PNP S I L I C 0 NT·为R n a S I S T
汕头华汕电子器件有限公司。
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应用
Mediu½ Power Linear switching Applications.
HEP32系列
（HEP32/HEP32A/HEP32B/HEP32C）
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
散热TC = 25 ℃ ）
（
……………………………40W
P
C
--Collector
Dissipation（Ta=25℃）……………………………2W
V
CBO
--Collector -基地
电压： V
首席执行官
--Collector发射极
电压
HEP32……………………………-40V
HEP32A…………………………-60V
HEP32B……………………………-80V
HEP32C…………………………-100V
V
E B
② ：辐射源
基极电压连续.................................... -5V
I
C
--Collector
目前DC ） ............................................. -3A
（
I
C
--Collector
Current（DC）……………………………………-3mA
I
C
--Collector
Current（Pulse）……………………………………-5A
IB - 基极电流...................................................... -1A
TO-220AB
1―Base，B
2―Collector，
C
3―Emitter，E
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
BV
首席执行官
特征
集电极 - 发射极击穿电压
最小典型最大单位
－０．３
－０．３
－２００
－２００
－２００
－２００
５０
－１．２
－１．８
－１
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
½Ａ
½Ａ
μＡ
μＡ
μＡ
μＡ
Ｖ
Ｖ
½Ａ
ＭＨ½
测试条件
I
C
= -30mA ，我
B
=0
HEP32
－４０
HEP32A
－６０
HEP32B
－８０
HEP32C
－１００
I
首席执行官
集电极截止电流HEP31 / HEP32A
HEP31B / HEP32C
I
CES
集电极截止电流
HEP32
HEP32A
HEP32B
HEP32C
H
FE（1）
*直流电流增益
２５
H
FE（2）
１０
V
CE （ SAT ）
*集电极 - 发射极饱和电压
V
BE（上）
*基射极电压上
I
EBO
发射极截止电流
f
T
电流增益带宽积
３．０
V
CB
= -30V ，我
B
=0
V
CB
= -60V ，我
B
=0
V
CE
=-40V, V
EB
=0
V
CE
=-60V, V
EB
=0
V
CE
=-80V, V
EB
=0
V
CE
=-100V, V
EB
=0
V
CE
= -4V ，我
C
=-1A
V
CE
= -4V ，我
C
=-3A
I
C
= -3A ，我
B
=-375mA
V
CE
= -4V ，我
C
=-3A
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
=-10V,
I
C
=-500mA，
½＝１ＭＨ½
*
Pulse Test：PW≤300μ½，Ｄ½½½ ½½½½½≤2%
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HEP32系列
（HEP32/HEP32A/HEP32B/HEP32C）
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