【HFS12N65S2009年8月BVDSS= 650 VHFS12N65S650V N沟道MOSFE】,IC型号HFS12N65S,HFS12N65S PDF资料,HFS12N65S经销商,ic,电子元器件-51电子网

HFS12N65S

2009年8月

DSS

= 650 V

HFS12N65S

650V N沟道MOSFET

特点

有创意的新设计

高级雪崩坚固的技术

强劲的栅极氧化层技术

非常低的固有电容

优良的开关特性

无与伦比的闸电荷： 38 NC （典型值）。

扩展安全工作区

低

DS （ ON）

： 0.67 Ω （典型值） @V

=10V

100％的雪崩测试

DS （ ON）（典型值）

= 0.67 Ω

= 12 A

TO-220F

1.Gate 2.排水3.源

绝对最大额定值

符号

DSS

dv / dt的

, T

英镑

漏源电压

漏电流

栅源电压

= 25 ℃除非另有规定

参数

价值

650

单位

V / ns的

W/℃

℃

- 连续（T

= 25℃)

- 连续（T

= 100℃)

- 脉冲

（注1 ）

12*

7.4*

48*

±30

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功率耗散（T

= 25℃)

- 减免上述25 ℃

工作和存储温度范围

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

860

22.5

4.5

0.41

-55到+150

300

最大无铅焊接温度的目的，

1/8 ？从案例5秒

*漏电流受最高结温

热阻特性

符号

θJC

θJA

结到外壳

结到环境

参数

典型值。

马克斯。

2.43

62.5

℃/W

单位

◎

SEMIHOW REV.A0 ， 2009年8月

HFS12N65S

电气特性

=25

°C

符号

参数

除非另有说明

测试条件

民

典型值

最大

单位

基本特征

DS （ ON）

栅极阈值电压

静态漏源

导通电阻

= V

, I

= 250

= 10 V，I

= 6.0 A

2.0

0.67

4.0

0.78

开关特性

DSS

漏源击穿电压

= 0 V，I

= 250

参考25 ℃

= 650 V, V

= 0 V

= 520 V，T

= 125℃

= 30 V, V

= 0 V

= -30 V, V

= 0 V

650

0.5

100

-100

V/℃

ΔBV

DSS

击穿电压温度

/ΔT

系数

DSS

GSSF

GSSR

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，

前锋

门体漏电流，

反向

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

= 25 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

1835

185

2385

240

开关特性

D（上）

D（关闭）

开启时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

（注4,5 ）

= 325 V，I

= 12 A,

= 25

140

180

280

190

= 520V ，我

= 12 A,

= 10 V

（注4,5 ）

源极 - 漏极二极管的最大额定值和特性

TRR

QRR

连续源极 - 漏极二极管的正向电流

脉冲源极 - 漏极二极管的正向电流

源极 - 漏极二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

= 12.0 A，V

= 0 V

= 12.0 A，V

= 0 V

/ DT = 100 A / μs的

（注4 ）

420

4.9

1.4

μC

注意事项;

1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温

2， L = 11mH ，我

= 12A ，V

= 50V ，R

= 25Ω ，起始物为

=25°C

3. I

≤12A ，二/ dt≤200A / μs的，V

ΔBV

DSS

，起始物为

=25

°C

4.脉冲测试：脉冲宽度

≤ 300μS ，占空比≤ 2 ％

5.基本上是独立工作温度

◎

SEMIHOW REV.A0 ， 2009年8月

HFS12N65S

典型特征

，漏电流[ A]

，漏源电压[V]

，漏电流[ A]

，栅源电压[V]

图1.地区特点

图2.传输特性

2.0

1.5

= 10V

1.0

= 20V

0.5

*注：t

= 25

0.0

，反向漏电流[ A]

DS （ ON）

[],

漏源导通电阻

，漏电流[ A]

，源极 - 漏极电压[ V]

图3.导通电阻变化VS

漏电流和栅极电压

3500

3000

2500

国际空间站

= C

+ C

=短路）

OSS

= C

+ C

RSS

= C

图4.体二极管正向电压

变化与源电流

和温度

= 130V

，栅源电压[V]

国际空间站

= 325V

= 520V

电容[ pF的]

2000

OSS

1500

1000

500

-1

注意;

1. V

= 0 V

2. F = 1 MHz的

RSS

*注：我

= 12.0A

，漏源电压[V]

，总栅极电荷[ NC ]

图5.电容特性

图6.栅极电荷特性

◎

SEMIHOW REV.A0 ， 2009年8月

HFS12N65S

典型特征

（续）

2.5

DSS

（归一化）

漏源击穿电压

DS （ ON）

（归一化）

漏源导通电阻

2.0

1.5

1.0

0.5

*注意：

1. V

=10V

2. I

=6.0A

0.0

-100

-50

100

150

200

，结温[

，结温[C]

图7.击穿电压变化

与温度

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

图8.导通电阻变化

与温度

，漏电流[ A]

100

1毫秒

10毫秒

100毫秒

-1

*注意：

1. T

= 25

2. T

= 150

3.单脉冲

-2

100

125

150

，漏源电压[V]

，外壳温度[C]

图9.最高安全工作区

图10.最大漏极电流

VS外壳温度

θJC

（T ），热响应

D=0.5

0.2

0.1

-1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

*注意：

1. Z

θJC

(t) = 2.43

C / W最大。

2.占空比，D = T

3. T

- T

= P

* Z

θJC

(t)

-3

-2

-1

-2

-5

-4

，方波脉冲持续时间（秒）

图11.瞬态热响应曲线

◎

SEMIHOW REV.A0 ， 2009年8月

HFS12N65S

图12.栅极电荷测试电路波形&

50KΩ

12V

200nF

300nF

同一类型

作为DUT

10V

DUT

3mA

收费

图13.电阻开关测试电路波形&

（ 0.5额定V

)

90%

10V

DUT

10%

D（上）

D（关闭）

关闭

图14.非钳位感应开关测试电路波形&

DUT

DSS

= ---- L

AS2

--------------------

DSS

-- V

(t)

10V

时间

◎

SEMIHOW REV.A0 ， 2009年8月

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