

GS

= 30 V, V

DS

= 0 V

V

GS

= -30 V, V

DS

= 0 V

600

--

0.65

--

1

10

100

-100

V

V/℃

ΔBV

DSS

击穿电压温度

系数

/ΔT

J

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，

前锋

门体漏电流，

反向

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

--

330

40

8.0

430

52

10.5

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

开启时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

（注4,5 ）

V

DS

= 300 V，I

D

= 2.0 A,

R

G

= 25

--

15

40

30

9.0

1.9

3.8

30

80

60

11.5

--

nC

V

DS

= 480 V，I

D

= 2.0 A,

V

GS

= 10 V

（注4,5 ）

源极 - 漏极二极管的最大额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

TRR

QRR

连续源极 - 漏极二极管的正向电流

脉冲源极 - 漏极二极管的正向电流

源极 - 漏极二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

S

= 1.8 A，V

GS

= 0 V

I

S

= 2.0 A，V

GS

= 0 V

di

F

/ DT = 100 A / μs的

（注4 ）

--

220

1.1

1.8

7.2

1.4

--

A

V

μC

注意事项;

1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温

2， L = 68mH ，我

AS

= 2.0A ，V

DD

= 50V ，R

G

= 25Ω ，起始物为

J

=25°C

3. I

SD

≤1.8A ，二/ dt≤300A / μs的，V

DD

ΔBV

DSS

，起始物为

J

=25

°C

4.脉冲测试：脉冲宽度

≤ 300μS ，占空比≤ 2 ％

5.基本上是独立工作温度

◎

SEMIHOW REV.A0 ， 2005年7月

HFD2N60 / HFU2N60

典型特征

图1.地区特点

图2.传输特性

图3.导通电阻变化VS

漏电流和栅极电压

图4.体二极管正向电压

变化与源电流

和温度

12

450

400

350

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

(C

ds

=短路）

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

C

RSS

= C

gd

V

GS

，栅源电压[V]

10

V

DS

= 120V

V

DS

= 300V

V

DS

= 480V

电容[ pF的]

300

250

200

150

100

50

0

-1

10

C

国际空间站

C

OSS

8

6

C

RSS

※

注意;

1. V

GS

= 0 V

2. F = 1 MHz的

4

2

※

注：我

D

= 2.0 A

0

10

0

10

1

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

V

DS

，漏源电压[V]

Q

G

，总栅极电荷[ NC ]

图5.电容特性

图6.栅极电荷特性

◎

SEMIHOW REV.A0 ， 2005年7月

HFD2N60 / HFU2N60

典型特征

（续）

图7.击穿电压变化

与温度

图8.导通电阻变化

与温度

2.0

I

D

，漏电流[ A]

1.5

1.0

0.5

0.0

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度[

℃]

图9.最高安全工作区

图10.最大漏极电流

VS外壳温度

Z

？ JC

热响应

(t),

10

0

D=0.5

0.2

0.1

0.05

※

注意事项：

(t)

W

1. Z

？ JC

= 2.87

℃/

马克斯。

2.占空比，D = T

1

/t

2

3. T

JM

- T

C

= P

DM

* Z

？ JC

(t)

10

-1

0.02

0.01

单脉冲

P

DM

t

1

t

2

0

10

-2

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

1

t

1

，方波脉冲持续时间（秒）

图11.瞬态热响应曲线

◎

SEMIHOW REV.A0 ， 2005年7月

HFD2N60 / HFU2N60

图12.栅极电荷测试电路波形&

50KΩ

12V

200nF

300nF

同一类型

作为DUT

V

DS

V

GS

Q

g

10V

V

GS

Q

gs

Q

gd

DUT

3mA

收费

图13.电阻开关测试电路波形&

V

DS

R

G

R

L

V

DD

（ 0.5额定V

DS

)

V

DS

90%

10V

DUT

V

in

10%

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

图14.非钳位感应开关测试电路波形&

L

V

DS

V

DD

I

D

R

G

DUT

V

DD

BV

DSS

I

AS

BV

DSS

1

E

AS

= ---- L

L

I

AS2

--------------------

2

BV

DSS

-- V

DD

I

D

(t)

V

DS

(t)

t

p

10V

时间

◎

SEMIHOW REV.A0 ， 2005年7月

汕头华汕电子器件有限公司。

N沟道MOSFET

HFU2N60

█ APPLICATIONSL

高速开关。

TO-251

█

绝对最大额定值（T

a

=25℃）

T

英镑

--storage

Temperature……………………………－55~150℃

T

j

■工作

结温

…………………………150℃　

P

D

——

允许功耗（T

c

=25℃）…………………44W

V

DSS

——

漏源电压

…………………………………

600V

V

GSS

——

栅源电压

…………………………………

±

0V

3

I

D

——

漏电流

c

=25℃）

（T

……………………………………1.8A

1―G

2―D

3―S

█

电气特性（T

a

=25℃）

符号

特征

民

典型值

最大

单位

测试条件

BV

DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

政府飞行服务队

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

tr

t

D（关闭）

t

f

Qg

QGS

QGD

Is

V

SD

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门 -

源漏电流

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

打开 - 延迟时间

上升时间

打开 - 关闭延迟时间

600

2.5

３．８　

２．０５　

１８０　

20

4.3

9

25

24

28

8.5

1.3

4.1

１０　

V

I

D

= 250μA ，V

GS

=0V

μＡ　

V

DS

=600V，V

GS

=0　

±100　 ½Ａ　

V

GS

=±30V , V

DS

=0V　

4.5

V

DS

= V

GS

, I

D

=250μA

５．０　

２３５　

25

3

28

60

58

66

12

Ω　

V

GS

= 10V ，我

D

=1.0A　

S

V

DS

= 40V ，我

D

=1.0A

*

pF　

pF

nS

nC

　　V

DS

=25V, V

GS

=0,f=1ＭＨ½　

V

DD

=300V,

I

D

=2A

R

G

= 25

Ω　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　＊　

V

DS

=480V

Ｖ

ＧＳ

＝１０Ｖ

Ｉ

Ｄ

＝２Ａ　　　　　　　　　　　　　　＊

I

S

= 1.8A ，V

GS

=0

下降时间

总栅极电荷

门“

源电荷

门“

漏极电荷

连续源电流

１．８　

１．４　

Ａ　

Ｖ　

二极管的正向电压

热阻，

RTH J- C）

（

分线箱正对案件

*脉冲测试：脉冲Width≤300μs ，职务Cycle≤2 ％

２．８７　

℃／Ｗ　

汕头华汕电子器件有限公司。

N沟道MOSFET

HFU2N60

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HFU2N60

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