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HFB1N60S
2009年9月
BV
DSS
= 600 V
HFB1N60S
600V N沟道MOSFET
特点
有创意的新设计
高级雪崩坚固的技术
强劲的栅极氧化层技术
非常低的固有电容
优良的开关特性
无与伦比的闸电荷: 3.0 NC (典型值)。
扩展安全工作区
DS ( ON)
: 10 Ω (典型值) @V
GS
=10V
100%的雪崩测试
R
DS ( ON) (典型值)
= 10 Ω
I
D
= 0.3 A
TO-92
1
3
1.Gate 2.排水3.源
D
2
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
漏源电压
漏电流
漏电流
漏电流
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散(T
A
= 25℃)
T
C
= 25 ℃除非另有规定
参数
价值
600
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W
W/℃
- 连续(T
C
= 25℃)
- 连续(T
C
= 100℃)
- 脉冲
(注1 )
0.3
0.18
1.2
±30
(注2 )
(注1 )
(注1 )
(注3)
33
0.3
0.3
4.5
0.9
2.5
0.02
-55到+150
300
功率耗散(T
L
= 25℃)
- 减免上述25 ℃
T
J
, T
英镑
T
L
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的,
1/8 ?从案例5秒
热阻特性
符号
R
θJL
R
θJA
结到铅
结到环境
参数
典型值。
--
--
马克斯。
50
140
℃/W
单位
SEMIHOW REV.A0 , 2009年9月
HFB1N60S
电气特性
T
C
=25
°C
符号
参数
除非另有说明
测试条件
典型值
最大
单位
基本特征
V
GS
R
DS ( ON)
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.15 A
2.0
--
--
10
4.0
12
V
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
I
D
= 250
,
引用to25 ℃
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V ,T
C
= 125℃
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
600
--
--
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
--
--
50
250
100
-100
V
V/℃
ΔBV
DSS
击穿电压温度
/ΔT
J
系数
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
零栅极电压漏极电流
门体漏电流,
前锋
门体漏电流,
反向
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
--
--
--
130
22
5.0
170
29
6.5
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
开启时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
(注4,5 )
V
DS
= 300 V,I
D
= 1.0 A,
R
G
= 25
--
--
--
--
--
--
--
7
21
13
27
3.0
0.5
1.3
24
52
36
64
4.0
--
--
nC
nC
nC
V
DS
= 480 V,I
D
= 1.0 A,
V
GS
= 10 V
(注4,5 )
源极 - 漏极二极管的最大额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
TRR
QRR
连续源极 - 漏极二极管的正向电流
脉冲源极 - 漏极二极管的正向电流
源极 - 漏极二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
= 0.3 A,V
GS
= 0 V
I
S
= 1.0 A,V
GS
= 0 V
di
F
/ DT = 100 A / μs的
(注4 )
--
--
--
--
--
--
--
--
190
0.53
0.3
1.2
1.4
--
--
A
V
μC
注意事项;
1.重复额定值:脉冲宽度有限的最高结温
2, L = 59mH ,我
AS
= 1.0A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 25Ω ,起始物为
J
=25°C
3. I
SD
≤0.3A ,二/ dt≤200A / μs的,V
DD
ΔBV
DSS
,起始物为
J
=25
°C
4.脉冲测试:脉冲宽度
≤ 300μS ,占空比≤ 2 %
5.基本上是独立工作温度
SEMIHOW REV.A0 , 2009年9月
HFB1N60S
典型特征
I
D
,漏电流[ A]
I
D
,漏电流[ A]
V
DS
,漏源电压[V]
V
GS
,栅源电压[V]
图1.地区特点
图2.传输特性
30
R
DS ( ON)
[],
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
20
15
10
V
GS
= 20V
5
*注:t
J
= 25
o
C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
D
,漏电流[ A]
I
DR
,反向漏电流[ A]
25
V
SD
,源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻变化VS
漏电流和栅极电压
250
12
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
V
GS
,栅源电压[V]
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路)
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
200
10
V
DS
= 120V
V
DS
= 300V
电容[ pF的]
150
C
国际空间站
8
V
DS
= 480V
6
100
C
OSS
*注;
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
4
50
C
RSS
0
10
-1
2
*注:我
D
= 1A
10
0
10
1
0
0
1
2
3
4
V
DS
,漏源电压[V]
Q
G
,总栅极电荷[ NC ]
图5.电容特性
图6.栅极电荷特性
SEMIHOW REV.A0 , 2009年9月
HFB1N60S
典型特征
(续)
3.0
BV
DSS
(归一化)
漏源击穿电压
R
DS ( ON)
(归一化)
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.5
1.0
注意:
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 0.15 A
0.5
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
,结温[
o
C]
T
J
,结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度
0.3
图8.导通电阻变化
与温度
I
D
,漏电流[ A]
I
D
,漏电流[ A]
0.2
0.1
0.0
25
50
75
100
o
125
150
V
DS
,漏源电压[V]
T
C
,外壳温度[C]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
VS外壳温度
Z
θJL
(T ) ,热响应
t
1
,方波脉冲持续时间(秒)
图11.瞬态热响应曲线
SEMIHOW REV.A0 , 2009年9月
HFB1N60S
图12.栅极电荷测试电路波形&
50KΩ
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
DS
V
GS
Q
g
10V
V
GS
Q
gs
Q
gd
DUT
3mA
收费
图13.电阻开关测试电路波形&
V
DS
R
G
R
L
V
DD
( 0.5额定V
DS
)
V
DS
90%
10V
DUT
V
in
10%
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
图14.非钳位感应开关测试电路波形&
L
V
DS
V
DD
I
D
R
G
DUT
V
DD
BV
DSS
I
AS
BV
DSS
1
E
AS
= ---- L
L
I
AS2
--------------------
2
BV
DSS
-- V
DD
I
D
(t)
V
DS
(t)
t
p
10V
时间
SEMIHOW REV.A0 , 2009年9月
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