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HFS4N50
2005年7月
BV
DSS
= 500 V
HFS4N50
500V N沟道MOSFET
特点
有创意的新设计
高级雪崩坚固的技术
强劲的栅极氧化层技术
非常低的固有电容
优良的开关特性
无与伦比的闸电荷: 13 NC (典型值)。
扩展安全工作区
DS ( ON)
: 2.0 Ω (典型值) @V
GS
=10V
100%的雪崩测试
R
DS ( ON)
典型值
=
2.0 Ω
I
D
= 3.4 A
TO-220F
1
2
3
1.Gate 2.排水3.源
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
漏电流
漏电流
栅源电压
T
C
= 25 ℃除非另有规定
参数
价值
500
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W/℃
- 连续(T
C
= 25℃)
- 连续(T
C
= 100℃)
- 脉冲
(注1 )
3.4*
2.15*
13.6*
±30
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散(T
C
= 25℃)
- 减免上述25 ℃
(注2 )
(注1 )
(注1 )
(注3)
440
3.4
7.0
4.5
28
0.22
-55到+150
300
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的,
1/8 ?从案例5秒
*漏电流受最高结温
热阻特性
符号
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境
参数
典型值。
--
--
马克斯。
4.46
62.5
℃/W
单位
SEMIHOW REV.A0 , 2005年7月
HFS4N50
电气特性
T
C
=25
°C
符号
参数
除非另有说明
测试条件
典型值
最大
单位
基本特征
V
GS
R
DS ( ON)
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
V
GS
= 10 V,I
D
= 1.7 A
2.5
--
--
2.0
4.5
2.7
V
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
I
D
= 250
,引用to25 ℃
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V ,T
C
= 125℃
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
500
--
--
--
--
--
--
0.38
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V/℃
ΔBV
DSS
击穿电压温度
系数
/ΔT
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
零栅极电压漏极电流
门体漏电流,
前锋
门体漏电流,
反向
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
--
--
--
450
70
10
590
90
17
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
开启时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
(注4,5 )
V
DS
= 250 V,I
D
= 3.4 A,
R
G
= 25
--
--
--
--
--
--
--
15
70
30
40
13
4.0
6.0
30
140
60
80
17
--
--
nC
nC
nC
V
DS
= 400 V,I
D
= 3.4 A,
V
GS
= 10 V
(注4,5 )
源极 - 漏极二极管的最大额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
TRR
QRR
连续源极 - 漏极二极管的正向电流
脉冲源极 - 漏极二极管的正向电流
源极 - 漏极二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
= 3.4 A,V
GS
= 0 V
I
S
= 3.4 A,V
GS
= 0 V
di
F
/ DT = 100 A / μs的
(注4 )
--
--
--
--
--
--
--
--
220
1.3
3.4
13.6
1.4
--
--
A
V
μC
注意事项;
1.重复额定值:脉冲宽度有限的最高结温
2, L = 68mH ,我
AS
= 3.4A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 25Ω ,起始物为
J
=25°C
3. I
SD
≤3.4A ,二/ dt≤200A / μs的,V
DD
ΔBV
DSS
,起始物为
J
=25
°C
4.脉冲测试:脉冲宽度
≤ 300μS ,占空比≤ 2 %
5.基本上是独立工作温度
SEMIHOW REV.A0 , 2005年7月
HFS4N50
典型特征
I
D
,漏电流[ A]
V
DS
,漏源电压[V]
I
D
,漏电流[ A]
V
GS
,栅源电压[V]
图1.地区特点
图2.传输特性
R
DS ( ON)
[],
漏源导通电阻
I
DR
,反向漏电流[ A]
I
D
,漏电流[ A]
V
SD
,源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻变化VS
漏电流和栅极电压
900
800
700
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
12
V
GS
,栅源电压[V]
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路)
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
V
DS
= 100V
10
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
电容[ pF的]
600
500
400
300
200
100
0
-1
10
C
国际空间站
C
OSS
8
6
C
RSS
注意;
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
4
2
注:我
D
= 3.4A
10
0
10
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
V
DS
,漏源电压[V]
Q
G
,总栅极电荷[ NC ]
图5.电容特性
图6.栅极电荷特性
SEMIHOW REV.A0 , 2005年7月
HFS4N50
典型特征
(续)
BV
DSS
(归一化)
漏源击穿电压
T
J
,结温[
o
C]
R
DS ( ON)
(归一化)
漏源导通电阻
T
J
,结温[
o
C]
图7.击穿电压变化
与温度
4
在这一领域
由R有限公司
DS ( ON)
图8.导通电阻变化
与温度
10
1
100
s
1毫秒
10毫秒
I
D
,漏电流[ A]
10
0
100毫秒
DC
I
D
,漏电流[ A]
3
2
10
-1
*注意:
1. T
C
= 25
o
C
2. T
J
= 150
o
C
3.单脉冲
1
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
3
0
25
50
75
100
o
125
150
V
DS
,漏源电压[V]
T
C
,外壳温度[C]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
VS外壳温度
D=0.5
Z
θJC
(T ) ,热响应
10
0
0.2
0.1
0.05
*注意:
1. Z
θJC
(t) = 4.46
o
C / W最大。
2.占空比,D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θJC
(t)
10
-1
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
10
-3
10
-2
10
-5
t
2
10
1
10
-4
10
-2
10
-1
10
0
t
1
,方波脉冲持续时间(秒)
图11.瞬态热响应曲线
SEMIHOW REV.A0 , 2005年7月
HFS4N50
图12.栅极电荷测试电路波形&
50KΩ
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
DS
V
GS
Q
g
10V
V
GS
Q
gs
Q
gd
DUT
3mA
收费
图13.电阻开关测试电路波形&
V
DS
R
G
R
L
V
DD
( 0.5额定V
DS
)
V
DS
90%
10V
DUT
V
in
10%
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
图14.非钳位感应开关测试电路波形&
L
V
DS
V
DD
I
D
R
G
DUT
V
DD
BV
DSS
I
AS
BV
DSS
1
E
AS
= ---- L
L
I
AS2
--------------------
2
BV
DSS
-- V
DD
I
D
(t)
V
DS
(t)
t
p
10V
时间
SEMIHOW REV.A0 , 2005年7月
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