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初步数据表PD - 20598转。 B九十八分之十一
HF50C120ACE
晶圆形式HEXFRED模具
1200 V
尺寸50
5"晶圆
电气特性(晶圆表)
参数
V
FM
BV
R
I
RM
描述
正向电压
反向击穿电压
反向漏电流
保证(最小/最大)
3.0V最大。
1200V最小。
20μA最大。
测试条件
T
J
= 25 ° C,I
F
= 16A
T
J
= 25 ° C,I
R
= 200A
T
J
= 25 ° C,V
R
= 1200V
机械数据
标称背面金属组成,厚度
标称正面金属组成,厚度
芯片尺寸
晶圆直径
晶圆厚度
相关模具机械的Dwg 。数
最低街宽
拒绝墨点尺寸
推荐的存储环境
铬镍银( 1kA的- 4KA - 6KA )
99 %的Al, 1 %的Si (3微米)的
0.257" X 0.257"
125毫米,性病。 < 100 >平
0.015" ± 0.003"
01-5168
100微米
0.25毫米直径最小
储存于原装容器中,在dessicated
氮气,没有污染
参考标准封装的IR部分(设计) : HFA30PB120
模具大纲
注意事项:
1.所有尺寸以毫米为单位显示(英寸)
2.控制尺寸: ( INCH )
3,尺寸公差:
焊盘: < 0.635公差= ± 0.013
宽度
< ( 0.0250 )公差= ± ( 0.0005 )
&放大器;
> 0.635公差= ± 0.025
> ( 0.0250 )公差= ± ( 0.0010 )
OVERALLDIE
< 1.270 TOLRANCE = ± 0.102
宽度
< ( .050 )公差= ± ( 0.004)
&放大器;
> 1.270公差= ± 0.203
> ( .050 )公差= ± ( 0.008 )
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
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