HFD1N60 / HFU1N60
2005年12月
BV
DSS
= 600 V
HFD1N60 / HFU1N60
600V N沟道MOSFET
特点
有创意的新设计
高级雪崩坚固的技术
强劲的栅极氧化层技术
非常低的固有电容
优良的开关特性
无与伦比的闸电荷： 4.0 NC （典型值）。
扩展安全工作区
低
DS （ ON）
： 9.5 Ω （典型值） @V
GS
=10V
100％的雪崩测试
R
DS （ ON） （典型值）
= 9.5 Ω
I
D
= 0.9 A
D- PAK
2
1
1
3
2
3
I- PAK
HFD1N60
HFU1N60
1.Gate 2.排水3.源
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
漏源电压
漏电流
漏电流
漏电流
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
A
= 25℃) *
T
C
= 25 ℃除非另有规定
参数
价值
600
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W
W/℃
℃
℃
- 连续（T
C
= 25℃)
- 连续（T
C
= 100℃)
- 脉冲
（注1 ）
0.9
0.57
3.6
±30
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
50
0.9
3.1
5.5
2.5
31
0.25
-55到+150
300
功率耗散（T
C
= 25℃)
- 减额
上述25 °
T
J
, T
英镑
T
L
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
热阻特性
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境*
结到环境
参数
典型值。
--
--
--
马克斯。
4.0
50
110
℃/W
单位
*当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2005年12月
HFD1N60 / HFU1N60
电气特性
T
C
=25
°C
符号
参数
除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大
单位
基本特征
V
GS
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.45 A
2.5
--
--
9.5
4.5
12
V
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
I
D
= 250
，引用to25 ℃
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V ，T
C
= 125℃
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
600
--
--
--
--
--
--
0.65
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V/℃
ΔBV
DSS
击穿电压温度
系数
/ΔT
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，
前锋
门体漏电流，
反向
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
--
--
--
155
24
6.0
200
31
7.5
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
开启时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
（注4,5 ）
V
DS
= 300 V，I
D
= 0.9 A,
R
G
= 25
--
--
--
--
--
--
--
12
40
20
30
4.0
1.0
2.0
30
140
60
80
5.5
--
--
nC
nC
nC
V
DS
= 480 V，I
D
= 0.9 A,
V
GS
= 10 V
（注4,5 ）
源极 - 漏极二极管的最大额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
TRR
QRR
连续源极 - 漏极二极管的正向电流
脉冲源极 - 漏极二极管的正向电流
源极 - 漏极二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
= 0.9 A，V
GS
= 0 V
I
S
= 0.9 A，V
GS
= 0 V
di
F
/ DT = 100 A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
160
0.45
0.9
3.6
1.4
--
--
A
V
μC
注意事项;
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 115mH ，我
AS
= 0.9A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°C
3. I
SD
≤0.9A ，二/ dt≤300A / μs的，V
DD
ΔBV
DSS
，起始物为
J
=25
°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤ 300μS ，占空比≤ 2 ％
5.基本上是独立工作温度
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2005年12月
HFD1N60 / HFU1N60
典型特征
图1.地区特点
图2.传输特性
图3.导通电阻变化VS
漏电流和栅极电压
250
12
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
C
国际空间站
200
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
V
GS
，栅源电压[V]
10
V
DS
= 120V
V
DS
= 300V
电容[ pF的]
8
V
DS
= 480V
150
6
100
C
OSS
C
RSS
※
注意;
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
4
50
2
*注：我
D
= 0.9 A
0
-1
10
0
10
0
10
1
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
图5.电容特性
图6.栅极电荷特性
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2005年12月
HFD1N60 / HFU1N60
典型特征
（续）
图7.击穿电压变化
与温度
0.9
图8.导通电阻变化
与温度
I
D
，漏电流[ A]
0.6
0.3
0.0
25
50
75
100
o
125
150
T
C
，外壳温度[C]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
VS外壳温度
D=0.5
Z
？ JC
热响应
(t),
10
0
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
※
注意事项：
(t)
W
1. Z
？ JC
= 4.0
℃/
马克斯。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
？ JC
(t)
10
-1
P
DM
t
1
10
-2
t
2
10
0
10
-5
10
-4
10
-3
10
-1
10
1
t
1
，方波脉冲持续时间（秒）
图11.瞬态热响应曲线
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2005年12月
HFD1N60 / HFU1N60
图12.栅极电荷测试电路波形&
50KΩ
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
DS
V
GS
Q
g
10V
V
GS
Q
gs
Q
gd
DUT
3mA
收费
图13.电阻开关测试电路波形&
V
DS
R
G
R
L
V
DD
（ 0.5额定V
DS
)
V
DS
90%
10V
DUT
V
in
10%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
图14.非钳位感应开关测试电路波形&
L
V
DS
V
DD
I
D
R
G
DUT
V
DD
BV
DSS
I
AS
BV
DSS
1
E
AS
= ---- L
L
I
AS2
--------------------
2
BV
DSS
-- V
DD
I
D
(t)
V
DS
(t)
t
p
10V
时间
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2005年12月
汕头华汕电子器件有限公司。
N沟道MOSFET
HFU1N60
█ APPLICATIONSL
高速开关。
TO-251
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
Temperature……………………………－55~150℃
T
j
■工作
结温
…………………………150℃
P
D
——
允许功耗（T
c
=25℃）…………………28W
V
DSS
——
漏源电压
…………………………………
600V
V
GSS
——
栅源电压
…………………………………
±
0V
3
I
D
——
漏电流（T
c
=25℃）……………………………………1A
I
DM
——
漏电流（脉冲） .......................................... 4A
1―G
2―D
3―S
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
tr
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
Is
V
SD
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门 -
源漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
600
2.5
９．３
０．７５
１３０
19
3.5
7
21
13
27
4.8
0.7
2.7
１
V
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
μＡ
V
DS
=600V，V
GS
=0
±100 ½Ａ
V
GS
=±30V , V
DS
=0V
4.5
V
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
１１．５
１７０
25
4.5
24
52
36
64
6.2
?
S
V
GS
= 10V ，我
D
=0.5A
V
DS
= 40V ，我
D
=0.5A*
pF
pF
pF
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
V
DS
=25V, V
GS
=0,f=1ＭＨ½
下降时间
总栅极电荷
门“
源电荷
门“
漏极电荷
V
DD
=300V,I
D
=1.1A
R
G
= 25
Ω
*
V
DS
=480V，Ｉ
Ｄ
＝１．１Ａ
Ｖ
ＧＳ
＝１０Ｖ ＊
I
S
= 0.5A ，V
GS
=0
连续源电流
１
１．４
Ａ
Ｖ
二极管的正向电压
热阻，
RTH J- C）
（
结到外壳
*脉冲测试：脉冲Width≤300μs ，职务Cycle≤2 ％
４．５３
℃／Ｗ
QQ：2881677436 复制
