HFA3046 ， HFA3096 ， HFA3127 ， HFA3128
数据表
2005年12月21日
FN3076.13
超高频晶体管阵列
该HFA3046 ， HFA3096 ， HFA3127和HFA3128是
这是捏造超高频晶体管阵列
来自Intersil公司的互补双极型UHF- 1
流程。每个阵列包括五个介质隔离
晶体管在一个共同的整体式载体上。该NPN
晶体管表现出A F
T
8GHz的的，而PNP晶体管
提供A F
T
的5.5GHz 。这两种类型的具有低噪声（ 3.5分贝）
非常适用于高频放大器和混频器
应用程序。
该HFA3046和HFA3127都是NPN阵列而
HFA3128拥有所有PNP晶体管。该HFA3096是
NPN - PNP组合。访问被提供给各
为获得最大的单个晶体管端子
应用的灵活性。这些单片式结构
晶体管阵列提供了紧密的电和热
五晶体管的匹配。
Intersil公司提供的应用笔记说明使用
这些设备的射频放大器。欲了解更多信息，请访问：
我们的网站： www.intersil.com 。
特点
NPN晶体管（F
T
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8GHz的
NPN电流增益（H
FE
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
NPN早电压（V
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
PNP晶体管（F
T
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.5GHz
PNP电流增益（H
FE
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
PNP早电压（V
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20V
噪声系数（ 50Ω ） ，在1.0GHz时。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.5分贝
收集器收集泄漏。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .<1pA
晶体管之间的完全隔离
引脚兼容行业标准3XXX系列
阵列
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
VHF / UHF放大器
VHF / UHF搅拌机
IF转换器
同步检波器
订购信息
零件号*
HFA3046B
HFA3046BZ （注）
HFA3096B
HFA3096BZ （注）
HFA3127B
HFA3127BZ （注）
HFA3127R
HFA3127RZ （注）
HFA3128B
HFA3128BZ （注）
HFA3128R
HFA3128RZ （注）
最热
HFA3046B
HFA3046BZ
HFA3096B
HFA3096BZ
HFA3127B
HFA3127BZ
127
127Z
HFA3128B
HFA3128BZ
128
128Z
TEMP 。范围（° C）
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC （无铅）
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC （无铅）
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC （无铅）
16 Ld的3x3 QFN封装
16 Ld的3x3 QFN封装（无铅）
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC （无铅）
16 Ld的3x3 QFN封装
16 Ld的3x3 QFN封装（无铅）
PKG 。 DWG 。 ＃
M14.15
M14.15
M16.15
M16.15
M16.15
M16.15
L16.3x3
L16.3x3
M16.15
M16.15
L16.3x3
L16.3x3
*添加“ 96 ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲1998年， 2005年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HFA3046 ， HFA3096 ， HFA3127 ， HFA3128
引脚配置
HFA3046
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
Q
3
Q
2
Q
1
Q
5
14
13
12
11
Q
4
10
9
8
1
2
3
4
5
6
7
8
Q
3
Q
2
Q
4
Q
1
Q
5
HFA3096
顶视图
16 NC
15
14
13
12
11
10
9
1
2
3
4
NC 5
6
7
8
HFA3127
顶视图
Q
1
16
15
14
13
12
11
Q
3
Q
4
10
9
1
2
3
4
NC 5
6
7
8
HFA3128
顶视图
Q
1
16
15
14
13
12
11
Q
3
Q
4
10
9
Q
2
Q
5
Q
2
Q
5
HFA3127 ， HFA3128
顶视图
Q2C
Q1C
Q1B
13
12 Q5B
11 Q5E
10 Q5C
9
5
Q3E
6
Q3B
7
Q4B
8
Q4E
Q4C
Q1E
14
16
Q2E 1
Q2B 2
NC 3
Q3C 4
15
2
FN3076.13
2005年12月21日
HFA3046 ， HFA3096 ， HFA3127 ， HFA3128
绝对最大额定值
集电极到发射极电压（开基） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8V
集电极基极电压（发射极输出） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12V
发射器基极电压（反向偏置） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.5V
集电极电流（ 100 ％占空比） 。 。 。 。 。 。 18.5毫安在T
J
= 150°C
34毫安在T
J
= 125°C
37毫安在T
J
= 110°C
峰值集电极电流（任何条件） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 65毫安
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
14 Ld的SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。
120
不适用
16 Ld的SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。
115
不适用
QFN封装（注2，注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
57
10
最大功率耗散（任何一个晶体管） 。 。 。 。 。 。 。 。 0.15W
最高结温（死亡）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175℃
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SOIC - 只会提示）
工作信息
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
2.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
3.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
参数
DC NPN特性
集电极基极击穿
电压，V
（ BR ） CBO
集电极到发射极击穿
电压，V
（ BR ） CEO
集电极到发射极击穿
电压，V
（ BR ） CES
发射器基极击穿
电压，V
（ BR ） EBO
集电极截止电流，我
首席执行官
集电极截止电流，我
CBO
集电极到发射极饱和
电压，V
CE （ SAT ）
基地发射极电压，V
BE
直流正向电流传输
比，H
FE
早期的电压，V
A
基地发射极电压漂移
集热器集热器泄漏
T
A
= 25°C
DIE
测试条件
民
典型值
最大
民
SOIC ， QFN
典型值
最大
单位
I
C
= 100μA ，我
E
= 0
I
C
= 100μA ，我
B
= 0
I
C
= 100μA ，基地短路到发射极
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 6V ，我
B
= 0
V
CB
= 8V ，我
E
= 0
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 10毫安，V
CE
= 2V
I
C
= 1mA时， V
CE
= 3.5V
I
C
= 10毫安
12
8
10
5.5
-
-
-
-
40
20
-
-
18
12
20
6
2
0.1
0.3
0.85
130
50
-1.5
1
-
-
-
-
100
10
0.5
0.95
-
-
-
-
12
8
10
5.5
-
-
-
-
40
20
-
-
18
12
20
6
2
0.1
0.3
0.85
130
50
-1.5
1
-
-
-
-
100
10
0.5
0.95
-
-
-
-
V
V
V
V
nA
nA
V
V
V
毫伏/°C的
pA
电气规格
参数
T
A
= 25°C
DIE
测试条件
民
典型值
最大
民
SOIC ， QFN
典型值
最大
单位
动态特性NPN
噪声系数
f
T
电流增益带宽
产品
F = 1.0GHz的，V
CE
= 5V,
I
C
= 5毫安，Z
S
= 50
I
C
= 1mA时， V
CE
= 5V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
-
-
-
3.5
5.5
8
-
-
-
-
-
-
3.5
5.5
8
-
-
-
dB
GHz的
GHz的
3
FN3076.13
2005年12月21日
HFA3046 ， HFA3096 ， HFA3127 ， HFA3128
电气规格
参数
功率增益带宽积，
f
最大
基地发射极电容
集电极基极电容
T
A
= 25°C
（续）
DIE
测试条件
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
V
BE
= -3V
V
CB
= 3V
T
A
= 25°C
DIE
参数
DC PNP特性
集电极基极击穿
电压，V
（ BR ） CBO
集电极到发射极击穿
电压，V
（ BR ） CEO
集电极到发射极击穿
电压，V
（ BR ） CES
发射器基极击穿
电压，V
（ BR ） EBO
集电极截止目前，我
首席执行官
集电极截止目前，我
CBO
集电极到发射极饱和
电压，V
CE （ SAT ）
基地发射极电压，V
BE
直流正向电流传输
比，H
FE
早期的电压，V
A
基地发射极电压漂移
集热器集热器泄漏
I
C
= -100μA ，我
E
= 0
I
C
= -100μA ，我
B
= 0
I
C
= -100μA ，基地短路到发射极
I
E
= -10μA ，我
C
= 0
V
CE
= -6V ，我
B
= 0
V
CB
= -8V ，我
E
= 0
I
C
= -10mA ，我
B
= -1mA
I
C
= -10mA
I
C
= -10mA ，V
CE
= -2V
I
C
= -1mA ，V
CE
= -3.5V
I
C
= -10mA
10
8
10
4.5
-
-
-
-
20
10
-
-
T
A
= 25°C
DIE
参数
动态PNP特性
噪声系数
f
T
电流增益带宽
产品
功率增益带宽
产品
基地发射极电容
集电极基极电容
F = 1.0GHz的，V
CE
= -5V,
I
C
= -5mA ，Z
S
= 50
I
C
= -1mA ，V
CE
= -5V
I
C
= -10mA ，V
CE
= -5V
I
C
= -10mA ，V
CE
= -5V
V
BE
= 3V
V
CB
= -3V
-
-
-
-
-
-
3.5
2
5.5
3
200
300
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.5
2
5.5
2
500
600
-
-
-
-
-
-
dB
GHz的
GHz的
GHz的
fF
fF
测试条件
民
典型值
最大
民
SOIC ， QFN
典型值
最大
单位
15
15
15
5
2
0.1
0.3
0.85
60
20
-1.5
1
-
-
-
-
100
10
0.5
0.95
-
-
-
-
10
8
10
4.5
-
-
-
-
20
10
-
-
15
15
15
5
2
0.1
0.3
0.85
60
20
-1.5
1
-
-
-
-
100
10
0.5
0.95
-
-
-
-
V
毫伏/°C的
pA
V
V
V
V
nA
nA
V
V
测试条件
民
典型值
最大
民
SOIC ， QFN
典型值
最大
单位
民
-
-
-
典型值
6
200
200
最大
-
-
-
民
-
-
-
SOIC ， QFN
典型值
2.5
500
500
最大
-
-
-
单位
GHz的
fF
fF
电气规格
电气规格
4
FN3076.13
2005年12月21日
HFA3046 ， HFA3096 ， HFA3127 ， HFA3128
电气规格
T
A
= 25°C
（续）
DIE
参数
测试条件
民
典型值
最大
民
SOIC ， QFN
典型值
最大
单位
差分对的匹配特性为HFA3046
输入失调电压
输入失调电流
输入失调电压TC
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
-
-
-
1.5
5
0.5
5.0
25
-
-
-
-
1.5
5
0.5
5.0
25
-
mV
A
μV/°C
S参数和PSPICE模型数据可从Intersil的销售办事处和Intersil公司的网站。
NPN型3的共发射极S参数
m
x 50
m
晶体管
频率。 （赫兹）
|S
11
|
PHASE （S
11
)
|S
21
|
PHASE （S
21
)
|S
12
|
PHASE （S
12
)
|S
22
|
PHASE （S
22
)
V
CE
= 5V和我
C
= 5毫安
1.0E+08
2.0E+08
3.0E+08
4.0E+08
5.0E+08
6.0E+08
7.0E+08
8.0E+08
9.0E+08
1.0E+09
1.1E+09
1.2E+09
1.3E+09
1.4E+09
1.5E+09
1.6E+09
1.7E+09
1.8E+09
1.9E+09
2.0E+09
2.1E+09
2.2E+09
2.3E+09
2.4E+09
2.5E+09
2.6E+09
2.7E+09
2.8E+09
2.9E+09
3.0E+09
0.83
0.79
0.73
0.67
0.61
0.55
0.50
0.46
0.42
0.39
0.36
0.34
0.32
0.30
0.28
0.27
0.25
0.24
0.23
0.22
0.21
0.20
0.20
0.19
0.18
0.18
0.17
0.17
0.16
0.16
-11.78
-22.82
-32.64
-41.08
-48.23
-54.27
-59.41
-63.81
-67.63
-70.98
-73.95
-76.62
-79.04
-81.25
-83.28
-85.17
-86.92
-88.57
-90.12
-91.59
-92.98
-94.30
-95.57
-96.78
-97.93
-99.05
-100.12
-101.15
-102.15
-103.11
11.07
10.51
9.75
8.91
8.10
7.35
6.69
6.11
5.61
5.17
4.79
4.45
4.15
3.89
3.66
3.45
3.27
3.10
2.94
2.80
2.68
2.56
2.45
2.35
2.26
2.18
2.10
2.02
1.96
1.89
168.57
157.89
148.44
140.36
133.56
127.88
123.10
119.04
115.57
112.55
109.91
107.57
105.47
103.57
101.84
100.26
98.79
97.43
96.15
94.95
93.81
92.73
91.70
90.72
89.78
88.87
88.00
87.15
86.33
85.54
1.41E-02
2.69E-02
3.75E-02
4.57E-02
5.19E-02
5.65E-02
6.00E-02
6.27E-02
6.47E-02
6.63E-02
6.75E-02
6.85E-02
6.93E-02
7.00E-02
7.05E-02
7.10E-02
7.13E-02
7.17E-02
7.19E-02
7.21E-02
7.23E-02
7.25E-02
7.27E-02
7.28E-02
7.29E-02
7.30E-02
7.31E-02
7.31E-02
7.32E-02
7.32E-02
78.88
68.63
59.58
51.90
45.50
40.21
35.82
32.15
29.07
26.45
24.19
22.24
20.53
19.02
17.69
16.49
15.41
14.43
13.54
12.73
11.98
11.29
10.64
10.05
9.49
8.96
8.47
8.01
7.57
7.16
0.97
0.93
0.86
0.79
0.73
0.67
0.62
0.57
0.53
0.50
0.47
0.45
0.43
0.41
0.40
0.39
0.38
0.37
0.36
0.35
0.35
0.34
0.34
0.33
0.33
0.33
0.33
0.33
0.33
0.33
-11.05
-21.35
-30.44
-38.16
-44.59
-49.93
-54.37
-58.10
-61.25
-63.96
-66.31
-68.37
-70.19
-71.83
-73.31
-74.66
-75.90
-77.05
-78.12
-79.13
-80.09
-80.99
-81.85
-82.68
-83.47
-84.23
-84.97
-85.68
-86.37
-87.05
5
FN3076.13
2005年12月21日
HFA3046 ， HFA3096 ，
HFA3127 ， HFA3128
数据表
1998年10月
文件编号3076.10
超高频晶体管阵列
该HFA3046 ， HFA3096 ， HFA3127和HFA3128是
这是捏造超高频晶体管阵列
来自Intersil公司的互补双极型UHF- 1
流程。每个阵列包括五个介质隔离
晶体管在一个共同的整体式载体上。该NPN
晶体管表现出A F
T
8GHz的的，而PNP晶体管
提供A F
T
的5.5GHz 。这两种类型的具有低噪声（ 3.5分贝）
非常适用于高频放大器和混频器
应用程序。
该HFA3046和HFA3127都是NPN阵列而
HFA3128拥有所有PNP晶体管。该HFA3096是NPN-
PNP组合。访问被提供给各
为获得最大的单个晶体管端子
应用程序的灵活性。这些单片式结构
晶体管阵列提供了紧密的电和热
该网络的匹配已经晶体管。
对于PSPICE模型，请向AnswerFAX文件
数663046. Intersil公司还提供了一个应用说明
示出了使用这些设备作为射频放大器商
（要求AnswerFAX文档99315 ） 。
特点
NPN晶体管（F
T
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8GHz的
NPN电流增益（H
FE
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
NPN早电压（V
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
PNP晶体管（F
T
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.5GHz
PNP电流增益（H
FE
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
PNP早电压（V
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
噪声系数（ 50Ω ） ，在1.0GHz时。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.5分贝
收集到收集泄漏。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <1pA
晶体管之间的完全隔离
引脚兼容行业标准3XXX系列
阵列
应用
VHF / UHF放大器器
VHF / UHF搅拌机
IF转换器
同步检波器
订购信息
产品型号
HFA3046B
HFA3096B
HFA3127B
HFA3128B
温度。
RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
PKG 。
号
M14.15
M16.15
M16.15
M16.15
引脚配置
HFA3046
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
Q
3
Q
2
Q
1
Q
5
14
13
12
11
5
Q
4
10
9
8
6
7
8
Q
3
1
2
3
4
Q
2
Q
4
Q
1
Q
5
HFA3096
顶视图
16 NC
15
14
13
12
11
10
9
1
2
3
4
NC 5
6
7
8
HFA3127
顶视图
16
Q
1
15
14
Q
2
Q
5
13
12
11
10
Q
3
Q
4
9
1
2
3
4
NC 5
6
7
8
HFA3128
顶视图
16
Q
1
15
14
Q
2
Q
5
13
12
11
10
Q
3
Q
4
9
3-447
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
HFA3046 ， HFA3096 ， HFA3127 ， HFA3128
绝对最大额定值
集电极到发射极电压（开基） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8V
集电极基极电压（发射极输出） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12V
发射器基极电压（反向偏置） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.5V
集电极电流（ 100 ％占空比） 。 。 。 。 。 18.5毫安在T
J
= 150
o
C
34毫安在T
J
= 125
o
C
37毫安在T
J
= 110
o
C
峰值集电极电流（任何条件） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 65毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
14 Ld的SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
120
16 Ld的SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
最大功率耗散（任何一个晶体管） 。 。 。 。 。 。 。 。 0.15W
最高结温（死亡）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作信息
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
T
A
= 25
o
C
DIE
SOIC
最大
民
典型值
最大
单位
参数
DC NPN特性
集电极 - 基极击穿
电压，V
（ BR ） CBO
集电极 - 发射极击穿
电压，V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿
电压，V
（ BR ） CES
发射极 - 基极击穿
电压，V
（ BR ） EBO
集电极截止电流，我
首席执行官
集电极截止电流，我
CBO
集电极 - 发射极饱和
电压，V
CE （ SAT ）
基极 - 发射极电压，V
BE
直流正向电流传输
比，H
FE
早期的电压，V
A
基极 - 发射极电压漂移
集电极 - 收集泄漏
测试条件
民
典型值
I
C
= 100μA ，我
E
= 0
I
C
= 100μA ，我
B
= 0
I
C
= 100μA ，基地短路到发射极
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 6V ，我
B
= 0
V
CB
= 8V ，我
E
= 0
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 10毫安
V
CE
= 2V
I
C
= 1mA时， V
CE
= 3.5V
I
C
= 10毫安
12
8
10
5.5
-
-
-
-
40
20
-
-
18
12
20
6
2
0.1
0.3
0.85
130
50
-1.5
1
-
-
-
-
100
10
0.5
0.95
-
-
-
-
12
8
10
5.5
-
-
-
-
40
20
-
-
18
12
20
6
2
0.1
0.3
0.85
130
50
-1.5
1
-
-
-
-
100
10
0.5
0.95
-
-
-
-
V
V
V
V
nA
nA
V
V
V
毫伏/
o
C
pA
电气连接特定的阳离子
T
A
= 25
o
C
DIE
SOIC
最大
民
典型值
最大
单位
参数
动态特性NPN
噪声系数
f
T
电流增益带宽
产品
功率增益带宽积，
f
最大
测试条件
民
典型值
F = 1.0GHz的，V
CE
= 5V,
I
C
= 5毫安，Z
S
= 50
I
C
= 1mA时， V
CE
= 5V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
-
-
-
-
3.5
5.5
8
6
-
-
-
-
-
-
-
-
3.5
5.5
8
2.5
-
-
-
-
dB
GHz的
GHz的
GHz的
3-448
HFA3046 ， HFA3096 ， HFA3127 ， HFA3128
电气连接特定的阳离子
T
A
= 25
o
C
（续）
DIE
参数
基极 - 发射极电容
集电极 - 基极电容
测试条件
V
BE
= -3V
V
CB
= 3V
T
A
= 25
o
C
DIE
参数
DC PNP特性
集电极 - 基极击穿
电压，V
（ BR ） CBO
集电极 - 发射极击穿
电压，V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿
电压，V
（ BR ） CES
发射极 - 基极击穿
电压，V
（ BR ） EBO
集电极截止电流，我
首席执行官
集电极截止电流，我
CBO
集电极 - 发射极饱和
电压，V
CE （ SAT ）
基极 - 发射极电压，V
BE
直流正向电流传输
比，H
FE
早期的电压，V
A
基极 - 发射极电压漂移
集电极 - 收集泄漏
I
C
= -100μA ，我
E
= 0
I
C
= -100μA ，我
B
= 0
I
C
= -100μA ，基地短路到发射极
I
E
= -10μA ，我
C
= 0
V
CE
= -6V ，我
B
= 0
V
CB
= -8V ，我
E
= 0
I
C
= -10mA ，我
B
= -1mA
I
C
= -10mA
I
C
= -10mA ，V
CE
= -2V
I
C
= -1mA ，V
CE
= -3.5V
I
C
= -10mA
10
8
10
4.5
-
-
-
-
20
10
-
-
T
A
= 25
o
C
DIE
参数
动态PNP特性
噪声系数
f
T
电流增益带宽
产品
功率增益带宽
产品
基极 - 发射极电容
集电极 - 基极电容
F = 1.0GHz的，V
CE
= -5V,
I
C
= -5mA ，Z
S
= 50
I
C
= -1mA ，V
CE
= -5V
I
C
= -10mA ，V
CE
= -5V
I
C
= -10mA ，V
CE
= -5V
V
BE
= 3V
V
CB
= -3V
-
-
-
-
-
-
3.5
2
5.5
3
200
300
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.5
2
5.5
2
500
600
-
-
-
-
-
-
dB
GHz的
GHz的
GHz的
fF
fF
测试条件
民
典型值
最大
民
SOIC
典型值
最大
单位
15
15
15
5
2
0.1
0.3
0.85
60
20
-1.5
1
-
-
-
-
100
10
0.5
0.95
-
-
-
-
10
8
10
4.5
-
-
-
-
20
10
-
-
15
15
15
5
2
0.1
0.3
0.85
60
20
-1.5
1
-
-
-
-
100
10
0.5
0.95
-
-
-
-
V
毫伏/
o
C
pA
V
V
V
V
nA
nA
V
V
测试条件
民
典型值
最大
民
SOIC
典型值
最大
单位
民
-
-
典型值
200
200
最大
-
-
民
-
-
SOIC
典型值
500
500
最大
-
-
单位
fF
fF
电气连接特定的阳离子
电气连接特定的阳离子
3-449
HFA3046 ， HFA3096 ， HFA3127 ， HFA3128
电气连接特定的阳离子
T
A
= 25
o
C
DIE
参数
测试条件
民
典型值
最大
民
SOIC
典型值
最大
单位
差分对的匹配特性为HFA3046
输入失调电压
输入失调电流
输入失调电压TC
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
-
-
-
1.5
5
0.5
5.0
25
-
-
-
-
1.5
5
0.5
5.0
25
-
mV
A
V/
o
C
S参数和PSPICE模型数据可从Intersil公司的销售网络CES上，而Intersil公司的网站。
NPN型3的共发射极S参数
米× 50
米晶体管
频率。 （赫兹）
|S
11
|
PHASE （S
11
)
|S
21
|
PHASE （S
21
)
|S
12
|
PHASE （S
12
)
|S
22
|
PHASE （S
22
)
V
CE
= 5V和我
C
= 5毫安
1.0E+08
2.0E+08
3.0E+08
4.0E+08
5.0E+08
6.0E+08
7.0E+08
8.0E+08
9.0E+08
1.0E+09
1.1E+09
1.2E+09
1.3E+09
1.4E+09
1.5E+09
1.6E+09
1.7E+09
1.8E+09
1.9E+09
2.0E+09
2.1E+09
2.2E+09
2.3E+09
2.4E+09
2.5E+09
2.6E+09
2.7E+09
2.8E+09
2.9E+09
3.0E+09
0.83
0.79
0.73
0.67
0.61
0.55
0.50
0.46
0.42
0.39
0.36
0.34
0.32
0.30
0.28
0.27
0.25
0.24
0.23
0.22
0.21
0.20
0.20
0.19
0.18
0.18
0.17
0.17
0.16
0.16
-11.78
-22.82
-32.64
-41.08
-48.23
-54.27
-59.41
-63.81
-67.63
-70.98
-73.95
-76.62
-79.04
-81.25
-83.28
-85.17
-86.92
-88.57
-90.12
-91.59
-92.98
-94.30
-95.57
-96.78
-97.93
-99.05
-100.12
-101.15
-102.15
-103.11
11.07
10.51
9.75
8.91
8.10
7.35
6.69
6.11
5.61
5.17
4.79
4.45
4.15
3.89
3.66
3.45
3.27
3.10
2.94
2.80
2.68
2.56
2.45
2.35
2.26
2.18
2.10
2.02
1.96
1.89
168.57
157.89
148.44
140.36
133.56
127.88
123.10
119.04
115.57
112.55
109.91
107.57
105.47
103.57
101.84
100.26
98.79
97.43
96.15
94.95
93.81
92.73
91.70
90.72
89.78
88.87
88.00
87.15
86.33
85.54
1.41E-02
2.69E-02
3.75E-02
4.57E-02
5.19E-02
5.65E-02
6.00E-02
6.27E-02
6.47E-02
6.63E-02
6.75E-02
6.85E-02
6.93E-02
7.00E-02
7.05E-02
7.10E-02
7.13E-02
7.17E-02
7.19E-02
7.21E-02
7.23E-02
7.25E-02
7.27E-02
7.28E-02
7.29E-02
7.30E-02
7.31E-02
7.31E-02
7.32E-02
7.32E-02
78.88
68.63
59.58
51.90
45.50
40.21
35.82
32.15
29.07
26.45
24.19
22.24
20.53
19.02
17.69
16.49
15.41
14.43
13.54
12.73
11.98
11.29
10.64
10.05
9.49
8.96
8.47
8.01
7.57
7.16
0.97
0.93
0.86
0.79
0.73
0.67
0.62
0.57
0.53
0.50
0.47
0.45
0.43
0.41
0.40
0.39
0.38
0.37
0.36
0.35
0.35
0.34
0.34
0.33
0.33
0.33
0.33
0.33
0.33
0.33
-11.05
-21.35
-30.44
-38.16
-44.59
-49.93
-54.37
-58.10
-61.25
-63.96
-66.31
-68.37
-70.19
-71.83
-73.31
-74.66
-75.90
-77.05
-78.12
-79.13
-80.09
-80.99
-81.85
-82.68
-83.47
-84.23
-84.97
-85.68
-86.37
-87.05
3-450
HFA3046 ， HFA3096 ， HFA3127 ， HFA3128
NPN型3的共发射极S参数
米× 50
米晶体管
频率。 （赫兹）
|S
11
|
PHASE （S
11
)
|S
21
|
PHASE （S
21
)
|S
12
|
V
CE
= 5V和我
C
= 10毫安
1.0E+08
2.0E+08
3.0E+08
4.0E+08
5.0E+08
6.0E+08
7.0E+08
8.0E+08
9.0E+08
1.0E+09
1.1E+09
1.2E+09
1.3E+09
1.4E+09
1.5E+09
1.6E+09
1.7E+09
1.8E+09
1.9E+09
2.0E+09
2.1E+09
2.2E+09
2.3E+09
2.4E+09
2.5E+09
2.6E+09
2.7E+09
2.8E+09
2.9E+09
3.0E+09
0.72
0.67
0.60
0.53
0.47
0.42
0.37
0.34
0.31
0.29
0.27
0.25
0.24
0.22
0.21
0.20
0.20
0.19
0.18
0.18
0.17
0.17
0.16
0.16
0.16
0.15
0.15
0.15
0.15
0.14
-16.43
-31.26
-43.76
-54.00
-62.38
-69.35
-75.26
-80.36
-84.84
-88.83
-92.44
-95.73
-98.75
-101.55
-104.15
-106.57
-108.85
-110.98
-113.00
-114.90
-116.69
-118.39
-120.01
-121.54
-122.99
-124.37
-125.69
-126.94
-128.14
-129.27
15.12
13.90
12.39
10.92
9.62
8.53
7.62
6.86
6.22
5.69
5.23
4.83
4.49
4.19
3.93
3.70
3.49
3.30
3.13
2.98
2.84
2.72
2.60
2.49
2.39
2.30
2.22
2.14
2.06
1.99
165.22
152.04
141.18
132.57
125.78
120.37
116.00
112.39
109.36
106.77
104.51
102.53
100.75
99.16
97.70
96.36
95.12
93.96
92.87
91.85
90.87
89.94
89.06
88.21
87.39
86.60
85.83
85.09
84.36
83.66
1.27E-02
2.34E-02
3.13E-02
3.68E-02
4.05E-02
4.31E-02
4.49E-02
4.63E-02
4.72E-02
4.80E-02
4.86E-02
4.90E-02
4.94E-02
4.97E-02
4.99E-02
5.01E-02
5.03E-02
5.05E-02
5.06E-02
5.07E-02
5.08E-02
5.09E-02
5.10E-02
5.11E-02
5.12E-02
5.12E-02
5.13E-02
5.13E-02
5.14E-02
5.15E-02
75.41
62.89
52.58
44.50
38.23
33.34
29.47
26.37
23.84
21.75
20.00
18.52
17.25
16.15
15.19
14.34
13.60
12.94
12.34
11.81
11.33
10.89
10.50
10.13
9.80
9.49
9.21
8.95
8.71
8.49
0.95
0.88
0.79
0.70
0.63
0.57
0.51
0.47
0.44
0.41
0.39
0.37
0.35
0.34
0.33
0.32
0.31
0.31
0.30
0.30
0.30
0.29
0.29
0.29
0.29
0.29
0.29
0.29
0.29
0.29
-14.26
-26.95
-37.31
-45.45
-51.77
-56.72
-60.65
-63.85
-66.49
-68.71
-70.62
-72.28
-73.76
-75.08
-76.28
-77.38
-78.41
-79.37
-80.27
-81.13
-81.95
-82.74
-83.50
-84.24
-84.95
-85.64
-86.32
-86.98
-87.62
-88.25
（续）
|S
22
|
PHASE （S
22
)
PHASE （S
12
)
PNP 3的共发射极S参数
米× 50
米晶体管
频率。 （赫兹）
|S
11
|
PHASE （S
11
)
|S
21
|
PHASE （S
21
)
|S
12
|
PHASE （S
12
)
|S
22
|
PHASE （S
22
)
V
CE
= -5V和我
C
= -5mA
1.0E+08
2.0E+08
3.0E+08
4.0E+08
5.0E+08
0.72
0.68
0.62
0.57
0.52
-16.65
-32.12
-45.73
-57.39
-67.32
10.11
9.44
8.57
7.68
6.86
166.77
154.69
144.40
135.95
129.11
1.66E-02
3.10E-02
4.23E-02
5.05E-02
5.64E-02
77.18
65.94
56.39
48.66
42.52
0.96
0.90
0.82
0.74
0.67
-10.76
-20.38
-28.25
-34.31
-38.81
3-451
QQ：2881677436 复制
