HFS3N80
2005年12月
BV
DSS
= 800 V
HFS3N80
800V N沟道MOSFET
特点
有创意的新设计
高级雪崩坚固的技术
强劲的栅极氧化层技术
非常低的固有电容
优良的开关特性
无与伦比的闸电荷： 17 NC （典型值）。
扩展安全工作区
低
DS （ ON）
： 4.0 Ω （典型值） @V
GS
=10V
100％的雪崩测试
R
DS （ ON） （典型值）
= 4.0 Ω
I
D
= 3.0 A
TO-220F
1
1
2
3
1.Gate 2.排水3.源
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
漏电流
漏电流
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
= 25 ℃除非另有规定
参数
价值
800
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W/℃
℃
℃
- 连续（T
C
= 25℃)
- 连续（T
C
= 100℃)
- 脉冲
（注1 ）
3.0*
1.9*
12*
±30
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
320
3.0
10.7
4.5
39
0.31
-55到+150
300
功率耗散（T
C
= 25℃)
-
减免上述25 °
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
*漏电流受最高结温
热阻特性
符号
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境
参数
典型值。
--
--
马克斯。
3.2
62.5
℃/W
单位
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2005年12月
HFS3N80
电气特性
T
C
=25
°C
符号
参数
除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大
单位
基本特征
V
GS
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.5 A
2.5
--
--
4.0
4.5
4.8
V
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
I
D
= 250
，引用to25 ℃
V
DS
= 800 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 640 V，T
C
= 125℃
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
800
--
--
--
--
--
--
0.99
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V/℃
ΔBV
DSS
击穿电压温度
系数
/ΔT
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，
前锋
门体漏电流，
反向
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
--
--
--
700
70
7
910
90
9
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
开启时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
（注4,5 ）
V
DS
= 400 V，I
D
= 3.0 A,
R
G
= 25
--
--
--
--
--
--
--
20
55
30
40
17
4.5
7.5
40
110
60
80
22
--
--
nC
nC
nC
V
DS
= 640V ，我
D
= 3.0 A,
V
GS
= 10 V
（注4,5 ）
源极 - 漏极二极管的最大额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
TRR
QRR
连续源极 - 漏极二极管的正向电流
脉冲源极 - 漏极二极管的正向电流
源极 - 漏极二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
= 3.0 A，V
GS
= 0 V
I
S
= 3.0 A，V
GS
= 0 V
di
F
/ DT = 100 A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
650
5.2
3.0
12
1.4
--
--
A
V
μC
注意事项;
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 67mH ，我
AS
= 3.0A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°C
3. I
SD
≤3.0A ，二/ dt≤200A / μs的，V
DD
ΔBV
DSS
，起始物为
J
=25
°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤ 300μS ，占空比≤ 2 ％
5.基本上是独立工作温度
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2005年12月
HFS3N80
典型特征
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图1.地区特点
图2.传输特性
I
DR
，反向漏电流[ A]
R
DS （ ON）
, []
漏源导通电阻
10
1
10
0
150
℃
25℃
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250μ s脉冲测试
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻变化VS
漏电流和栅极电压
1500
12
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
V
DS
= 160V
1200
V
GS
，栅源电压[V]
10
V
DS
= 400V
V
DS
= 640V
电容[ pF的]
C
国际空间站
900
8
C
OSS
600
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
6
4
300
C
RSS
2
※
注：我
D
= 3.0A
0
-1
10
0
10
0
10
1
0
4
8
12
16
20
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
图5.电容特性
图6.栅极电荷特性
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2005年12月
HFS3N80
典型特征
（续）
1.2
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 1.5 A
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 μ A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度
3.0
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
图8.导通电阻变化
与温度
10
1
100
s
2.5
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
3
1毫秒
10毫秒
10
0
2.0
100毫秒
DC
1.5
1.0
10
-1
*注意：
1. T
C
= 25
o
C
2. T
J
= 150
o
C
3.单脉冲
0.5
10
-2
10
0
10
1
10
2
0.0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
℃]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
VS外壳温度
D=0.5
Z
？ JC
热响应
(t),
10
0
0.2
0.1
0.05
10
-1
※
注意事项：
(t)
W
1. Z
？ JC
= 3.2
℃/
马克斯。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
？ JC
(t)
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
-3
10
-2
t
2
10
0
10
-5
10
-4
10
10
-2
10
-1
10
1
t
1
，方波脉冲持续时间（秒）
图11.瞬态热响应曲线
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2005年12月
HFS3N80
典型特征
1.2
（续）
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 1.5 A
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 μ A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度
图8.导通电阻变化
与温度
3.0
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
1
2.5
10
s
100
s
1毫秒
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
2.0
10
0
10毫秒
DC
1.5
1.0
10
-1
※
注意事项：
o
1. T
C
= 25 C
o
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
0.5
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
3
0.0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
℃]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
VS外壳温度
D=0.5
Z
？ JC
热响应
(t),
10
0
0.2
0.1
0.05
10
-1
※
注意事项：
(t)
W
1. Z
？ JC
= 3.2
℃/
马克斯。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
？ JC
(t)
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
-3
t
2
10
0
10
-2
10
-5
10
-4
10
10
-2
10
-1
10
1
t
1
，方波脉冲持续时间（秒）
图11.瞬态热响应曲线
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2005年12月
QQ：2881677436 复制
