飞利浦半导体
产品speci fi cation
12级移位 - 和 - 存储寄存器中的LED驱动器
应用
汽车
产业
概述
该HEF4894B是一个12级的串行
具有存储锁存器的移位寄存器
与每个阶段相关联的
从串行输入选通数据，以
并联LED驱动器输出
0
to
O
11
。数据被移位在正向
时钟跳变。在每个数据
移位寄存器级被转移到
存储寄存器时，选通
（ STR ）输入为高电平。在数据
存储寄存器出现在
输出时，输出使能
（EO）信号为高电平。
两个串行输出（O
s
和O-
s
“ ）是
可级联若干
HEF4894B设备。数据可用
在澳
s
在正向时钟边沿
允许在高速运转
级联系统，其中所述时钟
上升时间是快速的。相同的序列
在澳信息，请访问
s
在
下一个负向的时钟边缘
提供级联HEF4894B
在时钟的上升时间是设备
慢。
订购以及封装资料
TYPE
数
HEF4894BT
HEF4894BP
钉扎
针
1
2
3
D
CP
符号
STR
套餐
引脚
20
20
脚位
SO
DIL
材料
塑料
塑料
HEF4894B
CODE
SO20/SOT163A
DIL20/SOT146
名称和功能
选通输入
数据输入
时钟输入
并行输出（漏极开路）
地
串行输出
输出使能输入
正电源电压
4, 5, 6, 7, 8, 9, 18, O
0
与O
11
17, 16, 15, 14, 13
10
11, 12
19
20
系列数据
V
ss
O
s
, O
s
’
EO
V
DD
见家庭音响特定阳离子除：
额定直流电流为任何漏极开路输出40 mA的电流。
I
DD
极限微星类别：
见家庭规范。
初步引脚分配。
图1钢钉图。
图2的功能框图。
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
12级移位 - 和 - 存储寄存器中的LED驱动器
HEF4894B
图3的逻辑图。
功能表
输入
CP
↑
↓
↑
图4一D锁存。
↑
↑
↓
笔记
1. H =高电平状态（更多的正电压）
2， L =低电平状态（不积极的电压）
3. X =状态是无关紧要
4.
↑
=正向跳变
5.
↓
=负向过渡
6， Z =高阻关断状态
7. NC =无变化
8. O
11
' =在第十二移位寄存器级的信息。
在时钟上升沿在10中的信息
th
登记阶段
转移至11
th
注册阶段，并且O
s
输出。
EO
L
L
H
H
H
H
STR
X
X
L
H
H
H
D
X
X
X
L
H
H
并行
输出
O
0
Z
Z
nc
Z
L
nc
O
n
Z
Z
nc
O
n
1
O
n
1
nc
串行
输出
O
S
O
10
’
nc
O
10
’
O
10
’
O
10
’
nc
O
S
’
nc
O
11
nc
nc
nc
O
11
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
12级移位 - 和 - 存储寄存器中的LED驱动器
DC特性
V
SS
= 0 V.
T
AMB
(°C)
参数
V
DD
(V)
5
10
15
输出漏
电流; HIGH ;
n
5
10
15
I
OZH
符号
40
分钟。
输出电压
低;
n
V
OL
马克斯。
0.75
0.75
0.75
2
2
2
+
25
分钟。
马克斯。
0.75
0.75
0.75
2
2
2
+
85
分钟。
马克斯。
1.5
1.5
1.5
15
15
15
A
V
单位
HEF4894B
条件
V
I
= V
SS
或V
DD
;
I
o
< 20毫安
V
o
= 15 V
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
输入转换时间
≤
20纳秒。
参数
动态功耗
每包耗散
(P)
V
DD
(V)
5
10
15
典型公式P
(W)
1200 f
i
+ ∑(f
o
C
L
)
×
V
DD2
5550 f
i
+ ∑(f
o
C
L
)
×
V
DD2
15000 f
i
+ ∑(f
o
C
L
)
×
V
DD2
其中：
R
负载
=
∞
f
i
=输入频率（MHz） ，
f
o
=输出频率（MHz） ，
C
L
=负载电容（PF ） ，
∑(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒。
参数
传播延迟
CP与O
s
前高后低
传播延迟
CP与O
s
从低到高
传播延迟
CP与O
s
’
前高后低
传播延迟
CP与O
s
’
从低到高
V
DD
(V)
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
符号
典型值。
160
65
45
130
55
40
120
50
40
130
60
45
马克斯。
320
130
90
260
110
80
240
100
80
260
120
90
ns
ns
ns
ns
单位
典型的外推
公式
132纳秒
+
（ 0.55纳秒/ PF ）C
L
53纳秒
+
（ 0.23纳秒/ PF ）C
L
37纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
102纳秒
+
（ 0.55纳秒/ PF ）C
L
44纳秒
+
（ 0.23纳秒/ PF ）C
L
32纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
92纳秒
+
（ 0.55纳秒/ PF ）C
L
39纳秒
+
（ 0.23纳秒/ PF ）C
L
32纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
102纳秒
+
（ 0.55纳秒/ PF ）C
L
49纳秒
+
（ 0.23纳秒/ PF ）C
L
37纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
12级移位 - 和 - 存储寄存器中的LED驱动器
HEF4894B
参数
传播延迟
CP与O
n
截止到低
传播延迟
CP与O
n
低到OFF
传播延迟
STR与O
n
截止到低
传播延迟
STR与O
n
低到OFF
输出转换
时间;
s
, O
s
’
前高后低
输出转换
时间;
s
, O
s
’
从低到高
记
V
DD
(V)
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
符号
典型值。
240
马克斯。
480
160
110
340
150
120
280
140
110
200
100
70
170
80
60
170
80
60
单位
典型的外推
公式
见注1
t
PZL
80
55
170
ns
t
PLZ
75
60
140
ns
见注1
t
PZL
70
55
100
ns
见注1
t
PLZ
40
35
85
ns
见注1
35纳秒
+
（ 1.0纳秒/ PF ）C
L
t
THL
40
30
85
ns
19纳秒
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
16纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
35纳秒
+
（ 1.0纳秒/ PF ）C
L
t
TLH
40
30
ns
19纳秒
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
16纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
1.定义符号相当于三态输出。
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒。
参数
输出使能时间
EO与O
n
截止到低
输出禁止时间
EO与O
n
低到OFF
最小时钟脉冲宽度
低
最小选通脉冲宽度
高
V
DD
(V)
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
t
WSTRH
t
WCPL
t
PLZ
符号
t
PZL
分钟。
60
30
24
80
60
24
典型值。
100
55
50
80
40
30
30
15
12
40
30
12
马克斯。
200
110
100
160
80
60
ns
ns
ns
ns
单位
1995年1月
5
HEF4894B
12级移位 - 和 - 存储寄存器中的LED驱动器
启示录7 - 2010年8月13日
产品数据表
1.概述
该HEF4894B是一个12级串行移位寄存器。它具有关联的存储锁存器
每个阶段，用于从串行输入（D）与所述并行数据选通LED驱动输出
（ QP0到QP11 ） 。数据被移位在正向时钟（CP）的过渡。在每个数据
移位寄存器级被转移到存储寄存器时，选通脉冲（ STR）的输入是
HIGH 。在存储寄存器数据出现在每当输出使能输出（ OE）的
输入信号是高电平。
两个串行输出（ QS1和QS2 ）可用于级联数HEF4894B的
设备。串行数据可在QS1在正向时钟边沿允许高速
在级联系统的快速运行时钟的上升时间。相同的串行数据是
可在QS2上的下一个负向的时钟边沿。这被用于级联
当时钟有一个缓慢的上升时间HEF4894B设备。
它工作在推荐的V
DD
3 V至15 V的电源电压范围参考V
SS
（通常接地） 。未使用的输入必须连接到V
DD
, V
SS
或另一个输入。这是
也适合使用在这两个工业界（ -40
°C
+85
°C)
和汽车（ -40
°C
to
+125
°C)
温度范围。
2.特点和好处科幻TS
全静态操作
5 V ， 10 V和15 V额定参数
标准化对称的输出特性
在整个汽车温度范围内工作
40 °C
+125
°C
符合JEDEC标准JESD 13 -B
3.应用
汽车和工业
4.订购信息
表1中。
订购信息
所有类型的操作
40
°
C至+ 125
°
C.
类型编号
HEF4894BP
HEF4894BT
HEF4894BTT
包
名字
DIP20
SO20
TSSOP20
描述
塑料双列直插式封装; 20引线（ 300万）
塑料小外形封装; 20线索;体宽7.5毫米
塑料薄小外形封装; 20线索;体宽4.4毫米
VERSION
SOT146-1
SOT163-1
SOT360-1
恩智浦半导体
HEF4894B
12级移位 - 和 - 存储寄存器中的LED驱动器
5.功能图
3
CP
1
STR
QS1
QS2
QP0
QP1
QP2
2
D
QP3
QP4
QP5
QP6
QP7
QP8
QP9
QP10
QP11
OE
19
7
8
9
18
17
16
15
14
13
11
12
4
5
6
001aai639
图1 。
逻辑符号
2
3
12级移位寄存器
12
11
STR
1
12位的存储寄存器
QS2
QS1
D
CP
OE
19
4
QP0
QP1
5
6
QP2
QP3
7
漏极开路输出
8
QP4
QP5
9
18
QP6
QP7
17
16
QP8
QP9
15
14
QP10
QP11
001aag118
13
图2 。
工作原理图
HEF4894B
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
启示录7 - 2010年8月13日
2 19
恩智浦半导体
HEF4894B
12级移位 - 和 - 存储寄存器中的LED驱动器
0级
D
D
FF0
CP
CP
Q
阶段1到10
D
Q10S
STAGE 11
D
Q
FF11
CP
D
Q
QS1
QS2
LATCH
LE
D
Q
D
Q
LATCH
LE
STR
LATCH
LE
OE
QP0 QP1
QP10
QP11
001aag119
图3 。
逻辑图
6.管脚信息
6.1钢钉
STR
D
CP
QP0
QP1
QP2
QP3
QP4
QP5
1
2
3
4
5
20 V
DD
19 OE
18 QP6
17 QP7
16 QP8
HEF4894B
6
7
8
9
15 QP9
14 QP10
13 QP11
12 QS2
11 QS1
001aag117
V
SS
10
图4 。
引脚配置
HEF4894B
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
启示录7 - 2010年8月13日
3 19
恩智浦半导体
HEF4894B
12级移位 - 和 - 存储寄存器中的LED驱动器
6.2引脚说明
表2中。
符号
D
QP0到QP11
QS1
QS2
CP
STR
OE
V
DD
V
SS
引脚说明
针
2
4, 5, 6, 7, 8, 9, 18, 17, 16, 15, 14, 13
11
12
3
1
19
20
10
描述
串行输入
并行输出
串行输出
串行输出
时钟输入
选通输入
输出使能输入
电源电压
接地（ 0 V ）
7.功能描述
表3中。
功能表
[1]
在时钟上升沿在10中的信息
th
注册阶段被转移到11
th
注册阶段和QS输出
控制
CP
↑
↓
↑
↑
↑
↓
[1]
[2]
[3]
输入
OE
L
L
H
H
H
H
STR
X
X
L
H
H
H
D
X
X
X
L
H
H
并行输出
QP0
Z
Z
没有变化
Z
L
没有变化
QPn中
Z
Z
没有变化
QPn中
1
QPn中
1
没有变化
串行输出
QS1
[2]
Q10S
没有变化
Q10S
Q10S
Q10S
没有变化
QS2
[3]
没有变化
Q11S
没有变化
没有变化
没有变化
Q11S
H =高电压电平; L =低电压水平; X =唐??在意;
↑
=低到高的时钟跳变;
↓
= HIGH到LOW时钟过渡;
Z =高阻关断状态。
Q10S =在寄存器级10的数据低到高的时钟跳变前。
Q11S =在寄存器级11的数据高分到低分时钟跳变前。
HEF4894B
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
启示录7 - 2010年8月13日
4 19
恩智浦半导体
HEF4894B
12级移位 - 和 - 存储寄存器中的LED驱动器
时钟输入
数据输入
选通输入
OUTPUT ENABLE
输入
内部Q0S
(FF 1)
QP0输出
内部Q10S
(FF 11)
QP10输出
串行QS1
产量
串行QS2
产量
001aag121
图5 。
时序图
8.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DD
I
IK
V
I
I
OK
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
QSN输出; V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
DD
+ 0.5
V
QPn中输出; V
O
＆ LT ; 0.5 V
I
I
I
O
T
英镑
T
AMB
P
合计
输入漏电流
输出电流
储存温度
环境温度
总功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
DIP20封装
SO20封装
TSSOP20封装
P
[1]
[2]
[3]
[1]
[2]
[3]
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
DD
+ 0.5 V
民
0.5
-
0.5
-
-
-
-
-
65
40
-
-
-
-
最大
+18
±10
V
DD
+ 0.5
±10
40
±10
±10
40
+150
+125
750
500
500
100
单位
V
mA
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
mW
mW
mW
mW
QSN输出
QPn中输出
功耗
每路输出
对于DIP20封装：P
合计
减额直线为12毫瓦/ K以上70
°C.
对于SO20封装：P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
°C.
对于TSSOP20封装：P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
°C.
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
HEF4894B
产品数据表
启示录7 - 2010年8月13日
5 19
QQ：2880707522 复制
