HF50-12F
NPN硅射频功率晶体管
描述:
该
ASI HF50-12F
是12.5 V类
外延型硅NPN晶体管
主要设计用于陆地移动
发射器的应用程序。该装置
利用发射极平衡,是非常
合适的,能够承受
以经营高VSRW
条件。
包装样式0.380 4L FLG
B
.112 x 45°
A
E
C
.125 NOM 。
,完全R
J
.125
B
E
C
D
产品特点:
P
G
= 16分贝分钟。在50W / 30兆赫
IMD
3
= -30 dBc的最大值。在50瓦
(PEP)
Omnigold
金属化系统
F
E
I
GH
最大额定值
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
12.0 A
45 V
18 V
3.5 V
183 W @ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃,
-65 ° C至+150°C
1.05 ° C / W
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.220 / 5.59
.785 / 19.94
.720 / 18.29
.970 / 24.64
.004 / 0.10
.085 / 2.16
.160 / 4.06
.240 / 6.10
.230 / 5.84
.730 / 18.54
.980 / 24.89
.385 / 9.78
.006 / 0.15
.105 / 2.67
.180 / 4.57
.280 / 7.11
.255 / 6.48
订货编号: ASI10596
特征
符号
BV
CBO
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CES
h
FE
I
C
= 50毫安
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
I
C
= 100毫安
I
C
= 50毫安
I
E
= 10毫安
V
CE
= 15 V
V
CE
= 5.0 V
I
C
= 5.0 A
最小典型最大
45
40
18
3.5
10
10
---
单位
V
V
V
V
mA
---
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü (C T) R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
规格若有变更,恕不
版本C
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HF50-12F
错误!未找到引用源。
C
OB
G
P
η
C
V
CB
= 12.5 V
V
CE
= 12.5 V
P
OUT
= 50 W
(PEP)
P
IN
= 5.0 W
F = 1.0 MHz的
F = 30 MHz的
10
55
300
pF
dB
%
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü (C T) R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
规格若有变更,恕不
版本C
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HF50-12F
NPN硅射频功率晶体管
描述:
该
ASI HF50-12F
是专为
包装样式0.380 4L FLG
B
.112 x 45°
A
产品特点:
P
G
= 16分贝分钟。在50W / 30兆赫
IMD
3
= -30 dBc的最大值。在30瓦
(PEP)
Omnigold
金属化系统
F
E
B
C
D
E
C
E
.125 NOM 。
,完全R
J
.125
最大额定值
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
12.0 A
36 V
18 V
3.5 V
183 W @ T
C
= 25
O
C
-65
O
C至+200
O
C
-65℃至+ 150℃
1.05
O
C / W
O
O
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
.240 / 6.10
.004 / 0.10
.085 / 2.16
.160 / 4.06
最低
英寸/毫米
G
H I
最大
英寸/毫米
.220 / 5.59
.785 / 19.94
.720 / 18.29
.970 / 24.64
.230 / 5.84
.730 / 18.54
.980 / 24.89
.385 / 9.78
.006 / 0.15
.105 / 2.67
.180 / 4.57
.280 / 7.11
.255 / 6.48
订货编号: ASI10596
特征
符号
BV
CBO
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CES
h
FE
C
OB
G
P
η
C
I
C
= 50毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 50毫安
I
E
= 10毫安
V
CE
= 15 V
V
CE
= 5.0 V
T
C
= 25
O
C
NONETEST
条件
最小典型最大
36
36
18
3.5
10
单位
V
V
V
V
mA
---
pF
dB
I
C
= 5.0 A
F = 1.0 MHz的
P
IN
= 7.0 W
F = 50MHz的
10
---
300
V
CB
= 12.5 V
V
CE
= 12.5 V
P
OUT
= 50 W
(PEP)
10
55
%
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü (C T) R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
规格若有变更,恕不
REV 。一
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