HFA80FA120P
日前，Vishay高功率产品
HEXFRED
超快软恢复二极管， 80 A
特点
快速恢复时间特性
1
4
电隔离底板
终端之间的大爬距
简化机械设计，快速组装
UL待定
完全无铅（Pb ） - 免费
设计和工业级合格
RoHS指令
柔顺
SOT-227
2
3
说明/应用
产品概述
V
R
V
F
（典型值）
t
rr
（典型值）
I
F（ DC）的
在T
C
1200 V
2.6 V
25纳秒
40 A在78℃
双二极管串联配置（ HFA80FA120P ）用于
为输出整流或续流/夹紧动作
和高电压应用。
在SOT -227封装的半导体由分离
铜基板，允许普通散热器和
紧凑的组件来建造。
这些模块被用于一般应用，如
高压电源，电子焊工，马达控制和
逆变器。
绝对最大额定值
参数
阴极到阳极电压
连续正向电流
单脉冲正向电流
最大重复正向电流
最大功率耗散
RMS的隔离电压
工作结存储
温度范围
符号
V
R
I
F
I
FSM
I
FRM
P
D
V
ISOL
T
J
, T
英镑
T
C
= 78 °C
T
J
= 25 °C
为V
R,
方波， 20千赫，T
C
= 60 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
任何终端的情况下， T = 1分
测试条件
马克斯。
1200
40
400
72
178
71
2500
- 55至+ 150
W
V
°C
A
单位
V
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
阴极到阳极
击穿电压
符号
V
BR
I
R
= 100 A
I
F
= 25 A
正向电压
V
FM
I
F
= 40 A
I
F
= 80 A，T
J
= 125 °C
反向漏电流
结电容
I
RM
C
T
V
R
= V
R
评级
T
J
= 125°C ，V
R
= 0.8× V
R
评级
V
R
= 200 V
SEE图。 2
参见图。 3
参见图。 1
测试条件
分钟。
1200
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
2.6
2.9
3.4
2.0
0.5
43
马克斯。
-
3.0
3.3
-
-
2
-
A
mA
pF
V
单位
文档编号： 94075
修订： 28 - 8 - 08
如有技术问题，请联系： ind-modules@vishay.com
www.vishay.com
1
HFA80FA120P
日前，Vishay高功率产品
HEXFRED
超快软恢复
二极管， 80 A
测试条件
I
F
= 1.0 ，二
F
/ DT = 200 A / μs的，V
R
= 30 V
反向恢复时间
t
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
Q
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 40 A
dI
F
/ DT = - 200 A / μs的
V
R
= 200 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
25
52
110
5.9
10.8
160
630
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
A
ns
单位
动态恢复特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
反向恢复电荷
nC
热 - 机械特性
参数
结到外壳，单腿开展
结到外壳，两条腿进行
案件散热器
重量
安装力矩
符号
R
thJC
R
乡镇卫生院
平，脂及表面
测试条件
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
0.05
30
1.3
马克斯。
0.7
0.35
-
-
-
g
Nm
° C / W
单位
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系： ind-modules@vishay.com
文档编号： 94075
修订： 28 - 8 - 08
HFA80FA120P
HEXFRED
超快软恢复
二极管， 80 A
100
10
日前，Vishay高功率产品
I
R
- 反向电流（ μA ）
T
J
= 150 °C
1
I
F
- 瞬时
正向电流（ A）
T
J
= 125 °C
0.1
10
0.01
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
0.001
T
J
= 25 °C
1
1.0
0.0001
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
200
400
600
800
1000
1200
V
F
- 正向压降（ V）
图。 1 - 典型正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
C
T
- 结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
100
10
1
10
100
1000
10 000
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
1
0.1
P
DM
0.01
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
t
1
t
2
0.001
单脉冲
（热电阻）
0.0001
0.00001
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
.
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
1
.
10
0.0001
0.001
0.01
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
文档编号： 94075
修订： 28 - 8 - 08
如有技术问题，请联系： ind-modules@vishay.com
www.vishay.com
3
HFA80FA120P
日前，Vishay高功率产品
160
HEXFRED
超快软恢复
二极管， 80 A
140
120
100
允许外壳温度（ ℃）
140
120
100
I
F
= 40 A，T
J
= 125 °C
I
F
= 20 A，T
J
= 125 °C
DC
80
60
40
20
t
rr
（纳秒）
80
60
40
方
WAVE
(D = 0.50)
I
F
= 40 A，T
J
= 25 °C
I
F
= 20 A，T
J
= 25 °C
见注（ 1 ）
0
0
10
20
30
40
50
60
70
20
100
1000
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 7 - 典型的反向恢复时间与迪
F
/ DT
200
180
1800
RMS限制
平均功耗（ W）
1600
1400
160
140
120
100
80
60
40
20
0
DC
1200
I
F
= 40 A，T
J
= 125 °C
I
F
= 20 A，T
J
= 125 °C
Q
rr
（ NC ）
1000
800
600
400
200
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
0
10
20
30
40
50
60
I
F
= 40 A，T
J
= 25 °C
I
F
= 20 A，T
J
= 25 °C
0
100
1000
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
(1)
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
www.vishay.com
4
如有技术问题，请联系： ind-modules@vishay.com
文档编号： 94075
修订： 28 - 8 - 08
HFA80FA120P
HEXFRED
超快软恢复
二极管， 80 A
V
R
= 200
V
日前，Vishay高功率产品
0.01
Ω
L = 70
H
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 9 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
（ REC ）M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
（1）的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
来点
哪里
线传球
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4) Q
rr
- 区域
下
曲线定义
by
t
rr
我
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
（5）的dI
（ REC ）M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 10 - 反向恢复波形和定义
文档编号： 94075
修订： 28 - 8 - 08
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5
HFA80FA120P
威世半导体
HEXFRED
超快软恢复二极管， 80 A
特点
快速恢复时间特性
电隔离底板
终端之间的大爬距
简化机械设计，快速组装
UL认证文件E78996
SOT-227
符合RoHS指令2002/95 / EC
设计和工业级合格
说明/应用
产品概述
V
R
V
F
（典型值）
t
rr
（典型值）
I
F（ DC）的
在T
C
1200 V
2.6 V
25纳秒
40 A在78℃
双二极管串联配置（ HFA80FA120P ）用于
为输出整流或续流/夹紧动作
和高电压应用。
在SOT -227封装的半导体由分离
铜基板，允许普通散热器和
紧凑的组件来建造。
这些模块被用于这样的一般应用
如高压电源，电子焊工，马达控制和
逆变器。
绝对最大额定值
参数
阴极到阳极电压
连续正向电流
单脉冲正向电流
最大重复正向电流
最大功率耗散
RMS的隔离电压
工作结存储
温度范围
符号
V
R
I
F
I
FSM
I
FRM
P
D
V
ISOL
T
J
, T
英镑
T
C
= 78 °C
T
J
= 25 °C
为V
R,
方波， 20千赫，T
C
= 60 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
任何终端的情况下， T = 1分
测试条件
马克斯。
1200
40
400
72
178
71
2500
- 55至+ 150
W
V
°C
A
单位
V
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
阴极到阳极
击穿电压
符号
V
BR
I
R
= 100 μA
I
F
= 25 A
正向电压
V
FM
I
F
= 40 A
I
F
= 80 A，T
J
= 125 °C
反向漏电流
结电容
I
RM
C
T
V
R
= V
R
评级
T
J
= 125°C ，V
R
= 0.8× V
R
评级
V
R
= 200 V
SEE图。 2
参见图。 3
参见图。 1
测试条件
分钟。
1200
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
2.6
2.9
3.4
2.0
0.5
43
马克斯。
-
3.0
3.3
-
-
2
-
μA
mA
pF
V
单位
文档编号： 94075
修订： 22 10年7月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
HFA80FA120P
威世半导体
HEXFRED
超快软恢复二极管， 80 A
动态恢复特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
测试条件
I
F
= 1.0 ，二
F
/ DT = 200 A / μs的，V
R
= 30 V
反向恢复时间
t
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
Q
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 40 A
dI
F
/ DT = - 200 A / μs的
V
R
= 200 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
25
52
110
5.9
10.8
160
630
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
A
ns
单位
反向恢复电荷
nC
热 - 机械特性
参数
结到外壳，单腿开展
结到外壳，两条腿进行
案件散热器
重量
安装力矩
符号
R
thJC
R
乡镇卫生院
平，脂及表面
测试条件
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
0.05
30
1.3
马克斯。
0.7
0.35
-
-
-
g
Nm
° C / W
单位
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
文档编号： 94075
修订： 22 10年7月
HFA80FA120P
HEXFRED
威世半导体
超快软恢复二极管， 80 A
100
10
I
R
- 反向电流（ μA ）
T
J
= 150 °C
1
I
F
- 瞬时
正向电流（ A）
T
J
= 125 °C
0.1
10
0.01
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
0.001
T
J
= 25 °C
1
1.0
0.0001
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
200
400
600
800
1000
1200
V
F
- 正向压降（ V）
图。 1 - 典型正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
C
T
- 结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
100
10
1
10
100
1000
10 000
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
1
0.1
P
DM
0.01
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
t
1
t
2
0.001
单脉冲
（热电阻）
0.0001
0.00001
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
.
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
1
.
10
0.0001
0.001
0.01
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
文档编号： 94075
修订： 22 10年7月
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3
HFA80FA120P
威世半导体
160
HEXFRED
超快软恢复二极管， 80 A
140
120
100
允许外壳温度（ ℃）
140
120
100
I
F
= 40 A，T
J
= 125 °C
I
F
= 20 A，T
J
= 125 °C
DC
80
60
40
20
t
rr
（纳秒）
80
60
40
方波
(D = 0.50)
I
F
= 40 A，T
J
= 25 °C
I
F
= 20 A，T
J
= 25 °C
见注（ 1 ）
0
0
10
20
30
40
50
60
70
20
100
1000
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
200
180
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 7 - 典型的反向恢复时间与迪
F
/ DT
1800
RMS限制
平均功耗（ W）
1600
1400
160
140
120
100
80
60
40
20
0
DC
1200
I
F
= 40 A，T
J
= 125 °C
I
F
= 20 A，T
J
= 125 °C
Q
rr
（ NC ）
1000
800
600
400
200
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
0
10
20
30
40
50
60
I
F
= 40 A，T
J
= 25 °C
I
F
= 20 A，T
J
= 25 °C
0
100
1000
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
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4
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文档编号： 94075
修订： 22 10年7月
HFA80FA120P
HEXFRED
威世半导体
超快软恢复二极管， 80 A
V
R
= 200 V
0.01
Ω
L = 70 μH
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 9 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
（ REC ）M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
（1）的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
以点线通过
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4)
Q
rr
- 曲线下面积由T定义
rr
我
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
（5）的dI
（ REC ）M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 10 - 反向恢复波形和定义
文档编号： 94075
修订： 22 10年7月
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