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集成电路
数据表
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该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4724B
微星
8位可寻址锁存器
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位可寻址锁存器
描述
该HEF4724B是一个8位可寻址锁存器具有三个
地址输入（A
0
到A
2
） ，数据输入（D）中，有源低
使能输入（ E）中，一个高电平有效清除输入（CL）和八
并行锁存器输出（O
0
与O
7
).
当E和CL都很高，所有输出（O
0
与O
7
）是低电压。
八通道多路分解或高电平有效-1- - 8
与输出解码使操作发生时， CL为
高和E为低。当CL和E均为低电平时，
HEF4724B
微星
所选的输出（O
0
与O
7
;由A确定
0
到A
2
）如下
D.当E变为高电平时，锁存器中的内容是
存储。当在可寻址锁存模式中操作
（ E = CL = LOW ） ，改变的不止一位
0
to
A
2
可以并处一过错误的地址。因此，
这应该只，而在存储器模式中进行
（ E = HIGH ， CL = LOW ） 。
图2钢钉图。
HEF4724BP （ N） ：
HEF4724BD （F ） ：
HEF4724BT （D）：
16引脚DIL ;塑料
(SOT38-1)
16引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT74)
16引脚SO ;塑料
(SOT109-1)
（ ） ：封装标识北美
钉扎
A
0
到A
2
图1的功能框图。
A
E
CL
O
0
与O
7
地址输入
数据输入
使能输入（低电平有效）
清除输入（高电平有效）
并行锁存器输出
系列数据，我
DD
极限微星类
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
本文在这里白迫使横向页面，通过正确的Acrobat中reader.This文本的PDF浏览时旋转是在这里
_white
强制横向页面，通过正确的Acrobat中reader.This文字的PDF浏览时旋转是在这里工作本的文字是在这里
白迫使横向页面被正确通过Acrobat Reader的PDF格式浏览时旋转。白迫使横向页面被...
1995年1月
3
图3的逻辑图。
产品speci fi cation
图4逻辑图（ 1锁存器） 。
飞利浦半导体
8位可寻址锁存器
HEF4724B
微星
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位可寻址锁存器
模式选择
E
L
H
L
H
CL
L
L
H
H
可寻址锁存器
内存
高电平8通道多路解复用器
明确
模式
HEF4724B
微星
功能表
CL
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
笔记
1. H =高电平状态（更多的正电压）
L =低电平状态（不积极的电压）
X =状态是无关紧要
O
n-1
= E的正跳变前的状态
D
1
=高电平或低电平
E
H
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
D
X
D
1
D
1
D
1
D
1
D
1
D
1
D
1
D
1
X
D
1
D
1
D
1
D
1
D
1
D
1
D
1
D
1
A
0
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
L
H
L
H
L
H
L
H
A
1
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
L
L
H
H
L
L
H
H
A
2
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
L
L
L
L
H
H
H
H
O
0
L
D
1
L
L
L
L
L
L
L
O
n-1
D
1
O
n-1
O
n-1
O
n-1
O
n-1
O
n-1
O
n-1
O
n-1
O
1
L
L
D
1
L
L
L
L
L
L
O
n-1
O
n-1
D
1
O
n-1
O
n-1
O
n-1
O
n-1
O
n-1
O
n-1
O
2
L
L
L
D
1
L
L
L
L
L
O
n-1
O
n-1
O
n-1
D
1
O
n-1
O
n-1
O
n-1
O
n-1
O
n-1
O
3
L
L
L
L
D
1
L
L
L
L
O
n-1
O
n-1
O
n-1
O
n-1
D
1
O
n-1
O
n-1
O
n-1
O
n-1
O
4
L
L
L
L
L
D
1
L
L
L
O
n-1
O
n-1
O
n-1
O
n-1
O
n-1
D
1
O
n-1
O
n-1
O
n-1
O
5
L
L
L
L
L
L
D
1
L
L
O
6
L
L
L
L
L
L
L
D
1
L
O
7
L
L
L
L
L
L
L
L
D
1
解复用器;
未解决
锁存器
清除
模式
明确
O
n-1
O
n-1
O
n-1
内存
O
n-1
O
n-1
O
n-1
O
n-1
O
n-1
O
n-1
寻址
O
n-1
O
n-1
O
n-1
锁存器;
O
n-1
O
n-1
O
n-1
未解决
O
n-1
O
n-1
O
n-1
锁存器保持
D
1
O
n-1
O
n-1
前
状态
O
n-1
D
1
O
n-1
O
n-1
O
n-1
D
1
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位可寻址锁存器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
700 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
3700 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
10 800 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
HEF4724B
微星
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
E
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
D
→
O
n
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
A
n
→
O
n
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
CL
→
O
n
前高后低
10
15
5
10
15
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
115
50
35
95
40
30
95
35
25
85
35
25
110
45
35
95
40
30
85
35
25
230
95
70
195
80
55
190
75
55
170
75
55
225
95
70
190
80
55
165
70
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
88纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
39纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
27纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
68纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
29纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
68纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
24纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
17纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
58纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
24纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
17纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
83纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
34纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
27纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
68纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
29纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
58纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
24纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
17纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
典型的外推
公式
1995年1月
5
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