VS-HFA04SD60SPbF
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威世半导体
HEXFRED
超快软恢复二极管，4A
2, 4
特点
超快恢复时间
超软恢复
非常低的I
RRM
非常低Q
rr
保证雪崩
指定在操作温度
符合RoHS指令2002/95 / EC
会见MSL等级1 ，符合per J -STD- 020规范，无铅最高峰
260 °C
1
N / C
3
阳极
D- PAK （ TO- 252AA ）
好处
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
t
rr
典型值。
T
J
马克斯。
二极管的变化
D- PAK （ TO- 252AA ）
4A
600 V
1.8 V
17纳秒
150 °C
单芯片
减少RFI和EMI
二极管和三极管的开关降低功率损耗
更高的工作频率
减少冷落
减少了部件数量
说明/应用
这些二极管进行了优化，以减少损耗和EMI / RFI
在高频功率调节系统。柔软
回收的省去了在一个缓冲器
大多数应用。这些器件非常适用于
随心所欲，反激电源转换器，电机驱动器和
其它应用需要高的速度和更低的开关
损失是设计要求。
绝对最大额定值
参数
阴极到阳极电压
最大连续正向电流
单脉冲正向电流
重复峰值正向电流
最大功率耗散
工作结温和存储温度
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
I
FRM
P
D
T
J
, T
英镑
T
C
= 116 °C
T
C
= 100 °C
T
C
= 100 °C
测试条件
值
600
4
25
16
10
- 55 150
W
°C
A
单位
V
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压，
阻断电压
正向电压
参见图。 1
最大反向
漏电流
结电容
串联电感
修订： 14军11
符号
V
BR
,
V
R
V
F
I
R
= 100 μA
I
F
= 4 A
I
F
= 8 A
I
F
= 4 A，T
J
= 125 °C
I
R
C
T
L
S
V
R
= V
R
评级
T
J
= 125°C ，V
R
= 0.8× V
R
评级
V
R
= 200 V
测量导致引线5毫米封装体
测试条件
分钟。
600
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
1.5
1.8
1.4
0.17
44
4
8.0
马克斯。
-
1.8
2.2
1.7
3.0
300
8
-
μA
pF
nH
V
单位
文档编号： 94034
1
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动态恢复特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
测试条件
I
F
= 1.0 ，二
F
/ DT = 200 A / μA ，V
R
= 30 V
反向恢复时间
t
rr
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
峰值恢复电流
I
RRM
Q
rr
dI
（ REC ）M
/ DT
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 4 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
R
= 200 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
17
28
38
2.9
3.7
40
70
280
235
马克斯。
-
42
57
5.2
6.7
60
105
-
-
A
ns
单位
反向恢复电荷
nC
率恢复电流的秋天
A / μs的
热 - 机械特性
参数
最大结点和
存储温度范围
热阻，
结到外壳
热阻，
结到环境
重量
安装力矩
打标设备
机箱样式D- PAK
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
典型的插座安装
测试条件
分钟。
- 55
-
-
-
-
6.0
(5.0)
典型值。
-
-
-
2.0
0.07
-
马克斯。
150
5.0
° C / W
80
-
-
12
(10)
g
盎司
千克力·厘米
（磅
IN）
单位
°C
HFA04SD60S
修订： 14军11
文档编号： 94034
2
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1000
I
F
- 正向电流（A ）
100
I
R
- 反向电流（ μA ）
100
10
1
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 125 °C
1
T
J
= 175 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 25 °C
0.1
0.01
0.001
0.1
0
1
2
3
4
5
6
0
100
200
300
400
500
V
F
- 正向压降（ V）
图。 1 - 典型正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
100
C
T
- 结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
10
1
1
10
100
1000
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
P
DM
t
1
t
2
0.1
单脉冲
（热电阻）
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.0001
0.001
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.01
0.1
0.01
0.00001
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
修订： 14军11
文档编号： 94034
3
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50
I
F
= 8 A
I
F
= 4 A
40
200
180
160
140
V
R
= 200 V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
I
F
= 8 A
I
F
= 4 A
威世半导体
Q
rr
（ NC ）
30
V
R
= 200 V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
20
100
1000
t
rr
（纳秒）
120
100
80
60
40
20
100
1000
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 5 - 典型的反向恢复时间 - 的dI
F
/ DT
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 7 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
14
12
10
I
F
= 8 A
I
F
= 4 A
1000
I
F
= 8 A
I
F
= 4 A
8
6
4
2
0
100
V
R
= 200 V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1000
dI
（ REC ）M
/ DT （ A / μS ）
I
RR
(A)
V
R
= 200 V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
100
100
1000
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 6 - 典型的恢复电流与迪
F
/ DT
dI
F
/ DT （ A / μS ）
图。 8 - 典型迪
（ REC ）M
/ DT与迪
F
/ DT
修订： 14军11
文档编号： 94034
4
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V
R
= 200 V
0.01
Ω
L = 70 μH
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 9 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
（ REC ）M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
（1）的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
以点线通过
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4)
Q
rr
- 曲线下面积由T定义
rr
我
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
（5）的dI
（ REC ）M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 10 - 反向恢复波形和定义
修订： 14军11
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