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集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料,也请下载:
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF , HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF , HEC
HEF4585B
微星
4位数值比较器
产品speci fi cation
在集成电路, IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
4位数值比较器
描述
该HEF4585B是一个4位幅度比较器
比较两个4位字( A和B) ,它们是否是“少
比“,”等于“或”大于“ 。每个字有四种
平行输入(A
0
到A
3
和B
0
到B
3
); A
3
和B
3
作为
最显著的投入。三路输出提供;
一个大于B (O
一> B
) ,A小于B (O
一< B
)和
一个等于B (O
A = B
) 。三个扩展输入(I
一> B
,
I
一< B
A = B
)使器件的级联无
外部大门。
HEF4585B
微星
对于正确的比较操作的扩展输入到
至少显著位置必须连接如下:
I
A = B
= I
一> B
= HIGH ,我
一< B
=低。单词大于
4位,单元可以通过连接输出可以级联
O
一< B
和O-
A = B
到下一个的相应输入端
显著比较器(输入I
一> B
被连接到一个
HIGH ) 。
操作不限于二进制码中,设备将
任何单调的代码工作。的函数表
描述了在所有可能的装置的操作
逻辑条件。
图2钢钉图。
HEF4585BP ( N) :
HEF4585BD (F ) :
HEF4585BT (D):
16引脚DIL ;塑料( SOT38-1 )
16引脚DIL ;陶瓷(陶瓷浸渍) ( SOT74 )
16引脚SO ;塑料( SOT109-1 )
( ) :封装标识北美
钉扎
A
0
到A
3
图1的功能框图。
B
0
到B
3
O
一> B
O
一< B
O
A = B
字并行输入
字B输入端并联
更大的比B输出
不到B输出
一个等于B输出
I
一> B
, I
A
& LT ;
B
, I
A = B
扩展输入
系列数据,我
DD
极限微星类
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
4位数值比较器
HEF4585B
微星
图3的逻辑图。
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
4位数值比较器
功能表
INPUTS模式对比
A
3
, B
3
A
3
> B
3
A
3
< B
3
A
3
= B
3
A
3
= B
3
A
3
= B
3
A
3
= B
3
A
3
= B
3
A
3
= B
3
A
3
= B
3
A
3
= B
3
A
3
= B
3
A
3
= B
3
A
3
= B
3
笔记
1. H =高电平状态(更多的正电压)
L =低电平状态(不积极的电压)
X =状态是无关紧要
A
2
, B
2
X
X
A
2
> B
2
A
2
< B
2
A
2
= B
2
A
2
= B
2
A
2
= B
2
A
2
= B
2
A
2
= B
2
A
2
= B
2
A
2
= B
2
A
2
= B
2
A
2
= B
2
A
1
, B
1
X
X
X
X
A
1
> B
1
A
1
< B
1
A
1
= B
1
A
1
= B
1
A
1
= B
1
A
1
= B
1
A
1
= B
1
A
1
= B
1
A
1
= B
1
A
0
, B
0
X
X
X
X
X
X
A
0
> B
0
A
0
< B
0
A
0
= B
0
A
0
= B
0
A
0
= B
0
A
0
= B
0
A
0
= B
0
级联输入
I
A
& GT ;
B
H
X
H
X
H
X
H
X
X
H
X
X
L
I
A
& LT ;
B
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
H
H
L
I
A = B
X
X
X
X
X
X
X
X
H
L
L
H
L
O
A
& GT ;
B
H
L
H
L
H
L
H
L
L
H
L
L
L
HEF4585B
微星
输出
O
A
& LT ;
B
L
H
L
H
L
H
L
H
L
L
H
H
L
O
A = B
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
H
L
上部11行描述下会发生在一个单一的设备的所有条件或以串行的正常运行
扩张计划。
下两行描述的级联输入端非正常条件下的操作。这些条件发生
当并行扩展技术被使用。
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
4位数值比较器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
A
n
, B
n
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
I
n
O
n
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
160
65
45
150
60
45
110
45
30
120
50
35
60
30
20
60
30
20
320纳秒
130纳秒
90纳秒
300纳秒
120纳秒
90纳秒
220纳秒
90纳秒
60纳秒
240纳秒
100纳秒
70纳秒
120纳秒
60纳秒
40纳秒
120纳秒
60纳秒
40纳秒
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
HEF4585B
微星
典型的外推
公式
133纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
54纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
37纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
123纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
49纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
37纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
83纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
34纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
22纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
93纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
39纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
27纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包(P)的
5
10
15
典型公式P( μW )
1250 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
5500 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
15 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 (兆赫)
f
o
=输出频率。 (兆赫)
C
L
=负载电容(PF )
(f
o
C
L
) =产出的总和
V
DD
- 电源电压( V)
应用信息
为HEF4585B应用的一些实例是:
过程控制器。
伺服电机控制。
1995年1月
5
集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料,也请下载:
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF , HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF , HEC
HEF4585B
微星
4位数值比较器
产品speci fi cation
在集成电路, IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
4位数值比较器
描述
该HEF4585B是一个4位幅度比较器
比较两个4位字( A和B) ,它们是否是“少
比“,”等于“或”大于“ 。每个字有四种
平行输入(A
0
到A
3
和B
0
到B
3
); A
3
和B
3
作为
最显著的投入。三路输出提供;
一个大于B (O
一> B
) ,A小于B (O
一< B
)和
一个等于B (O
A = B
) 。三个扩展输入(I
一> B
,
I
一< B
A = B
)使器件的级联无
外部大门。
HEF4585B
微星
对于正确的比较操作的扩展输入到
至少显著位置必须连接如下:
I
A = B
= I
一> B
= HIGH ,我
一< B
=低。单词大于
4位,单元可以通过连接输出可以级联
O
一< B
和O-
A = B
到下一个的相应输入端
显著比较器(输入I
一> B
被连接到一个
HIGH ) 。
操作不限于二进制码中,设备将
任何单调的代码工作。的函数表
描述了在所有可能的装置的操作
逻辑条件。
图2钢钉图。
HEF4585BP ( N) :
HEF4585BD (F ) :
HEF4585BT (D):
16引脚DIL ;塑料( SOT38-1 )
16引脚DIL ;陶瓷(陶瓷浸渍) ( SOT74 )
16引脚SO ;塑料( SOT109-1 )
( ) :封装标识北美
钉扎
A
0
到A
3
图1的功能框图。
B
0
到B
3
O
一> B
O
一< B
O
A = B
字并行输入
字B输入端并联
更大的比B输出
不到B输出
一个等于B输出
I
一> B
, I
A
& LT ;
B
, I
A = B
扩展输入
系列数据,我
DD
极限微星类
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
4位数值比较器
HEF4585B
微星
图3的逻辑图。
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
4位数值比较器
功能表
INPUTS模式对比
A
3
, B
3
A
3
> B
3
A
3
< B
3
A
3
= B
3
A
3
= B
3
A
3
= B
3
A
3
= B
3
A
3
= B
3
A
3
= B
3
A
3
= B
3
A
3
= B
3
A
3
= B
3
A
3
= B
3
A
3
= B
3
笔记
1. H =高电平状态(更多的正电压)
L =低电平状态(不积极的电压)
X =状态是无关紧要
A
2
, B
2
X
X
A
2
> B
2
A
2
< B
2
A
2
= B
2
A
2
= B
2
A
2
= B
2
A
2
= B
2
A
2
= B
2
A
2
= B
2
A
2
= B
2
A
2
= B
2
A
2
= B
2
A
1
, B
1
X
X
X
X
A
1
> B
1
A
1
< B
1
A
1
= B
1
A
1
= B
1
A
1
= B
1
A
1
= B
1
A
1
= B
1
A
1
= B
1
A
1
= B
1
A
0
, B
0
X
X
X
X
X
X
A
0
> B
0
A
0
< B
0
A
0
= B
0
A
0
= B
0
A
0
= B
0
A
0
= B
0
A
0
= B
0
级联输入
I
A
& GT ;
B
H
X
H
X
H
X
H
X
X
H
X
X
L
I
A
& LT ;
B
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
H
H
L
I
A = B
X
X
X
X
X
X
X
X
H
L
L
H
L
O
A
& GT ;
B
H
L
H
L
H
L
H
L
L
H
L
L
L
HEF4585B
微星
输出
O
A
& LT ;
B
L
H
L
H
L
H
L
H
L
L
H
H
L
O
A = B
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
H
L
上部11行描述下会发生在一个单一的设备的所有条件或以串行的正常运行
扩张计划。
下两行描述的级联输入端非正常条件下的操作。这些条件发生
当并行扩展技术被使用。
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
4位数值比较器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
A
n
, B
n
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
I
n
O
n
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
160
65
45
150
60
45
110
45
30
120
50
35
60
30
20
60
30
20
320纳秒
130纳秒
90纳秒
300纳秒
120纳秒
90纳秒
220纳秒
90纳秒
60纳秒
240纳秒
100纳秒
70纳秒
120纳秒
60纳秒
40纳秒
120纳秒
60纳秒
40纳秒
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
HEF4585B
微星
典型的外推
公式
133纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
54纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
37纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
123纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
49纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
37纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
83纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
34纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
22纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
93纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
39纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
27纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包(P)的
5
10
15
典型公式P( μW )
1250 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
5500 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
15 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 (兆赫)
f
o
=输出频率。 (兆赫)
C
L
=负载电容(PF )
(f
o
C
L
) =产出的总和
V
DD
- 电源电压( V)
应用信息
为HEF4585B应用的一些实例是:
过程控制器。
伺服电机控制。
1995年1月
5
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    HEF4585BD
    -
    -
    -
    -
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联系人:刘先生
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√ 欧美㊣品
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电话:0755-23919407
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
HEF4585BD
PHI
17+
4550
CDIP-16
进口原装正品
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
HEF4585BD
PHI
14+
56000
DIP
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联系人:高小姐/李先生
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HEF4585BD
PHI
2025+
3365
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全新原装、公司现货热卖
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电话:755-83616256 // 83210909
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PHILIPS
22+
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