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集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料，也请下载：
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4519B
微星
四路2输入多路复用器
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入多路复用器
描述
该HEF4519B提供四个复用电路
常见的选择输入（S
A
, S
B
） ;每个电路包含两个
输入（A
n
, B
n
）和一个输出（O
n
） 。它可用于
选择从两个来源之一4比特的信息。
在“A”输入选择当S
A
为高电平时， 'B'输入
当S
B
为HIGH 。当S
A
和S
B
高，输出
(O
n
）是逻辑异或非对A
n
和
B
n
输入（O
n
= A
n
B
n
).
HEF4519B
微星
当S
A
和S
B
低，输出（O
n
）为低时，
独立的多路复用器输入（A
n
和B
n
).
该HEF4519B不能用于复用的模拟
信号。输出采用标准缓冲液为最佳
性能。
图1的功能框图。
钉扎
S
A
, S
B
A
0
到A
3
B
o
到B
3
O
0
与O
3
选择输入（高电平有效）
多路复用器输入
多路复用器输入
多路输出
系列数据，我
DD
极限微星类
图2钢钉图。
见家庭音响特定阳离子
HEF4519BP （ N） ：
HEF4519BD （F ） ：
HEF4519BT （D）：
16引脚DIL ;塑料（ SOT38-1 ）
16引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT74)
16引脚SO ;塑料（ SOT109-1 ）
（ ） ：封装标识北美
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入多路复用器
HEF4519B
微星
图3的逻辑图。
功能表
输入
S
A
L
H
L
H
H
H
H
笔记
1. H =高电平状态（更多的正电压）
L =低电平状态（不积极的电压）
X =状态是无关紧要
S
B
L
L
H
H
H
H
H
A
n
X
A
n
X
L
H
L
H
B
n
X
X
B
n
L
L
H
H
产量
O
n
L
A
n
B
n
H
L
L
H
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入多路复用器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
A
n
, B
n
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
S
A
, S
B
→
O
n
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
95
40
30
80
40
30
95
40
30
85
40
30
60
30
20
60
30
20
190
80
60
160
80
60
190
80
55
165
80
60
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
典型值。
马克斯。
HEF4519B
微星
典型的外推
公式
68纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
29纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
53纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
29纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
68纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
29纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
58纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
29纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
1000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
6000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
17 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
应用信息
为HEF4519B应用的一些实例是：
2输入多路转换器。
真/补码选择。
1995年1月
4
集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料，也请下载：
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4519B
微星
四路2输入多路复用器
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入多路复用器
描述
该HEF4519B提供四个复用电路
常见的选择输入（S
A
, S
B
） ;每个电路包含两个
输入（A
n
, B
n
）和一个输出（O
n
） 。它可用于
选择从两个来源之一4比特的信息。
在“A”输入选择当S
A
为高电平时， 'B'输入
当S
B
为HIGH 。当S
A
和S
B
高，输出
(O
n
）是逻辑异或非对A
n
和
B
n
输入（O
n
= A
n
B
n
).
HEF4519B
微星
当S
A
和S
B
低，输出（O
n
）为低时，
独立的多路复用器输入（A
n
和B
n
).
该HEF4519B不能用于复用的模拟
信号。输出采用标准缓冲液为最佳
性能。
图1的功能框图。
钉扎
S
A
, S
B
A
0
到A
3
B
o
到B
3
O
0
与O
3
选择输入（高电平有效）
多路复用器输入
多路复用器输入
多路输出
系列数据，我
DD
极限微星类
图2钢钉图。
见家庭音响特定阳离子
HEF4519BP （ N） ：
HEF4519BD （F ） ：
HEF4519BT （D）：
16引脚DIL ;塑料（ SOT38-1 ）
16引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT74)
16引脚SO ;塑料（ SOT109-1 ）
（ ） ：封装标识北美
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入多路复用器
HEF4519B
微星
图3的逻辑图。
功能表
输入
S
A
L
H
L
H
H
H
H
笔记
1. H =高电平状态（更多的正电压）
L =低电平状态（不积极的电压）
X =状态是无关紧要
S
B
L
L
H
H
H
H
H
A
n
X
A
n
X
L
H
L
H
B
n
X
X
B
n
L
L
H
H
产量
O
n
L
A
n
B
n
H
L
L
H
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入多路复用器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
A
n
, B
n
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
S
A
, S
B
→
O
n
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
95
40
30
80
40
30
95
40
30
85
40
30
60
30
20
60
30
20
190
80
60
160
80
60
190
80
55
165
80
60
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
典型值。
马克斯。
HEF4519B
微星
典型的外推
公式
68纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
29纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
53纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
29纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
68纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
29纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
58纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
29纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
1000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
6000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
17 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
应用信息
为HEF4519B应用的一些实例是：
2输入多路转换器。
真/补码选择。
1995年1月
4
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HCPL-5700#200
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HSD1606-245V
HE752C0501
HDSP-513E-0L000
HDSP-0884-DA300
HEDL-6545-J06
H11B815
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HDSP-K701-FD000
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
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